一種不規(guī)則晶圓的減薄方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種不規(guī)則晶圓的減薄方法，包括下述步驟：步驟一，設(shè)定減薄設(shè)備減薄目標(biāo)厚度；步驟二，測(cè)量并記錄需要減薄的不規(guī)則晶圓的外形尺寸；步驟三，提供一片外形完整的陪片，陪片外緣尺寸與減薄設(shè)備的工作臺(tái)盤的環(huán)形真空帶相吻合；在陪片上確定需要切割的具體尺寸，并對(duì)所需切割的尺寸進(jìn)行標(biāo)記；步驟四，對(duì)步驟三中已作標(biāo)記的陪片沿標(biāo)記位置進(jìn)行切割；步驟五，將步驟四中已切割陪片的中間部分取走，使其中間部位形成一個(gè)空缺區(qū)域；步驟六，將需減薄的不規(guī)則晶圓放置于步驟五中陪片形成的空缺區(qū)域，然后使用減薄膜粘貼在不規(guī)則晶圓和陪片正面，使得兩者成為一個(gè)整體。本發(fā)明使原本只能報(bào)廢的不規(guī)則晶圓可以繼續(xù)被使用，可較大程度地節(jié)約成本。
【專利說(shuō)明】_種不規(guī)則晶圓的減薄方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是一種對(duì)由于外因?qū)е滤榱鸦蛘咴囼?yàn)等因素進(jìn)行分割而形成的不規(guī)則晶圓進(jìn)行減薄的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]晶圓經(jīng)過(guò)前道制造工藝已具備相當(dāng)?shù)膬r(jià)值，由于晶圓本身材料的脆性特點(diǎn)，其在運(yùn)輸、傳遞及工藝過(guò)程中都有可能產(chǎn)生碎裂的風(fēng)險(xiǎn)；另外，由于試驗(yàn)等因素，完整的晶圓通常都會(huì)被分割成幾個(gè)獨(dú)立的小塊。對(duì)于上述原因而形成的不規(guī)則晶圓通常無(wú)法進(jìn)行減薄。
[0003]因?yàn)楝F(xiàn)在半導(dǎo)體生產(chǎn)線上的減薄設(shè)備多為全自動(dòng)減薄系統(tǒng)，提供的是完整的晶圓的減薄方案。減薄設(shè)備都配置有工作臺(tái)盤吸附真空度感應(yīng)裝置，進(jìn)行減薄前，設(shè)備會(huì)自動(dòng)檢測(cè)工作臺(tái)盤吸附晶圓的真空度是否滿足減薄要求，而完整的晶圓其外緣尺寸正好與減薄設(shè)備的工作臺(tái)盤的環(huán)形真空帶相吻合，當(dāng)真空度達(dá)到設(shè)備允許值(即減薄設(shè)備在減薄過(guò)程中不會(huì)發(fā)生因真空度異常導(dǎo)致晶圓從工作臺(tái)盤掉落的情況)后，設(shè)備才能開始進(jìn)行減薄。
[0004]由于以上原因，對(duì)于已碎裂或者本身已經(jīng)是單獨(dú)小塊的晶圓，目前沒(méi)有較好的處理手段來(lái)繼續(xù)對(duì)其進(jìn)行減薄，因?yàn)樗榱鸦蛘邌为?dú)小塊的晶圓已不具有完整性，此類不規(guī)則的晶圓無(wú)法與減薄設(shè)備的工作臺(tái)盤真空帶相吻合，減薄設(shè)備無(wú)法對(duì)其進(jìn)行正常吸附，減薄過(guò)程無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行。
[0005]有些生產(chǎn)廠采用透明膠帶粘貼的方式，將不規(guī)則晶圓貼于減薄設(shè)備工作臺(tái)盤上面后繼續(xù)進(jìn)行減薄。由于減薄過(guò)程中有大量冷卻水、切削水會(huì)對(duì)其不斷地進(jìn)行沖刷，透明膠帶固定的方式被水沖刷后將完全沒(méi)有牢固度，會(huì)導(dǎo)致減薄過(guò)程發(fā)生異常，甚至有可能損壞設(shè)備。
[0006]所以一旦生產(chǎn)線上發(fā)生有硅圓片裂片甚至碎片的異常狀況，權(quán)衡利弊，不規(guī)則晶圓通常都作報(bào)廢處理。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種不規(guī)則晶圓的減薄方法，從不規(guī)則晶圓的“不完整性”著手，通過(guò)一種處理手段使其完整后再進(jìn)行減薄，可以解決不規(guī)則晶圓無(wú)法與減薄設(shè)備工作臺(tái)盤真空帶吻合的問(wèn)題，令不規(guī)則晶圓可以有效地被減薄設(shè)備的工作臺(tái)盤吸附住，達(dá)到可以對(duì)其進(jìn)行減薄的目的。本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種不規(guī)則晶圓的減薄方法，包括下述步驟:
步驟一，設(shè)定減薄設(shè)備減薄目標(biāo)厚度；
步驟二，測(cè)量并記錄需要減薄的不規(guī)則晶圓的外形尺寸；
步驟三，提供一片外形完整的陪片，陪片外緣尺寸與減薄設(shè)備的工作臺(tái)盤的環(huán)形真空帶相吻合；在陪片上確定需要切割的具體尺寸，并對(duì)所需切割的尺寸進(jìn)行標(biāo)記；陪片上需要切割的尺寸至少大于不規(guī)則晶圓的外形尺寸，便于不規(guī)則晶圓放入陪片切割后形成的空缺區(qū)域； 步驟四，對(duì)步驟三中已作標(biāo)記的陪片沿標(biāo)記位置進(jìn)行切割；
步驟五，將步驟四中已切割陪片的中間部分取走，使其中間部位形成一個(gè)空缺區(qū)域；步驟六，將需減薄的不規(guī)則晶圓放置于步驟五中陪片形成的空缺區(qū)域，然后使用減薄膜粘貼在不規(guī)則晶圓和陪片正面，使得兩者成為一個(gè)整體；
步驟七，將步驟六形成的整體放置于減薄設(shè)備的工作臺(tái)盤上并采用真空吸附的方式將其吸附住；
步驟八，按所需減薄目標(biāo)厚度對(duì)步驟七所述的已吸附在減薄設(shè)備工作臺(tái)盤上的整體進(jìn)行減薄。
[0008]進(jìn)一步地，
步驟一中，設(shè)定的減薄設(shè)備減薄目標(biāo)厚度=不規(guī)則晶圓減薄目標(biāo)厚度+減薄膜厚度。
[0009]步驟二中，測(cè)量并記錄需要減薄的不規(guī)則晶圓的外形尺寸的具體步驟為:將不規(guī)則晶圓的不規(guī)則形狀最長(zhǎng)方向定義為X方向，尺寸記為L(zhǎng)，將與X方向垂直的方向，定義為Y方向，尺寸記為W。
[0010]步驟三中，在陪片上確定需要切割的具體尺寸，并對(duì)所需切割的尺寸進(jìn)行標(biāo)記，具體步驟為:
(3-1)，定義陪片的任意方向?yàn)閄方向，刻畫其長(zhǎng)度，標(biāo)記為L(zhǎng)’，L’彡L;
(3-2)，對(duì)于陪片X方向垂直的Y方法，刻畫其長(zhǎng)度，標(biāo)記為W’，Ψ ^ff0
[0011]步驟四中對(duì)步驟三中已作標(biāo)記的陪片按確定的X、Y方向及其對(duì)應(yīng)的L’、W’尺寸進(jìn)行切割。
[0012]步驟五中形成的空缺區(qū)域?yàn)榫匦慰杖眳^(qū)域，矩形尺寸X方向長(zhǎng)度為L(zhǎng)’、Y方向長(zhǎng)度為W，。
[0013]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:本發(fā)明利用“合二為一”的思路，利用陪片進(jìn)行減薄，是一種全新的減薄思路；本發(fā)明在不增加多余成本的情況下，解決了不規(guī)則晶圓無(wú)法減薄的問(wèn)題，利用本發(fā)明所述的減薄方法，使原本只能報(bào)廢的不規(guī)則晶圓可以繼續(xù)被使用，可較大程度地節(jié)約成本；本發(fā)明所述的減薄方法減薄風(fēng)險(xiǎn)極低，減薄一致性好，可靠性高。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為本發(fā)明的不規(guī)則晶圓放入陪片空缺區(qū)域的示意圖。
[0015]圖2為本發(fā)明的方法流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0017]實(shí)施例1:一種不規(guī)則晶圓的減薄方法，不規(guī)則晶圓10為破碎晶圓，其外型不規(guī)則，不規(guī)則晶圓初始厚度630 μ m，目標(biāo)需減薄至300 μ m。
[0018]包括以下實(shí)施步驟:
(1)設(shè)定減薄設(shè)備減薄目標(biāo)厚度:由于在本方法中需要使用減薄膜，因此減薄設(shè)備減薄目標(biāo)厚度=不規(guī)則晶圓減薄目標(biāo)厚度+減薄膜厚度；
(2)將不規(guī)則晶圓10的不規(guī)則形狀最長(zhǎng)方向定義為X方向，尺寸記為L(zhǎng)，將與X方向垂直的方向，定義為Y方向，尺寸記為W ; (3)取一片外形完整的陪片20，陪片20為一塊外緣尺寸與減薄設(shè)備的工作臺(tái)盤的環(huán)形真空帶相吻合的晶圓，在其上用刻度尺及油性筆進(jìn)行度量和標(biāo)記:
(3-1)，定義陪片20的任意方向?yàn)閄方向，刻畫其長(zhǎng)度，標(biāo)記為L(zhǎng)’，L’彡L;
(3-2)，對(duì)于陪片X方向垂直的Y方法，刻畫其長(zhǎng)度，標(biāo)記為W’，Ψ ^ff;
(4)對(duì)步驟(3)中已作標(biāo)記的陪片20，按確定的X、Y方向及其對(duì)應(yīng)的L’、W’尺寸進(jìn)行切割。此步驟可利用晶圓劃片機(jī)進(jìn)行。
[0019](5)將步驟(4)所處理的陪片20，沿切割部位頂開，取走中間部分，使其中間部位形成一個(gè)矩形空缺區(qū)域，矩形尺寸X方向長(zhǎng)度為l’、Y方向長(zhǎng)度為r。
[0020](6)將需減薄的不規(guī)則晶圓10 (其X方向尺寸為L(zhǎng)、Y方向尺寸為W)，放置于步驟
(5)中陪片形成的矩形空缺區(qū)域(矩形區(qū)域X方向尺寸為L(zhǎng)’、Y方向尺寸為r )，然后使用減薄膜粘貼在不規(guī)則晶圓10和陪片20正面，使兩者形成一個(gè)整體；減薄膜起到連結(jié)不規(guī)則晶圓和陪片的作用，減薄膜使用現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)的型號(hào)即可，比如Iintec公司的E-6142。
[0021](7)將步驟(6)處理完畢的整體，放置于減薄設(shè)備的工作臺(tái)盤上并采用真空吸附的方式將其吸附住。
[0022](8)按所需減薄目標(biāo)厚度對(duì)步驟(7)所述的已吸附在減薄設(shè)備工作臺(tái)盤上的“整體”進(jìn)行減薄。通常減薄是指對(duì)晶圓的背面進(jìn)行減薄。
【權(quán)利要求】
1.一種不規(guī)則晶圓的減薄方法，其特征在于，包括下述步驟: 步驟一，設(shè)定減薄設(shè)備減薄目標(biāo)厚度； 步驟二，測(cè)量并記錄需要減薄的不規(guī)則晶圓的外形尺寸； 步驟三，提供一片外形完整的陪片，陪片外緣尺寸與減薄設(shè)備的工作臺(tái)盤的環(huán)形真空帶相吻合；在陪片上確定需要切割的具體尺寸，并對(duì)所需切割的尺寸進(jìn)行標(biāo)記；陪片上需要切割的尺寸至少大于不規(guī)則晶圓的外形尺寸，便于不規(guī)則晶圓放入陪片切割后形成的空缺區(qū)域； 步驟四，對(duì)步驟三中已作標(biāo)記的陪片沿標(biāo)記位置進(jìn)行切割； 步驟五，將步驟四中已切割陪片的中間部分取走，使其中間部位形成一個(gè)空缺區(qū)域；步驟六，將需減薄的不規(guī)則晶圓放置于步驟五中陪片形成的空缺區(qū)域，然后使用減薄膜粘貼在不規(guī)則晶圓和陪片正面，使得兩者成為一個(gè)整體； 步驟七，將步驟六形成的整體放置于減薄設(shè)備的工作臺(tái)盤上并采用真空吸附的方式將其吸附?。? 步驟八，按所需減薄目標(biāo)厚度對(duì)步驟七所述的已吸附在減薄設(shè)備工作臺(tái)盤上的整體進(jìn)行減薄。
2.如權(quán)利要求1所述的不規(guī)則晶圓的減薄方法，其特征在于: 步驟一中，設(shè)定的減薄設(shè)備減薄目標(biāo)厚度=不規(guī)則晶圓減薄目標(biāo)厚度+減薄膜厚度。
3.如權(quán)利要求1或2所述的不規(guī)則晶圓的減薄方法，其特征在于: 步驟二中，測(cè)量并記錄需要減薄的不規(guī)則晶圓的外形尺寸的具體步驟為:將不規(guī)則晶圓的不規(guī)則形狀最長(zhǎng)方向定義為X方向，尺寸記為L(zhǎng)，將與X方向垂直的方向，定義為Y方向，尺寸記為W。
4.如權(quán)利要求3所述的不規(guī)則晶圓的減薄方法，其特征在于: 步驟三中，在陪片上確定需要切割的具體尺寸，并對(duì)所需切割的尺寸進(jìn)行標(biāo)記，具體步驟為: (3-1)，定義陪片的任意方向?yàn)閄方向，刻畫其長(zhǎng)度，標(biāo)記為L(zhǎng)’，L’彡L; (3-2)，對(duì)于陪片X方向垂直的Y方法，刻畫其長(zhǎng)度，標(biāo)記為W’，Ψ ^ffo
5.如權(quán)利要求4所述的不規(guī)則晶圓的減薄方法，其特征在于: 步驟四中對(duì)步驟三中已作標(biāo)記的陪片按確定的X、Y方向及其對(duì)應(yīng)的L’、W’尺寸進(jìn)行切割。
6.如權(quán)利要求5所述的不規(guī)則晶圓的減薄方法，其特征在于: 步驟五中形成的空缺區(qū)域?yàn)榫匦慰杖眳^(qū)域，矩形尺寸X方向長(zhǎng)度為L(zhǎng)’、Y方向長(zhǎng)度為r 0
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK104505337SQ201410812372
【公開日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2014年12月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月23日
【發(fā)明者】張國(guó)華, 李云海 申請(qǐng)人:無(wú)錫中微高科電子有限公司