.8mm。
[0050]進(jìn)一步，本申請(qǐng)實(shí)施例中，導(dǎo)電走線按照預(yù)定排布規(guī)則排布為網(wǎng)格。在第一區(qū)域上采用正常網(wǎng)格走線，而在第二區(qū)域上，采用細(xì)分網(wǎng)格走線，通過(guò)細(xì)化第二區(qū)域上的導(dǎo)電走線，可以將原來(lái)的一個(gè)網(wǎng)格劃分為多個(gè)小網(wǎng)格，進(jìn)而可以提高第二區(qū)域的電容檢測(cè)能力。
[0051]具體來(lái)講，電容的計(jì)算公式C = x*xQ*S/d，其中，X為相對(duì)介電常數(shù)；x。為真空介電常數(shù)，X。= 8.86*10 12F/m。本申請(qǐng)實(shí)施例中，取玻璃的相對(duì)介電常數(shù)為8，不妨假設(shè)S為5mm*5mm, d為0.8mm, S為面積，d為兩層ITO層之間的距離，經(jīng)計(jì)算，C = 2.2pf，也就是說(shuō)，ITO導(dǎo)電層本身的電容為2pf。當(dāng)用戶的手觸摸ITO層時(shí)，電容減少，量級(jí)為Ipf。
[0052]而由于電子設(shè)備中存在一些器件，如果這些器件的金屬外殼距離電容屏較近，就會(huì)減小ITO導(dǎo)電層自身的電容電量。這種情況，類似于手指接近電容屏導(dǎo)致的電容的減小的情況，進(jìn)而導(dǎo)致系統(tǒng)無(wú)法區(qū)分是手指觸摸電容屏，還是器件對(duì)電容造成的影響，也就是說(shuō)，這些器件的存在削弱了電容屏對(duì)手指操作的判斷能力。
[0053]例如:設(shè)置在電子設(shè)備中的馬達(dá)，其表面為金屬材質(zhì)，由于馬達(dá)表面與ITO層之間形成電容，同原有的兩層ITO層之間的電容并聯(lián)，減少了 ITO層的電容。本申請(qǐng)實(shí)施例中，不妨假設(shè)ITO層與馬達(dá)表面之間的距離為1.5mm，則馬達(dá)表面與ITO層形成的電容為lpf，原有的兩層ITO層之間的電容為2pf，兩個(gè)電容并聯(lián)，將原來(lái)的2pf減少為lpf。這樣，手指和馬達(dá)對(duì)ITO層的電容的影響基本相同，進(jìn)而在電容發(fā)生變化時(shí)，系統(tǒng)不能區(qū)分是手指觸摸電容屏，還是馬達(dá)對(duì)電容造成的影響，也就不能判斷出用戶是否正在觸摸電容屏。
[0054]本申請(qǐng)實(shí)施例中，在電容屏的電容減少的部分，細(xì)分ITO走線，假設(shè)通過(guò)細(xì)分ITO走線將原來(lái)的網(wǎng)格劃分為4個(gè)小網(wǎng)格，這樣ITO層本身電容為0.5pf，由于馬達(dá)的影響，ITO層的電容減少0.2pf，而用戶在觸摸電容屏?xí)r，從手指從開始接觸電容屏，直到完全接觸電容屏的過(guò)程中，接觸到的網(wǎng)格數(shù)量是變化的，也就是說(shuō)，手指對(duì)4個(gè)小網(wǎng)格的電容的影響是逐步完成的，即，手指開始接觸到電容屏?xí)r，其中一個(gè)網(wǎng)格的電容發(fā)生變化，其他網(wǎng)格的電容不變，然后，有兩個(gè)網(wǎng)格的電容發(fā)生變化，另外兩個(gè)網(wǎng)格的電容未發(fā)生變化，依次類推，這樣系統(tǒng)就能判斷手指是否正在觸摸電容屏。當(dāng)然，在具體實(shí)施過(guò)程中，還可以對(duì)原來(lái)的網(wǎng)格進(jìn)行更加精細(xì)的劃分，例如:將原來(lái)的一個(gè)網(wǎng)格劃分為6個(gè)網(wǎng)格或者8個(gè)網(wǎng)格，本申請(qǐng)對(duì)此不做限制。
[0055]本申請(qǐng)實(shí)施例的方案中，通過(guò)在離金屬器件距離較近的區(qū)域上排布更加密集的導(dǎo)電走線，以減少導(dǎo)電走線之間的間距，從而提高電容屏的檢測(cè)能力，進(jìn)而解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的電子設(shè)備中的一些金屬裝置會(huì)削弱電容屏檢測(cè)能力的技術(shù)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了提高電容屏的檢測(cè)能力的技術(shù)效果。
[0056]進(jìn)一步，本申請(qǐng)實(shí)施例中，由于細(xì)分走線部分，導(dǎo)電走線的數(shù)量增多，會(huì)影響掃描速度，也就增加了電容屏響應(yīng)時(shí)間，為保持同樣的響應(yīng)時(shí)間，需要增加控制芯片對(duì)導(dǎo)電走線進(jìn)行掃描的掃描頻率和檢測(cè)到的電容的精度。
[0057]具體來(lái)講，控制芯片的掃描頻率可以為30MHz至50MHz之間的任一值，較佳的，控制芯片的掃描頻率可以為50MHz，以減小電容屏的響應(yīng)時(shí)間，提升電容屏的響應(yīng)速度。
[0058]本申請(qǐng)實(shí)施例中，由于金屬器件的放置位置會(huì)對(duì)電容產(chǎn)生不同影響，因此，還需要對(duì)這些金屬器件造成的電容的變化進(jìn)行校準(zhǔn)。即，在沒(méi)有設(shè)置金屬器件和設(shè)置有金屬器件的情況下，通過(guò)ITO電容進(jìn)行自檢，以確定金屬器件的放置造成的電容的變化量。
[0059]另一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種電子設(shè)備，包括:設(shè)備主體；觸控裝置，與所述設(shè)備主體連接；如圖1所示，所述觸控裝置包括:絕緣層10 ;導(dǎo)電層20，設(shè)置在絕緣層10上；其中，導(dǎo)電層20包括按照預(yù)定排布規(guī)則排布的導(dǎo)電走線，在導(dǎo)電層20的第一區(qū)域上，相鄰導(dǎo)電走線之間具有第一間距，在導(dǎo)電層20的第二區(qū)域上，相鄰導(dǎo)電走線之間具有第二間距，所述第二間距小于所述第一間距。
[0060]具體來(lái)講，電子設(shè)備可以為智能手機(jī)或者平板電腦等，因?yàn)樵谶@些設(shè)備的電容屏上顯示虛擬鍵盤時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)虛擬鍵盤輸入的準(zhǔn)確性，需要提高電容屏的檢測(cè)能力。
[0061]本申請(qǐng)實(shí)施例中，絕緣層10可以為絕緣玻璃，導(dǎo)電層20設(shè)置在絕緣玻璃上，導(dǎo)電層20可以為一層ITO導(dǎo)電膜，ITO導(dǎo)電膜就是涂敷在絕緣玻璃上的氧化銦錫。普通玻璃本身是絕緣材料，通過(guò)在其表面鍍上一層ITO導(dǎo)電膜，使其具備導(dǎo)電性。當(dāng)用戶的手觸摸到導(dǎo)電玻璃時(shí)，導(dǎo)電玻璃上會(huì)產(chǎn)生電容的變化，然后，系統(tǒng)能夠根據(jù)電容變化位置和電容大小，判斷出用戶的手指動(dòng)作以及觸摸的位置，本申請(qǐng)實(shí)施例中，導(dǎo)電走線即ITO走線。
[0062]本申請(qǐng)實(shí)施例中，在導(dǎo)電層20的不同區(qū)域上排布的導(dǎo)電走線間的間距不同。具體來(lái)講，在導(dǎo)電層20的第一區(qū)域上，相鄰導(dǎo)電走線之間具有第一間距，在實(shí)際應(yīng)用中，第一間距一般為5mm，在導(dǎo)電層20的第二區(qū)域上，相鄰導(dǎo)電走線之間具有第二間距，本申請(qǐng)實(shí)施例中，第二間距為0.5mm至2mm之間的任一值，較佳的，第二間距可以為0.8mm。
[0063]進(jìn)一步，本申請(qǐng)實(shí)施例中，導(dǎo)電走線按照預(yù)定排布規(guī)則排布為網(wǎng)格。在第一區(qū)域上采用正常網(wǎng)格走線，而在第二區(qū)域上，采用細(xì)分網(wǎng)格走線，通過(guò)細(xì)化第二區(qū)域上的導(dǎo)電走線，可以將原來(lái)的一個(gè)網(wǎng)格劃分為多個(gè)小網(wǎng)格，進(jìn)而可以提高第二區(qū)域的電容檢測(cè)能力。
[0064]具體來(lái)講，電容的計(jì)算公式C = x*xQ*S/d，其中，X為相對(duì)介電常數(shù)；x。為真空介電常數(shù)，X。= 8.86*10 12F/m。本申請(qǐng)實(shí)施例中，取玻璃的相對(duì)介電常數(shù)為8，不妨假設(shè)S為5mm*5mm, d為0.8mm, S為面積，d為兩層ITO層之間的距離，經(jīng)計(jì)算，C = 2.2pf，也就是說(shuō)，ITO導(dǎo)電層本身的電容為2pf。當(dāng)用戶的手觸摸ITO層時(shí)，電容減少，量級(jí)為lpf。
[0065]在具體實(shí)施過(guò)程中，所述電子設(shè)備還包括:第一器件30，設(shè)置在所述電子設(shè)備內(nèi)的與所述第二區(qū)域?qū)?yīng)的第二空間區(qū)域內(nèi)，其中，所述第二區(qū)域上的電容小于所述第一區(qū)域上的電容。
[0066]具體來(lái)講，第一器件30距離電容屏較近，就會(huì)減小電容屏自身的電容電量。這種情況，類似于手指接近電容屏導(dǎo)致的電容的減小，也就是說(shuō)，這些器件的存在削弱了對(duì)手指操作的判斷能力。在實(shí)際應(yīng)用中，第一器件30可以為馬達(dá)，也可以為其他會(huì)影響電容屏的電容的器件。
[0067]例如:設(shè)置在電子設(shè)備中的馬達(dá)，其表面為金屬材質(zhì)，由于馬達(dá)表面與ITO層之間形成電容，同原有的兩層ITO層之間的電容并聯(lián)，減少了 ITO層的電容。本申請(qǐng)實(shí)施例中，不妨假設(shè)ITO層與馬達(dá)表面之間的距離為1.5mm，則馬達(dá)表面與ITO層形成的電容為lpf，原有的兩層ITO層之間的電容為2pf，兩個(gè)電容并聯(lián)，將原來(lái)的2pf減少為lpf。這樣，手指和馬達(dá)對(duì)ITO層的電容的影響基本相同，進(jìn)而在電容發(fā)生變化時(shí)，系統(tǒng)不能區(qū)分是手指觸摸電容屏，還是馬達(dá)對(duì)電容造成的影響，也就不能判斷出用戶是否正在觸摸電容屏。
[0068]本申請(qǐng)實(shí)施例中，在電容屏的電容減少的部分，細(xì)分ITO走線，假設(shè)通過(guò)細(xì)分ITO走線將原來(lái)的網(wǎng)格劃分為4個(gè)小網(wǎng)格，這樣ITO層本身電容為0.5pf，由于馬達(dá)的影響，ITO層的電容減少0.2pf，而用戶在觸摸電容屏?xí)r，從手指從開始接觸電容屏，直到完全接觸電容屏的過(guò)程中，接觸到的網(wǎng)格數(shù)量是變化的，也就是說(shuō)，手指對(duì)4個(gè)小網(wǎng)格的電容的影響是逐步完成的，即，手指開始接觸到電容屏?xí)r，其中一個(gè)網(wǎng)格的電容發(fā)生變化，其他網(wǎng)格的電容