專利名稱：：液體排出頭用基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種液體排出頭基板(液體排出頭用基板)的制造方法，具體地，涉及一種用于將墨排出到記錄介質(zhì)上以進(jìn)行記錄的噴墨記錄頭的噴墨記錄頭用基板的制造方法。
背景技術(shù)：
：液體排出頭的一個(gè)應(yīng)用示例是由能量將墨以液滴的形式排出到記錄介質(zhì)(典型地，紙)上以進(jìn)行記錄的噴墨記錄頭。對(duì)于噴墨記錄頭，已知如下技術(shù)經(jīng)由從基板的背面貫通至基板的表面的供給口從基板的背面向被安裝于基板的表面的能量產(chǎn)生元件供給墨。在美國(guó)專利申請(qǐng)No.2007/0212890中公開了這種類型的噴墨記錄頭用基板的制造方法。在美國(guó)專利申請(qǐng)No.2007/0212890所說明的制造方法中，在硅基板的背面的蝕刻掩模層中形成開口，通過干法蝕刻、激光等在暴露于開口的硅中形成凹部，并且從該凹部對(duì)硅基板進(jìn)行濕法蝕刻，以形成貫通基板的供給口。然而，在美國(guó)專利申請(qǐng)No.2007/0212890所說明的方法中，在基板的背面的與供給口相對(duì)應(yīng)的整個(gè)區(qū)域中形成開口，這需要對(duì)蝕刻掩模層進(jìn)行圖案化。光刻處理(photolithographyprocess)對(duì)于該操作是必須的。
發(fā)明內(nèi)容考慮到上述問題，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)提供一種液體排出頭用基板的制造方法，根據(jù)該制造方法，能夠在較短的時(shí)間內(nèi)簡(jiǎn)單地形成墨供給口。本發(fā)明提供一種液體排出頭用基板的制造方法，該基板是具有第一面和第二面的硅基板，該制造方法提供如下步驟在硅基板的第二面上提供如下的層當(dāng)暴露于硅的蝕刻劑時(shí)，該層具有比硅的蝕刻速率低的蝕刻速率；部分地去除上述層，以使硅基板的第二面的一部分露出，其中，露出部分包圍上述層的至少一部分；以及使用硅的蝕刻劑對(duì)上述層和硅基板的第二面的所述露出部進(jìn)行濕法蝕刻，以形成從硅基板的第二面延伸到第一面的液體供給口。根據(jù)本發(fā)明，能夠在較短的時(shí)間內(nèi)形成墨供給口。通過以下參考附圖對(duì)典型實(shí)施方式的說明，本發(fā)明的其它特征將變得明顯。圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施方式的噴墨記錄頭的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖2A和圖2B是用于說明根據(jù)第一實(shí)施方式的噴墨記錄頭的制造方法的圖。圖3A和圖3B是用于說明根據(jù)第一實(shí)施方式的噴墨記錄頭的制造方法的圖。圖4A和圖4B是示出根據(jù)第一實(shí)施方式的噴墨記錄頭的制造方法中的制造過程中的狀態(tài)的圖。圖5A和圖5B是用于說明根據(jù)第一實(shí)施方式的噴墨記錄頭的制造方法中的制造過程中的狀態(tài)的圖。圖6A、圖6B、圖6C、圖6D、圖6E和圖6F是用于說明根據(jù)第一實(shí)施方式的噴墨記錄頭的制造方法中的制造過程中的狀態(tài)的圖。圖7A和圖7B是示出根據(jù)第二實(shí)施方式的噴墨記錄頭的制造方法中的制造過程中的狀態(tài)的圖。圖8A、圖8B、圖8C、圖8D和圖8E是示出根據(jù)第二實(shí)施方式的噴墨記錄頭的制造方法中的制造過程中的狀態(tài)的圖。具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將根據(jù)附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。下面參考本發(fā)明的實(shí)施方式。在下面的說明中，噴墨記錄頭被用作液體排出頭的示例，并且噴墨記錄頭基板被用作液體排出頭基板的示例。然而，本發(fā)明不限于此。液體排出頭不僅可適用于打印領(lǐng)域，也可適用于諸如電路形成等各種工業(yè)領(lǐng)域，并且液體排出頭基板可被用作安裝于該液體排出頭的基板。在下面的說明中，在附圖中可以用相同的數(shù)字指示相對(duì)應(yīng)的特征，并且省略對(duì)它們的說明。第一實(shí)施方式圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的噴墨記錄頭的立體圖。圖1所示的噴墨記錄頭10包括硅基板1，在該硅基板1上，以預(yù)定節(jié)距將用于產(chǎn)生排出諸如墨等液體用的能量的能量產(chǎn)生元件2配置成兩列。在硅基板1上形成作為粘合層的聚醚酰胺層(未示出)。此外，在硅基板1上形成包括流路側(cè)壁和位于能量產(chǎn)生元件2上方的墨排出口11的有機(jī)膜層6。另外，墨供給口13在能量產(chǎn)生元件2的列之間形成于硅基板1中。此外，形成從墨供給口13連通到各墨排出口11的墨流路。以形成有墨排出口11的表面面對(duì)記錄介質(zhì)的記錄面的方式來定位噴墨記錄頭10。當(dāng)能量產(chǎn)生元件2對(duì)從墨供給口13填充在墨流路中的墨(液體)施加壓力時(shí)，墨滴從墨排出口11排出。這些墨滴沉積在記錄介質(zhì)上，結(jié)果，形成圖像。注意，術(shù)語“形成圖像”不僅包括形成諸如文字、圖形和符號(hào)等具有意義的圖像的情況，而且還包括形成諸如幾何圖案等沒有特定意義的圖像的情況。在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的制造方法中，通過激光、干法蝕刻等處理蝕刻掩模層，從而產(chǎn)生用于形成墨供給口的開口的框圖案，然后，進(jìn)行晶體各向異性蝕刻。圖3A和圖3B是沿圖1中的剖面線2A-2A截取的用于說明噴墨記錄頭10的制造方法的剖視圖。圖2A是沿圖1中的剖面線2A-2A截取的剖視圖，圖2B是硅基板1的背面(第二面)的俯視圖。注意，圖2A示出了形成墨供給口13之前的狀態(tài)。圖4A是沿圖1中的剖面線2A-2A截取的剖視圖，圖4B是硅基板1的背面(第二面)的俯視圖。圖2A、圖2B、圖4A和圖4B示出了形成墨供給口13之前的狀態(tài)。如圖3A所示，制備硅基板1，該硅基板1具有作為設(shè)置有墨排出口11的排出口構(gòu)件的有機(jī)膜層6。在硅基板1的表面上，能量產(chǎn)生元件2沿硅基板1的縱向被配置成兩列。能量產(chǎn)生元件2是由Al等制成的配線、諸如TaSiN或TaN等高阻抗材料等組成的。此外，用于規(guī)定表面?zhèn)鹊哪┙o口13的開口寬度的犧牲層(sacrificiallayer)5可以被形成在硅基板1的表面上。因?yàn)槟軌蛟谂渚€的同時(shí)形成犧牲層5，因此，使用Al作為犧牲層5的材料是有效的。在形成犧牲層5之后，以覆蓋能量產(chǎn)生元件2和犧牲層5的方式形成絕緣保護(hù)膜3。絕緣保護(hù)膜3由SiO、SiN等制成。絕緣保護(hù)膜3保護(hù)形成于硅基板1的配線免受墨和其它液體的侵?jǐn)_，并且絕緣保護(hù)膜3還用作形成墨供給口13時(shí)的蝕刻停止層。利用光刻處理將粘合層(未示出)和有機(jī)膜層6設(shè)置在絕緣保護(hù)膜3上，由此形成墨流路和墨排出口11。硅基板1在其背面還具有蝕刻掩模層4。硅的蝕刻劑對(duì)蝕刻掩模層4的蝕刻速率比該蝕刻劑對(duì)硅的蝕刻速率低。蝕刻掩模層4能夠充分地抵抗硅的蝕刻劑，并且在硅基板1的背面上形成至少一層蝕刻掩模層4。例如，諸如SiO等絕緣膜、諸如Mo、Au、TiN或Ti等金屬膜、無機(jī)膜和有機(jī)膜等被形成為蝕刻掩模層4。因?yàn)榭梢栽诒砻嫔闲纬山^緣保護(hù)膜3的同時(shí)形成SiO的熱氧化膜，所以使用SiO的熱氧化膜能夠縮短制造時(shí)間。在形成掩模層4的操作中，在硅基板1的背面存在灰塵等的情況下，該灰塵可能引起掩模層4的小缺陷?？紤]到該問題，即使在存在小孔(pinhole)(未示出)時(shí)，也可以形成能夠覆蓋該小孔的保護(hù)膜16。在形成保護(hù)膜16時(shí)，可以從諸如有機(jī)膜和無機(jī)膜等膜中選擇。然而，在Si的附著性方面，諸如Si0、Si02、SiN或SiC等硅基膜是合適的。形成方法可以是諸如旋轉(zhuǎn)涂布或?yàn)R射等眾所周知的方法。在該實(shí)施方式中，作為可適用于本發(fā)明的TMAH(四甲基氫氧化氨)蝕刻劑的保護(hù)膜16，通過使用聚硅氨烷燒制(firing)而在蝕刻掩模層4上形成SiO2膜。如式1所示，聚硅氨烷通過與空氣中的水發(fā)生反應(yīng)而形成SiO2膜。-(SiH2NH)-+2H20—Si02+NH3+2H2(式1)當(dāng)燒制溫度更高時(shí)，耐蝕刻性增加?？紤]到蝕刻時(shí)間，燒制溫度在250°以上是合適的。作為可選方案，如圖3B所示，可以采用不設(shè)置保護(hù)膜16的結(jié)構(gòu)。接著，通過利用激光去除保護(hù)層16和蝕刻掩模層4，在蝕刻掩模層4的與墨供給口13相對(duì)應(yīng)的部分形成如圖2B所示的具有矩形框形狀的槽7。一個(gè)該框與一個(gè)供給口13相對(duì)應(yīng)。由于去除了保護(hù)層16和蝕刻掩模層4而以框形狀露出的硅在該框內(nèi)側(cè)包圍保護(hù)層16和蝕刻掩模層4。在該實(shí)施方式中，從保護(hù)膜16的上方進(jìn)行激光加工。在激光加工操作中，硅具有優(yōu)異的吸收率的YAG激光器的三次諧波(355nm的波長(zhǎng))被用作激光源，并且在大約4.5W的輸出和大約30KHz的頻率的條件下形成槽7。以貫通蝕刻掩模層4的方式形成框形狀的槽7，并且槽7具有距離硅基板1的背面大約10μm的深度。另一方面，在如圖3B所示沒有設(shè)置保護(hù)膜16的情況下，如圖4A所示，槽7以僅貫通掩模層4的方式被設(shè)置在硅基板1中。圖2A和圖4A所示的各尺寸被限定如下。t表示蝕刻掩模層4的厚度，T表示硅基板1的厚度。X表示從硅基板1的縱向中心線14到槽7的中心(不是框自身的中心)的橫向距離。L表示犧牲層5的寬度，即硅基板1的表面上的墨供給口13的開口的在硅基板1的橫向上的寬度。D表示槽7朝向基板的深度。硅基板1的厚度T是大約600μm至750μm,并且槽7的深度是大約5μm至20μm。代替在硅基板1中形成槽7，可以僅通過用激光以框形狀去除掩模層4而露出硅。只要露出硅，就能夠利用硅蝕刻劑從背面向表面進(jìn)行蝕刻。圖5A和圖5B是示出槽7的另一種圖案的圖。圖5A是沿圖1中的剖面線2A-2A截取的剖視圖，圖5B是覆蓋有蝕刻掩模層4的硅基板1的背面的俯視圖。槽7可以不形成為如圖2B所示的框形狀，而是可以形成為如圖5B所示的格子(或梯子)形狀。槽7的對(duì)邊部(opposingsideportion)7d位于最外側(cè)框部7a(其形成矩形)的內(nèi)側(cè)，由此形成格子形狀。在最外側(cè)框部7a中，與沿基板1的縱向延伸的長(zhǎng)邊部7b(長(zhǎng)度由R表示)連接的短邊部7c(長(zhǎng)度由Q表示)與對(duì)邊部7d大致平行，并且對(duì)邊部7d與短邊部7c—樣也與長(zhǎng)邊部7b連接。在槽7形成為格子形狀的情況下，激光加工時(shí)間和后述的蝕刻操作中的蝕刻速率根據(jù)圖5B所示的槽7的沿硅基板1的縱向的節(jié)距P而改變(根據(jù)槽的橫向部之間的距離而改變)。在本實(shí)施方式的制造方法中，在采用圖5A和圖5B所示的槽7的形狀的情況下，表1示出了蝕刻速率和激光加工時(shí)間與槽7的沿硅基板1的縱向的節(jié)距P的關(guān)系。這里，R=15200μm，Q=700μm。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>在表l中，用A表示當(dāng)在后述的蝕刻操作中能夠在10小時(shí)內(nèi)形成作為硅的表面取向(surfaceorientation)中的一個(gè)的{100}面時(shí)的蝕刻速率。用B表示雖然在蝕刻操作中不能在10小時(shí)內(nèi)形成{100}面但是當(dāng)蝕刻進(jìn)行到犧牲層5時(shí)能夠形成{100}面時(shí)的蝕刻速率。同時(shí)，用A表示當(dāng)形成槽7所需的時(shí)間不比形成圖2B所示的框形狀的槽7的時(shí)間的兩倍長(zhǎng)(形成槽7所需的時(shí)間小于或等于形成圖2B所示的框形狀的槽7的時(shí)間的兩倍)時(shí)的激光加工時(shí)間，用B表示當(dāng)形成槽7所需的時(shí)間比形成框形狀的槽7的時(shí)間兩倍的長(zhǎng)時(shí)的激光加工時(shí)間。如表1所示，節(jié)距P越小，激光加工時(shí)間越長(zhǎng)但是蝕刻時(shí)間越短。因此，對(duì)于與傳統(tǒng)的蝕刻速率的水平相同的蝕刻速率而言，節(jié)距P可以被設(shè)定為不超過800μm。此夕卜，當(dāng)考慮到激光加工時(shí)間時(shí)，節(jié)距P優(yōu)選被設(shè)定為600μm至800μm。在槽7形成為格子形狀的情況下，槽7不限于如圖5B所示的在硅基板1的縱向上被隔開的形狀，也可以具有在橫向上被隔開的形狀。此外，在激光加工操作中，槽7的深度D優(yōu)選地滿足下面的關(guān)系式(1)(參見圖2A)。t彡D彡T-(X_L/2)tan54.7°(1)在上述關(guān)系式(1)中，t表示蝕刻掩模層4的厚度，并且T表示硅基板1的厚度。X表示從硅基板1的縱向中心線14到沿中心線14形成的槽7的中心的距離。L表示犧牲層5的在硅基板1的橫向上的寬度。當(dāng)滿足上述關(guān)系式時(shí)，蝕刻區(qū)域被包含于犧牲層5的區(qū)域內(nèi)，使得硅基板1的表面上的墨供給口13的開口的開口寬度能夠被設(shè)定為犧牲層5的寬度L。存在犧牲層5的寬度L足夠大并且(X-L/2)變成負(fù)值的情況。在該情況下，無論T和t的值為多少，蝕刻區(qū)域都到達(dá)犧牲層5。這里，即使在該情況下，也滿足關(guān)系式(1)。在激光加工操作結(jié)束之后，進(jìn)行如下的蝕刻操作通過晶體各向異性蝕刻從槽7至犧牲層5貫通硅基板1來形成墨供給口13。在該蝕刻操作中，TMAH(四甲基氫氧化氨)被用作蝕刻劑。以下參考圖6A至圖6F說明蝕刻操作中的硅基板1的內(nèi)部狀態(tài)。圖6A至圖6F是示出第一實(shí)施方式的蝕刻操作中的硅基板1的內(nèi)部狀態(tài)的圖。首先，以在從硅基板1的背面朝向表面的方向上的寬度減小的方式形成作為硅的表面取向中的一個(gè)的{111}面21a、21b、21c和21d。虛線區(qū)域表示槽7的原始位置。此時(shí)，蝕刻掩模層4在與硅基板1的厚度方向垂直的方向上被蝕刻(參見圖6A)。當(dāng)從圖6A所示的狀態(tài)進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻時(shí)，{111}面21a和21b在它們的頂部彼此相交并且{111}面21c和21d在它們的頂部彼此相交，并且在硅基板1的厚度方向上不再進(jìn)行蝕刻。然而，因?yàn)樵谖g刻掩模層4中在與硅基板1的厚度方向垂直的方向上進(jìn)行蝕刻，所以從被蝕刻部分進(jìn)行新的晶體各向異性蝕刻。據(jù)此，在硅基板1的厚度方向以及與厚度方向垂直的方向上進(jìn)行蝕刻(參見圖6B)。當(dāng)從圖6B所示的狀態(tài)進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻時(shí)，殘留在槽7之間的蝕刻掩模層4被蝕刻，并且在槽7之間形成{100}面22(參見圖6C)。當(dāng)從圖6C所示的狀態(tài)進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻時(shí)，{100}面22向硅基板1的表面移動(dòng)(參見圖6D)，并且最終到達(dá)犧牲層5。在該實(shí)施方式中，在1450分鐘的蝕刻時(shí)間內(nèi)形成墨供給口13。通過控制聚硅氨烷的保護(hù)膜16的厚度和TMAH對(duì)保護(hù)膜16的蝕刻速率，由TMAH完全去除聚硅氨烷的保護(hù)膜16的時(shí)間能夠與硅基板1的蝕刻時(shí)間匹配。因此，能夠得到在硅基板1中形成貫通口的時(shí)點(diǎn)去除保護(hù)膜16的狀態(tài)(圖6E)。去除犧牲層5，由此完成蝕刻操作。即使在小孔存在于蝕刻掩模層4的情況下，如果蝕刻時(shí)間短，小孔的影響也不明顯。因此，即使在去除聚硅氨烷的保護(hù)膜16之后，也能夠繼續(xù)蝕刻。這里，沒有必要去除聚硅氨烷的保護(hù)膜16?？梢钥紤]例如保護(hù)膜16和在組裝噴墨記錄頭的過程中將硅基板1的背面?zhèn)冉雍系接糜谥喂杌?的氧化鋁等的支撐構(gòu)件時(shí)被涂布到硅基板1的背面?zhèn)鹊恼澈蟿┲g的兼容性來選擇是否去除保護(hù)膜16。最后，如圖6F所示，通過干法蝕刻去除絕緣保護(hù)膜3的覆蓋墨供給口13的開口的部分，因此，形成與供給口13連通的墨流路100。作為上述操作的結(jié)果，完成了形成有噴嘴部的硅基板1(噴墨記錄頭基板)，其中，該噴嘴部用于從墨排出口11排出從墨供給口13流入的墨。由劃片機(jī)(dicingsaw)等將該硅基板1切成晶片(chip)。在各晶片上布置用于驅(qū)動(dòng)能量產(chǎn)生元件2的電線之后，連接用于墨供給的晶片容器(chiptank)構(gòu)件。由此完成噴墨記錄頭10。根據(jù)該實(shí)施方式，通過利用激光形成槽7，與利用光刻處理進(jìn)行蝕刻掩模層4的圖案化操作的傳統(tǒng)方法相比，能夠?qū)崿F(xiàn)每批(或每宗)的時(shí)間減少240分鐘的效果。第二實(shí)施方式圖7A和圖7B是用于說明該實(shí)施方式中的噴墨記錄頭的制造方法的圖。圖7A是沿與圖1中的剖面線2A-2A對(duì)應(yīng)的剖面線截取的該實(shí)施方式中的噴墨記錄頭12的剖視圖。圖7B是噴墨記錄頭12中的硅基板1的背面的俯視圖。注意，用相同的數(shù)字表示與第一實(shí)施方式中說明的噴墨記錄頭10的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，并且省略對(duì)這些結(jié)構(gòu)的詳細(xì)說明。此外，在硅基板1的表面結(jié)構(gòu)和上述層處理方面，噴墨記錄頭12與噴墨記錄頭10相同，因此也將省略對(duì)它們的說明。在噴墨記錄頭12中，首先，在激光加工操作中形成格子形狀的槽7。這與第一實(shí)施方式中說明的相同。也就是，在槽7中，對(duì)邊部7d位于最外側(cè)框部7a的內(nèi)側(cè)，由此形成格子形狀。在最外側(cè)框部7a中，與在基板1的縱向延伸的長(zhǎng)邊部7b(長(zhǎng)度由R表示)連接的短邊部7c(長(zhǎng)度由Q表示)與對(duì)邊部7d大致平行，并且對(duì)邊部7d與短邊部7c—樣也與長(zhǎng)邊部7b連接。此后，在由槽7的最外側(cè)框部7a包圍的區(qū)域內(nèi)形成如圖7A所示的深凹部一樣的引導(dǎo)孔8。引導(dǎo)孔8不是通孔，其貫通蝕刻掩模層4和保護(hù)膜16，但是結(jié)束于硅基板1的內(nèi)部。在該實(shí)施方式中，對(duì)邊部7d的一部分是引導(dǎo)孔8。此外，如圖7B所示，引導(dǎo)孔8在硅基板1的縱向上被配置成兩列。注意，只要引導(dǎo)孔8被形成于墨供給口13的開口(硅基板1的背面?zhèn)鹊拈_口)內(nèi)，引導(dǎo)孔8的配置和引導(dǎo)孔8的數(shù)量就不受限制。然而，當(dāng)如圖所示以與槽7重疊的方式配置(在槽中形成)引導(dǎo)孔8時(shí)，在蝕刻操作中，蝕刻劑能夠容易地進(jìn)入引導(dǎo)孔8，這有助于更快的各向異性蝕刻。在該情況下，槽7的設(shè)置有引導(dǎo)孔8的部分比槽7的位于引導(dǎo)孔8周圍的部分向硅基板1的背面凹陷地深。當(dāng)硅基板1的厚度是大約700μm至750μm時(shí)，槽7的最外側(cè)框部的深度D是5μm至20μm。以如下方式形成槽7向基板1背面?zhèn)?蝕刻掩模層4)的一個(gè)部位照射一個(gè)或多個(gè)激光脈沖；然后以同樣的方式向作為中心的位置照射激光，該作為中心的位置從前一脈沖或前面的脈沖的中心偏離大致激光斑直徑的一半。重復(fù)這種處理，從而連續(xù)地排列具有不同中心位置的孔，以形成槽7。引導(dǎo)孔8的深度DS是350μm至650μm,數(shù)量比形成槽7的過程中的數(shù)量多的激光脈沖被發(fā)射到基板1的一個(gè)部位，使得在槽7中形成作為深凹部的引導(dǎo)孔8。在該實(shí)施方式中，如圖7B所示，槽7具有與引導(dǎo)孔8重疊的部分，并且槽7在硅基板1的縱向上以800μm的節(jié)距形成為格子形狀。這里，如第一實(shí)施方式所述的那樣(參見表1)，考慮到蝕刻速率和激光加工時(shí)間將節(jié)距設(shè)定成800μm。在激光加工操作結(jié)束之后，如在第一實(shí)施方式中那樣進(jìn)行蝕刻操作。在蝕刻操作中，如在第一實(shí)施方式中那樣，TMAH被用作蝕刻劑，并且從保護(hù)膜16(當(dāng)存在時(shí))至犧牲層5形成墨供給口13。下面參考圖8A至圖8E說明本實(shí)施方式的蝕刻操作中的硅基板1的內(nèi)部狀態(tài)。圖8A至圖8E是示出第二實(shí)施方式的蝕刻操作中的硅基板1的內(nèi)部狀態(tài)的圖。首先，以在從硅基板1的背面朝向表面的方向上的寬度減小的方式形成{111}面31a、31b、31c和31d。同時(shí)，在與硅基板1的厚度方向垂直的方向上從引導(dǎo)孔8和槽7進(jìn)行蝕刻。此外，在硅基板1的背面?zhèn)鹊哪┙o口13的開口中，以在硅基板1的背面朝向表面的方向上的寬度增加的方式形成{111}面32a和32b(參見圖8A)。當(dāng)從圖8A所示的狀態(tài)進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻時(shí)，{111}面31b和31c彼此接觸，從由該接觸形成的頂部在朝向硅基板1的表面的方向上進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻。另外，{111}面31a和32a彼此相交，并且{111}面31d和32b彼此相交，并且在與硅基板1的厚度方向垂直的方向上不再進(jìn)行蝕刻(參見圖8B)。當(dāng)從圖8B所示的狀態(tài)進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻時(shí)，在被配置成兩列的引導(dǎo)孔8之間形成{100}面33(參見圖8C)。隨著蝕刻的進(jìn)行，該{100}面33朝向硅基板1的表面移動(dòng)，并且最終到達(dá)犧牲層5。此后，去除犧牲層5，由此完成蝕刻操作(參見圖8D)。最后，如圖8E所示，通過干法蝕刻去除絕緣保護(hù)膜3的覆蓋硅基板1的表面?zhèn)鹊哪┙o口13的開口的部分。因此，墨流路100與供給口13連通。隨后，可以去除蝕刻掩模層4。作為上述操作的結(jié)果，完成形成有噴嘴部的硅基板1(噴墨記錄頭基板)。此后，執(zhí)行與第一實(shí)施方式相同的處理，以完成噴墨記錄頭12。根據(jù)該實(shí)施方式，通過利用激光與槽7—起形成引導(dǎo)孔8，與利用光刻處理進(jìn)行蝕刻掩模層4的圖案化操作的傳統(tǒng)方法相比，能夠?qū)崿F(xiàn)時(shí)間的顯著減少。第一和第二實(shí)施方式說明了在硅基板1的表面形成用作墨流路的構(gòu)件之后(在硅基板上形成有機(jī)膜層6之后)形成槽7和引導(dǎo)孔8的情況。然而，本發(fā)明不限于該順序，可以在制備形成有槽7、引導(dǎo)孔8和蝕刻掩模層4的硅基板1之后在硅基板1的表面形成用作墨流路的構(gòu)件。雖然已經(jīng)參考典型實(shí)施方式說明了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所公開的典型實(shí)施方式。所附的權(quán)利要求書的范圍符合最寬泛的解釋，以包含所有這些變型、等同結(jié)構(gòu)和功能。權(quán)利要求一種液體排出頭用基板的制造方法，所述基板是具有第一面和與所述第一面相反的第二面的硅基板，所述制造方法包括如下步驟在所述硅基板的所述第二面上提供如下的層當(dāng)暴露于硅的蝕刻劑時(shí)，所述層具有比硅的蝕刻速率低的蝕刻速率；部分地去除所述層，以使所述硅基板的所述第二面的一部分露出，其中，露出部分包圍所述層的至少一部分；以及使用所述硅的蝕刻劑對(duì)所述層和所述硅基板的所述第二面的所述露出部分進(jìn)行濕法蝕刻，以形成從所述硅基板的所述第二面延伸到所述第一面的液體供給口(13)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，通過用激光照射所述層而部分地去除所述層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述露出部分以槽的形式延伸到所述硅基板內(nèi)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述層(4)基本上由氮化硅或氧化硅構(gòu)成。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，通過熱氧化所述硅基板以使所述硅基板氧化來形成所述層。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，四甲基氫氧化氨的水溶液被用作所述硅的蝕刻劑。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述槽包括至少一個(gè)較深部(8)，該至少一個(gè)較深部(8)比所述槽的位于該較深部(8)周圍的部分更深地延伸到所述硅基板內(nèi)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述至少一個(gè)較深部位于與一個(gè)液體供給口相對(duì)應(yīng)的所述槽的最外側(cè)周圍部分的內(nèi)側(cè)。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述露出部分包括框形狀。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述框形狀是矩形框形狀。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述露出部分由框形狀構(gòu)成。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述露出部分包括最外側(cè)框形狀和延伸橫跨所述框的至少一個(gè)內(nèi)部部分。全文摘要一種液體排出頭用基板的制造方法，該基板是具有第一面和與第一面相反的第二面的硅基板，該制造方法包括如下步驟在硅基板的第二面上提供如下的層當(dāng)暴露于硅的蝕刻劑時(shí)，該層具有比硅的蝕刻速率低的蝕刻速率；部分地去除該層，以使硅基板的第二面的一部分露出，其中，露出部分包圍該層的至少一部分；以及使用硅的蝕刻劑對(duì)該層和硅基板的第二面的所述露出部分進(jìn)行濕法蝕刻，以形成從硅基板的第二面延伸到第一面的液體供給口。文檔編號(hào)B41J2/16GK101817257SQ201010122999公開日2010年9月1日申請(qǐng)日期2010年2月25日優(yōu)先權(quán)日2009年2月26日發(fā)明者小山修司,松本圭司,渡邊啟治,阿保弘幸申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社