一種亮度均勻的發(fā)光顯示屏體及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種亮度均勻的發(fā)光顯示屏體及其制備方法，尤其適用大尺寸的顯示屏體。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光顯示器(英文全稱為Organic Light-Emitting Display，簡(jiǎn)稱OLED)具有主動(dòng)發(fā)光、輕薄、視角大、響應(yīng)速度快、節(jié)能、溫度耐受范圍大、可實(shí)現(xiàn)柔性顯示和透明顯示等優(yōu)點(diǎn)。有機(jī)電致發(fā)光顯示器OLED為平面光源，不需要導(dǎo)光板或擴(kuò)散板;驅(qū)動(dòng)電壓低，散熱量較小;OLED較容易實(shí)現(xiàn)透明和柔性顯示，可應(yīng)用于特殊場(chǎng)合并開(kāi)拓出新的照明市場(chǎng)，因此被視為下一代最具潛力的新型平板顯示技術(shù)。
[0003]通常，OLED顯示屏體(照明屏體)的陽(yáng)極為氧化銦錫(ITO)，ΙΤ0的方阻通常為15 Ω/□左右，面內(nèi)導(dǎo)電性較差。隨著發(fā)光面積的增加，屏體的亮度均一性會(huì)變得較差。參考圖1，由于離外部電源電極較近位置顯示區(qū)域，正電荷通過(guò)ITO的路徑較短，電壓降較小，此處的電荷量較大，電子和空穴復(fù)合機(jī)率增加，亮度較高；而對(duì)于離外部電源電極較遠(yuǎn)的位置，正電荷通過(guò)ITO的路徑較長(zhǎng)，電壓降較大(△ U’>△ U)，此處的電荷量較少，電子和空穴復(fù)合機(jī)率降低，亮度也較低，因而造成了發(fā)光平面亮度不均。另外，由于電荷量的不均勻分布，容易造成局部過(guò)熱，器件發(fā)生短路，而影響到屏體的穩(wěn)定性和壽命。
[0004]為解決OLED照明器件發(fā)光均勻性的問(wèn)題，現(xiàn)有的方法是在陽(yáng)極上利用金屬細(xì)線形成網(wǎng)狀柵格，金屬細(xì)線可以選擇Mo、Al、Cr、Cu、Ag等金屬或者組合。但是由于金屬不能透光，因此有效發(fā)光面積減少;細(xì)線的厚度從幾十納米到幾百納米不等，這樣增加了生產(chǎn)成本;同時(shí)，由于金屬網(wǎng)格的存在，也影響了外觀。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是現(xiàn)有OLED照明器件發(fā)光不均勻的問(wèn)題，從而提供一種亮度均勻的發(fā)光顯示屏體，通過(guò)在絕緣膜層(106)設(shè)置有凹陷部，所述凹陷部?jī)?nèi)設(shè)置有輔助引線從而提升有OLED照明器件的發(fā)光均勻性。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0007]—種亮度均勻的發(fā)光顯示屏體，包括導(dǎo)電基板，導(dǎo)電基板上劃分有顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域上設(shè)置有OLED器件，所述非顯示區(qū)域設(shè)置有防止所述OLED器件短路的絕緣膜層，所述絕緣膜層中設(shè)置有凹陷部，所述凹陷部?jī)?nèi)設(shè)置有與所述導(dǎo)電基板電性連接的輔助電極引線。
[0008]所述導(dǎo)電基板包括基板和設(shè)置在所述基板上的第一電極層，所述凹陷部在垂直于導(dǎo)電基板的方向貫穿所述絕緣膜層使所述第一電極層裸露，所述輔助電極引線與所述第一電極層接觸設(shè)置。
[0009]所述顯示區(qū)域的至少一側(cè)的絕緣膜層中設(shè)置有所述凹陷部。所述凹陷部寬度為50um-5cm。凹陷部的橫截面為規(guī)則圖形或不規(guī)則圖形。
[0010]所述凹陷部的橫截面為長(zhǎng)方形、曲線和/或直線圍成的封閉圖形中的一種或其中幾種的組合。
[00?1 ]所述絕緣膜層的高度為I um-3um，所述輔助電極引線的高度為150nm-lum。
[0012]所述的輔助電極引線的上方設(shè)置有絕緣膜層。
[0013]所述OLED器件包括堆疊設(shè)置的有機(jī)發(fā)光層和第二電極層。
[0014]一種發(fā)光均勻的照明屏體制備方法，其特征在于，包括下述步驟:
[0015]S1、在基板上沉積第一電極層構(gòu)成導(dǎo)電基板，所述導(dǎo)電基板上的發(fā)光區(qū)域蒸鍍有機(jī)發(fā)光層和第二電極層，在非顯示區(qū)域制作絕緣膜層并刻蝕絕緣膜層形成凹陷部，所述凹陷部在垂直于導(dǎo)電基板的方向貫穿所述絕緣膜層使所述第一電極層裸露；
[0016]S2、所述凹陷部?jī)?nèi)蒸鍍金屬材料形成輔助電極引線;或，
[0017]采用濕法工藝向所述凹陷部噴涂液體狀金屬材料，經(jīng)固化形成輔助電極引線；
[0018]S3、封裝。
[0019]優(yōu)選地，所述的步驟2中還包括在輔助電極引線上方形成絕緣膜層。
[0020]所述步驟S2中的金屬材料為招Al和/或銀Ag;所述的液體狀金屬材料是由Ag納米粒子、Ag納米線、碳納米管、石墨微粒、半導(dǎo)體納米線中的一種或多種形成的溶液、液態(tài)金屬或液態(tài)合金。
[0021 ]本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0022]本發(fā)明的亮度均勻的發(fā)光顯示屏體，通過(guò)在絕緣膜層中設(shè)置有凹陷部，所述凹陷部穿所述絕緣膜層使所述第一電極層裸露，并設(shè)置在離電源電極較遠(yuǎn)的位置，所述凹陷部(107)內(nèi)設(shè)置與所述第一電極層接觸輔助電極引線。
[0023]輔助電極引線可以有效解決第一電極層產(chǎn)生的壓降問(wèn)題，可以為顯示屏體提供補(bǔ)償電流，增加了屏體中離電源電極較遠(yuǎn)位置處的電荷量，增大了電子和空穴復(fù)合機(jī)率，因此提高了遠(yuǎn)離所述電源電極的屏體亮度，從而使屏體的發(fā)光平面亮度更為均勻。
【附圖說(shuō)明】
[0024]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，其中，
[0025]圖1OLED屏體產(chǎn)生壓降的示意圖；
[0026]圖2為本發(fā)明亮度均勻的發(fā)光顯示屏體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖3為本發(fā)明亮度均勻的發(fā)光顯示屏體的俯視圖；
[0028]圖4為圖3的A-A’向剖視圖；
[0029]圖中附圖標(biāo)記表示為:
[0030]101-基板，102-第一電極層，103-有機(jī)功能層，104-發(fā)光層，105-第二電極層，106-絕緣膜層，107-凹陷部，108-封裝蓋板。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0032]本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例，使得本公開(kāi)將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求來(lái)限定。在附圖中，為了清晰起見(jiàn)，會(huì)夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件例如層、區(qū)域或基板被稱作“形成在”或“設(shè)置在”另一元件“上”時(shí)，該元件可以直接設(shè)置在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接形成在”或“直接設(shè)置在”另一元件上時(shí)，不存在中間元件。
[0033]如圖2和圖3所示，本發(fā)明的一種亮度均勻的發(fā)光顯示屏體，包括導(dǎo)電基板和封裝蓋板108，導(dǎo)電基板上劃分有像素顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述導(dǎo)電基板和封裝蓋板108形成的密閉區(qū)域?yàn)橄袼仫@示區(qū)域，所述顯示區(qū)域上設(shè)置有OLED器件，所述非顯示區(qū)域設(shè)置有防止所述OLED器件短路的絕緣膜層106，所述絕緣膜層106中設(shè)置有凹陷部107，所述凹陷部107內(nèi)設(shè)置有與所述導(dǎo)電基板電性連接的輔助電極引線。本發(fā)明的絕緣膜層由高分子聚合物形成，如聚酰亞胺、聚丙烯酸樹(shù)脂類高分子材料。
[0034]具體地，如圖4所示，所述導(dǎo)電基板包