專利名稱：具有偏移結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
根據(jù)本發(fā)明的實施例的各方面涉及薄膜晶體管，更具體地說，涉及具有偏移結(jié)構(gòu)的高電壓薄膜晶體管。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管(TFT)是在絕緣支撐基板上形成半導(dǎo)體薄膜的特定類型的場效應(yīng)晶體管(FET)。與FET類似，TFT具有三個端子，即柵極、漏極和源極，并且執(zhí)行切換作為主要功能。通過調(diào)節(jié)施加于柵極的電壓，TFT執(zhí)行切換，使得在源極和漏極之間流動的電流可以處于“通”或“斷”狀態(tài)。傳統(tǒng)高電壓TFT是被施加以高電壓的一類TFT。傳統(tǒng)高電壓TFT可以采用偏移結(jié)構(gòu)，從而可以對高電壓具有更大的電阻。傳統(tǒng)偏移結(jié)構(gòu)具有偏移區(qū)，該偏移區(qū)是源區(qū)與漏區(qū)之間的高電阻區(qū)域。一般來說，如果在源區(qū)與漏區(qū)之間施加高電壓，則該高電壓也被傳遞到高電阻偏移區(qū)，從而防止在溝道層上形成高電場。因此可以將TFT維持在足夠低水平的 “斷”電流I。ff。然而，由于在傳統(tǒng)高電壓TFT中有意采用高電阻偏移區(qū)來減少施加高電壓時所導(dǎo)致的偏應(yīng)力，因此可能導(dǎo)致“通”電流I。n的量減小。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決或減輕具有偏移結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)高電壓薄膜晶體管(TFT)的“通”電流I。n的量減小的問題的嚴(yán)重性，本發(fā)明的一個或多個實施例提供一種薄膜晶體管，在該薄膜晶體管中，低的“斷”電流和高的“通”電流1。 可以分別被維持在足夠低的水平和足夠高的水平。在本發(fā)明的示例性實施例中，公開了一種薄膜晶體管(TFT)。所述TFT包括有源區(qū)。所述有源區(qū)被分成第一有源區(qū)和第二有源區(qū)。所述有源區(qū)包括柵電極、有源層、柵絕緣層和源/漏電極層。所述有源層包括第一有源層和第二有源層。所述第一有源層與所述第一有源區(qū)對應(yīng)。所述第二有源層與所述第二有源區(qū)對應(yīng)。所述第一有源層和所述第二有源層與所述柵電極重疊。所述柵絕緣層位于所述柵電極與所述有源層之間。所述源/漏電極層包括第一源/漏電極、第二源/漏電極、第三源/漏電極和第四源/漏電極。所述第一和第二源/漏電極被電連接到所述第一有源層。所述第三和第四源/漏電極被電連接到所述第二有源層。從所述第一至第四源/漏電極中選出的兩個源/漏電極與所述柵電極部分重疊。所述第一至第四源/漏電極中的其它兩個源/漏電極偏移于所述柵電極。所述第一至第四源/漏電極和所述柵電極被對稱布置。所述第一和第三源/漏電極可以彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第一和第三源/漏電極。所述第二和第四源/漏電極可以彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第二和第四源/漏電極。 所述第一源/漏電極和所述第三源/漏電極可以彼此連接。所述第二源/漏電極和所述第四源/漏電極可以彼此連接。 所述TFT可以包括兩個TFT。所述兩個TFT的相應(yīng)源/漏電極和柵電極可以以對稱布置的方式被連接以用作單個TFT。所述有源層可以包括從包括非晶硅、多晶硅、微晶硅、氧化物半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體及其組合的組中選出的材料。所述有源區(qū)可以進(jìn)一步包括位于所述有源層與所述源/漏電極層之間的歐姆接觸層。所述第一有源層可以包括第一源/漏區(qū)、第二源/漏區(qū)和第一溝道區(qū)。所述第一源/漏區(qū)與所述第一源/漏電極對應(yīng)。所述第二源/漏區(qū)與所述第二源/漏電極對應(yīng)。所述第一溝道區(qū)位于所述第一源/漏區(qū)與所述第二源/漏區(qū)之間。所述第二有源層可以包括第三源/漏區(qū)、第四源/漏區(qū)和第二溝道區(qū)。所述第三源/漏區(qū)與所述第三源/漏電極對應(yīng)。所述第四源/漏區(qū)與所述第四源/漏電極對應(yīng)。所述第二溝道區(qū)位于所述第三源/漏區(qū)與所述第四源/漏區(qū)之間。所述第一溝道區(qū)可以包括第一偏移區(qū)。所述第一偏移區(qū)不與所述柵電極、所述第一源/漏電極和所述第二源/漏電極中的任一個重疊。所述第二溝道區(qū)可以包括第二偏移區(qū)。所述第二偏移區(qū)不與所述柵電極、所述第三源/漏電極和所述第四源/漏電極中的任
一個重疊。所述第二有源區(qū)中的源/漏電極層可以與所述第一有源區(qū)中的源/漏電極層旋轉(zhuǎn)對稱。所述第一源/漏電極和所述第二源/漏電極中的一個可以與所述柵電極重疊。所述第一源/漏電極和所述第二源/漏電極中的另一個可以偏移于所述柵電極。所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)可以彼此絕緣。所述柵電極可以包括第一柵電極和第二柵電極。所述第一柵電極和所述第二柵電極彼此平行。所述第一和第三源/漏電極可以彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第一和第三源/漏電極。所述第二和第四源/漏電極可以彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第二和第四源/漏電極。 所述第二有源區(qū)中的源/漏電極層可以與所述第一有源區(qū)中的源/漏電極層旋轉(zhuǎn)對稱。所述第一至第四源/漏電極中的一個可以與所述第一柵電極部分重疊。所述第一至第四源/漏電極中的另一個可以與所述第二柵電極部分重疊。所述第一柵電極的與所述第二有源層重疊的寬度可以比所述第一柵電極的與所述第一有源區(qū)重疊的寬度小。所述有源區(qū)可以進(jìn)一步包括偏移電極。所述偏移電極與所述第一柵電極和所述第二柵電極之間的區(qū)域重疊。所述偏移電極與所述有源層絕緣。所述偏移電極可以包括第一偏移電極和第二偏移電極。所述第一偏移電極與所述第一和第二源/漏電極之間的區(qū)域重疊。所述第一偏移電極與所述第一有源層絕緣。所述第二偏移電極與所述第三和第四源/漏電極之間的區(qū)域重疊。所述第二偏移電極與所述第
二有源層絕緣。所述第一和第三源/漏電極可以彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第一和第三源/漏電極。所述第二和第四源/漏電極可以彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第二和第四源/漏電極。所述偏移電極可以被電連接到所述第一柵電極和所述第二柵電極。所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)可以彼此絕緣。在根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例中，公開了一種薄膜晶體管(TFT)。所述TFT包括有源區(qū)。所述有源區(qū)被分成第一有源區(qū)、第二有源區(qū)和第三有源區(qū)。所述有源區(qū)包括柵電極、有源層、柵絕緣層和源/漏電極層。所述有源層包括第一有源層、第二有源層和第三有源層。所述第一有源層與所述第一有源區(qū)對應(yīng)。所述第二有源層與所述第二有源區(qū)對應(yīng)。 所述第三有源層與所述第三有源區(qū)對應(yīng)。所述第一有源層、所述第二有源層和所述第三有源層與所述柵電極重疊。所述柵絕緣層位于所述柵電極與所述有源層之間。所述源/漏電極層包括第一源/漏電極、第二源/漏電極、第三源/漏電極、第四源/漏電極、第五源/漏電極和第六源/漏電極。所述第一源/漏電極和所述第二源/漏電極電連接到所述第一有源層。所述第三源/漏電極和所述第四源/漏電極電連接到所述第二有源層。所述第五源 /漏電極和所述第六源/漏電極電連接到所述第三有源層。從所述第一至第四源/漏電極中選出的兩個源/漏電極與所述柵電極部分重疊。所述第一至第四源/漏電極中的其它兩個源/漏電極偏移于所述柵電極。所述第一至第六源/漏電極和所述柵電極被對稱布置。所述第一、第三和第五源/漏電極可以彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第一、第三和第五源/漏電極。所述第二、第四和第六源/漏電極可以彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第二、第四和第六源/漏電極。 所述第三有源區(qū)中的源/漏電極層可以與所述第一有源區(qū)中的源/漏電極層對稱。所述第一源/漏電極和所述第二源/漏電極可以與所述柵電極部分重疊。所述第三源/漏電極和所述第四源/漏電極可以偏移于所述柵電極。所述第一有源層可以包括第一源/漏區(qū)、第二源/漏區(qū)和第一溝道區(qū)。所述第一源/漏區(qū)與所述第一源/漏電極對應(yīng)。所述第二源/漏區(qū)與所述第二源/漏電極對應(yīng)。所述第一溝道區(qū)位于所述第一源/漏區(qū)與所述第二源/漏區(qū)之間。所述第二有源層可以包括第三源/漏區(qū)、第四源/漏區(qū)和第二溝道區(qū)。所述第三源/漏區(qū)與所述第三源/漏電極對應(yīng)。所述第四源/漏區(qū)與所述第四源/漏電極對應(yīng)。所述第二溝道區(qū)位于所述第三源/漏區(qū)與所述第四源/漏區(qū)之間。所述第三有源層可以包括第五源/漏區(qū)、第六源/漏區(qū)和第三溝道區(qū)。所述第五源/漏區(qū)與所述第五源/漏電極對應(yīng)。所述第六源/漏區(qū)與所述第六源/漏電極對應(yīng)。所述第三溝道區(qū)位于所述第五源/漏區(qū)與所述第六源/漏區(qū)之間。所述第二溝道區(qū)可以包括偏移區(qū)。所述偏移區(qū)不與所述柵電極、所述第三源/漏電極和所述第四源/漏電極中的任一個重疊。所述第一有源區(qū)中的所述源/漏電極層、所述第二有源區(qū)中的所述源/漏電極層和所述第三有源區(qū)中的所述源/漏電極層可以沿對稱軸對稱。
所述柵電極的與所述第二有源層重疊的寬度可以比所述柵電極的與所述第一和第三有源區(qū)重疊的寬度小。所述第一至第三有源區(qū)可以彼此絕緣。在根據(jù)本發(fā)明的又一示例性實施例中，公開了一種薄膜晶體管(TFT)。所述TFT包括有源區(qū)。所述有源區(qū)被分成第一有源區(qū)、第二有源區(qū)、第三有源區(qū)和第四有源區(qū)。所述有源區(qū)包括柵電極、有源層、柵絕緣層和源/漏電極層。所述有源層包括第一有源層、第二有源層、第三有源層和第四有源層。所述第一有源層與所述第一有源區(qū)對應(yīng)。所述第二有源層與所述第二有源區(qū)對應(yīng)。所述第三有源層與所述第三有源區(qū)對應(yīng)。所述第四有源層與所述第四有源區(qū)對應(yīng)。所述第一有源層、所述第二有源層、所述第三有源層和所述第四有源層與所述柵電極重疊。所述柵絕緣層位于所述柵電極與所述有源層之間。所述源/漏電極層包括第一源/漏電極、第二源/漏電極、第三源/漏電極、第四源/漏電極、第五源/漏電極、 第六源/漏電極、第七源/漏電極和第八源/漏電極。所述第一源/漏電極和所述第二源 /漏電極電連接到所述第一有源層。所述第三源/漏電極和所述第四源/漏電極電連接到所述第二有源層。所述第五源/漏電極和所述第六源/漏電極電連接到所述第三有源層。 所述第七源/漏電極和所述第八源/漏電極電連接到所述第四有源層。從所述第三至第六源/漏電極中選出的兩個源/漏電極與所述柵電極部分重疊。所述第三至第六源/漏電極中的其它兩個源/漏電極偏移于所述柵電極。所述第一至第八源/漏電極和所述柵電極被對稱布置。所述第一、第三、第五和第七源/漏電極可以彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第一、第三、第五和第七源/漏電極。所述第二、第四、第六和第八源/漏電極可以彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第二、第四、第六和第八源/漏電極。所述第一有源層可以包括第一源/漏區(qū)、第二源/漏區(qū)和第一溝道區(qū)。所述第一源/漏區(qū)與所述第一源/漏電極對應(yīng)。所述第二源/漏區(qū)與所述第二源/漏電極對應(yīng)。所述第一溝道區(qū)位于所述第一源/漏區(qū)與所述第二源/漏區(qū)之間。所述第二有源層可以包括第三源/漏區(qū)、第四源/漏區(qū)和第二溝道區(qū)。所述第三源/漏區(qū)與所述第三源/漏電極對應(yīng)。所述第四源/漏區(qū)與所述第四源/漏電極對應(yīng)。所述第二溝道區(qū)位于所述第三源/漏區(qū)與所述第四源/漏區(qū)之間。所述第三有源層可以包括第五源/漏區(qū)、第六源/漏區(qū)和第三溝道區(qū)。所述第五源/漏區(qū)與所述第五源/漏電極對應(yīng)。所述第六源/漏區(qū)與所述第六源/漏電極對應(yīng)。所述第三溝道區(qū)位于所述第五源/漏區(qū)與所述第六源/漏區(qū)之間。所述第四有源層可以包括第七源/漏區(qū)、第八源/漏區(qū)和第四溝道區(qū)。所述第七源/漏區(qū)與所述第七源/漏電極對應(yīng)。所述第八源/漏區(qū)與所述第八源/漏電極對應(yīng)。所述第四溝道區(qū)位于所述第七源/漏區(qū)與所述第八源/漏區(qū)之間。所述第二溝道區(qū)可以包括第一偏移區(qū)。所述第一偏移區(qū)不與所述柵電極、所述第三源/漏電極和所述第四源/漏電極中的任一個重疊。所述第三溝道區(qū)可以包括第二偏移區(qū)。所述第二偏移區(qū)不與所述柵電極、所述第五源/漏電極和所述第六源/漏電極中的任
一個重疊。所述第三有源區(qū)中的源/漏電極層可以與所述第二有源區(qū)中的源/漏電極層旋轉(zhuǎn)對稱。所述第四有源區(qū)中的源/漏電極層可以與所述第一有源區(qū)中的源/漏電極層對稱。所述第一源/漏電極和所述第二源/漏電極可以與所述柵電極部分重疊。
所述第三源/漏電極和所述第四源/漏電極中的一個可以與所述柵電極重疊。所述第三源/漏電極和所述第四源/漏電極中的另一個可以偏移于所述柵電極。所述柵電極的與所述第二和第三有源區(qū)重疊的寬度可以比所述柵電極的與所述第一和第四有源區(qū)重疊的寬度小。所述第一至第四有源區(qū)可以彼此絕緣。根據(jù)本發(fā)明的再一示例性實施例，公開了一種薄膜晶體管(TFT)。所述TFT包括有源區(qū)。所述有源區(qū)包括柵電極、有源層、柵絕緣層和源/漏電極層。所述柵電極包括第一柵電極和第二柵電極。所述第一柵電極和所述第二柵電極彼此平行。所述有源層與所述第一柵電極和所述第二柵電極重疊。所述柵絕緣層位于所述柵電極與所述有源層之間。所述源 /漏電極層包括第一源/漏電極和第二源/漏電極。所述第一源/漏電極和所述第二源/ 漏電極電連接到所述有源層。所述第一源/漏電極與所述第一柵電極部分重疊。所述第二源/漏電極與所述第二柵電極部分重疊。所述第一和第二源/漏電極以及所述柵電極被對稱布置。所述有源區(qū)可以進(jìn)一步包括偏移電極。所述偏移電極與所述第一柵電極和所述第二柵電極之間的區(qū)域重疊。所述偏移電極與所述有源層絕緣。所述偏移電極可以電連接到所述第一柵電極和所述第二柵電極。所述有源層可以包括第一源/漏區(qū)、第二源/漏區(qū)和溝道區(qū)。所述第一源/漏區(qū)與所述第一源/漏電極對應(yīng)。所述第二源/漏區(qū)與所述第二源/漏電極對應(yīng)。所述溝道區(qū)位于所述第一源/漏區(qū)和所述第二源/漏區(qū)之間。所述溝道區(qū)可以包括偏移區(qū)。所述偏移區(qū)不與所述第一柵電極、所述第二柵電極、 所述第一源/漏電極和所述第二源/漏電極中的任一個重疊。


通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實施例，本發(fā)明的以上及其它特征和方面將變得更加明顯，附圖中圖IA是示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管(TFT)的有源區(qū)的布局圖；圖IB是沿圖IA的線I-I截取的截面圖IC是沿圖IA的線II-II截取的截面圖2A是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的有源區(qū)的布局圖
圖2B是沿圖2A的線I-I截取的截面圖2C是沿圖2A的線II-II截取的截面圖3A是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的有源區(qū)的布局圖
圖3B是沿圖3A的線I-I截取的截面圖3C是沿圖3A的線II-II截取的截面圖3D是沿圖3A的線III-III截取的截面圖4A是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的有源區(qū)的布局圖
圖4B是沿圖4A的線I-I截取的截面圖4C是沿圖4A的線II-II截取的截面圖5A是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的有源區(qū)的布局圖；圖5B是沿圖5A的線I-I截取的截面圖；圖5C是沿圖5A的線II-II截取的截面圖；圖6A是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的有源區(qū)的布局圖；圖6B是沿圖6A的線I-I截取的截面圖；圖7A是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的有源區(qū)的布局圖；圖7B是沿圖7A的線I-I截取的截面圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的有源區(qū)的布局圖；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的有源區(qū)的布局圖；并且圖10是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的TFT的溝道電流對柵極電壓的特性與比較例的進(jìn)行比較的仿真結(jié)果的曲線圖。
具體實施例方式下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以以諸多不同的形式具體實現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于這里提出的實施例。確切地說，提供這些實施例是為了使本公開更徹底，以及更完整地向本領(lǐng)域普通技術(shù)人員傳達(dá)本發(fā)明的特征和方面。附圖中，為了清楚起見，層和區(qū)域的厚度可能被放大。另外，在附圖中，相同的附圖標(biāo)記始終代表相同的元件。在本公開中，對源電極和漏電極彼此并不區(qū)分，并且簡單地描述為源/漏電極。這是因為在很多情況下(例如，在顯示裝置中)，源/漏電極中的任何一個均可以根據(jù)施加于相應(yīng)薄膜晶體管(TFT)的電壓而充當(dāng)源電極或漏電極。在本公開中，術(shù)語“偏移區(qū)”表示將源/漏電極與柵電極在水平方向(例如，與下層基板平行的方向)上彼此分開的溝道區(qū)。例如，偏移區(qū)可以是水平方向上柵電極與源/ 漏電極之一之間的溝道區(qū)。因此，偏移區(qū)的電阻值并不直接通過柵極電壓而減小，而是被維持在比除去偏移區(qū)外的溝道區(qū)(例如，與柵電極重合但不與源/漏電極重合的溝道區(qū))的水平更高的水平處。另外，術(shù)語“重疊區(qū)”表示源/漏電極與柵電極彼此重疊(例如，在與下層基板垂直的方向上重合)的源/漏區(qū)。最后，當(dāng)相應(yīng)有源層既包含重疊區(qū)(例如，柵電極和源/漏電極重合)又包含溝道區(qū)(例如，柵電極重合，但源/漏電極不重合)時，源/漏電極將被稱為為與柵電極“部分重疊”。圖IA是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的有源區(qū)100的布局圖。圖 IB是沿圖IA的線I-I截取的截面圖。圖IC是沿圖IA的線II-II截取的截面圖。參見圖IA至圖1C，TFT的有源區(qū)100具有豎直堆疊的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，柵電極 121形成在基板111上，并且柵絕緣層123形成在柵電極121和基板111上。有源層125形成在柵絕緣層123上，并且第一源/漏電極133a和第二源/漏電極13 被形成在有源層 125上。歐姆接觸層131a和131b分別形成在有源層125與第一源/漏電極133a和第二源 /漏電極13 之間?；?11可以由例如玻璃、石英、塑料、硅、陶瓷或金屬形成。柵電極121可以但不限于由從包括Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、W、Ti及其合金的組中選出的導(dǎo)電材料形成。柵絕緣層123可以由諸如氧化硅層或氮化硅層之類的絕緣層形成。有源層125可以由例如非晶硅、多晶硅、微晶硅、氧化物半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體或其組合形成。第一源/漏電極133a和第二源/漏電極133b也可以但不限于由從包括Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、W、Ti及其合金的組中選出的導(dǎo)電材料形成。第一源/漏電極133a和第二源/漏電極13 中的每個與有源層125之間的歐姆接觸利用歐姆接觸層131a和131b形成。歐姆接觸層131a和131b 可以是例如高濃度摻雜非晶硅層。如圖IA所示，有源區(qū)100被分成第一有源區(qū)100A和第二有源區(qū)100B，第一有源區(qū) 100A和第二有源區(qū)100B繞有源區(qū)100的中心彼此旋轉(zhuǎn)對稱(例如，將有源區(qū)100繞其中心旋轉(zhuǎn)半周(180° )會得到相同的布局)。在第一有源區(qū)100A中，第一源/漏電極133a與柵電極121部分重疊，并且第二源/漏電極13 與柵電極121在水平方向(例如，與基板 111平行的方向)上分開距離Cl1，如圖IB所示。在第一有源區(qū)100A中，有源層125包括位于第一源/漏電極133a下方的第一源 /漏區(qū)125a、位于第二源/漏電極13 下方的第二源/漏區(qū)12 以及位于第一源/漏區(qū)與第二源/漏區(qū)之間的第一溝道區(qū)125ch_l。第一溝道區(qū)125ch_l包括位于柵電極121與第二源/漏電極13 之間的偏移區(qū)(與圖IB中第一溝道區(qū)125ch_l的由距離Cl1劃分出的那部分對應(yīng)，也與圖IA中柵電極121與第二源/漏電極13 之間的由距離Cl1劃分出的區(qū)域?qū)?yīng))。如圖IC所示，在第二有源區(qū)100B中，第三源/漏電極133c與柵電極121分開距離 Cl1,并且第四源/漏電極133d與柵電極121部分重疊。在第二有源區(qū)100B中，有源層125 包括位于第三源/漏電極133c下方的第三源/漏區(qū)125c、位于第四源/漏電極133d下方的第四源/漏區(qū)125d，以及位于第三源/漏區(qū)125c和第四源/漏區(qū)125d之間的第二溝道區(qū)125ch_2。第二溝道區(qū)125ch_2包括位于第三源/漏電極133c與柵電極121之間的偏移區(qū)(與圖IC中第二溝道區(qū)125ch_2的由距離Cl1劃分出的那部分對應(yīng)，也與圖IA中第三源 /漏電極133c與柵電極121之間的由距離Cl1劃分出的區(qū)域?qū)?yīng))。第一源/漏電極133a和第二源/漏電極13 在第一有源區(qū)100A中的布局與第三源/漏電極133c和第四源/漏電極133d在第二有源區(qū)100B中的布局旋轉(zhuǎn)對稱。在考慮柵電極121時，也呈現(xiàn)出相同的旋轉(zhuǎn)對稱，柵電極121在第一有源區(qū)100A和第二有源區(qū) 100B的偏移區(qū)和重疊區(qū)中占據(jù)類似的尺寸，如以下進(jìn)一步所描述的那樣。歐姆接觸層131c 和131d分別形成在有源層125與第三源/漏電極133c和第四源/漏電極133d之間。第一有源區(qū)100A中的第一源/漏電極133a電連接至第二有源區(qū)100B中的第三源 /漏電極133c。因此，相同的電壓從相同的源被施加至第一源/漏電極133a和第三源/漏電極133c。類似地，第一有源區(qū)100A中的第二源/漏電極13 電連接至第二有源區(qū)100B 中的第四源/漏電極133d。因此，相同的電壓從相同的源被施加至第二源/漏電極13 和第四源/漏電極133d。在第一有源區(qū)100A中，如果高電壓被施加至第二源/漏電極133b，則電流從第一源/漏區(qū)12 流向第一溝道區(qū)125ch_l，然后流向第二源/漏區(qū)12恥。在這種情況下，第一溝道區(qū)125ch_l的偏移區(qū)防止高電場被施加至第一溝道區(qū)125ch_l。相應(yīng)地，可以防止 TFT的性能劣化，從而改善其“斷”電流特性。另外，第一源/漏區(qū)12 與柵電極121重疊，因此改善其“通”電流特性。如果施加高電壓的方向改變(例如，高電壓被施加至第一有源區(qū)100A中的第一源 /漏電極133a)，則電流從第二源/漏區(qū)12 流向第一溝道區(qū)125ch_l，然后流向第一源/ 漏區(qū)12fe。在這種情況下，由于偏移區(qū)與第二源/漏區(qū)12 而不與第一源/漏區(qū)12 相鄰，因此偏移區(qū)相對于施加了高電壓的源/漏區(qū)12 的相對位置與高電壓被施加至第二源 /漏電極13 時的不同。因此，在第一溝道區(qū)125ch_l中形成的電場的強(qiáng)度以及“通”電流和“斷”電流的量與高電壓被施加至第二源/漏電極13 時的也不同。也就是說，如果只考慮第一有源區(qū)100A，則第一溝道區(qū)125ch_l中的偏移區(qū)相對于那些施加了高電壓的源/漏電極的相對位置不同。換句話說，當(dāng)高電壓被施加至第一源 /漏電極133a時，第一溝道區(qū)125ch_l中的偏移區(qū)的相對位置與相同電壓被施加至第二源 /漏電極13 時的不同。結(jié)果，高電壓被施加至第一源/漏電極133a時施加于第一溝道區(qū)125ch_l的電場的強(qiáng)度與相同電壓被施加至第二源/漏電極13 時的不同。因此，流經(jīng)第一溝道區(qū)125ch_l的電流的量在相同電壓被分別施加至第一源/漏電極133a和第二源 /漏電極13 時不同。也就是說，電流的量根據(jù)施加相同電壓的方向而變化。這可能會導(dǎo)致在采用TFT的設(shè)備中不正確的操作。例如，如果這種TFT是顯示設(shè)備的部分，則可能會出現(xiàn)梯度表達(dá)的錯誤，從而導(dǎo)致顯示錯誤。另一方面，當(dāng)考慮包括第一有源區(qū)100A和第二有源區(qū)100B的有源區(qū)100時，第二有源區(qū)100B的布局與第一有源區(qū)100A的布局旋轉(zhuǎn)對稱。因此，如果高電壓被施加至第一有源區(qū)100A中的第二源/漏電極133b，則流經(jīng)第一有源區(qū)100A的電流的量等于(或基本等于)高電壓被施加至第二有源區(qū)100B中第三源/漏電極133c時流經(jīng)第二有源區(qū)100B 的電流的量。同樣地，高電壓被施加至第一有源區(qū)100A中第一源/漏電極133a時流經(jīng)第一有源區(qū)100A的電流的量等于(或基本等于)高電壓被施加至第二有源區(qū)100B中第四源 /漏電極133d時流經(jīng)第二有源區(qū)100B的電流的量。因此，當(dāng)高電壓被施加至第一有源區(qū)100A中的第二源/漏電極13 和第二有源區(qū)100B中的第四源/漏電極133d時，流經(jīng)有源區(qū)100的電流的總量基本上與相同電壓被施加至第一有源區(qū)100A中的第一源/漏電極133a和第二有源區(qū)100B中的第三源/漏電極133c時的相同。也就是說，如果相同電壓的方向改變，則電流的方向改變，但流經(jīng)有源區(qū) 100的電流的總量基本上相同。在其它實施例中，第一有源區(qū)100A和第二有源區(qū)100B可以彼此絕緣，使得第一有源區(qū)100A和第二有源區(qū)100B中的每個可以不受流經(jīng)另一個的電流的影響。第一有源區(qū) 100A和第二有源區(qū)100B可以例如通過向有源層125應(yīng)用絕緣層而彼此絕緣。第一有源區(qū) 100A和第二有源區(qū)100B的形狀可以根據(jù)應(yīng)用于有源層125的絕緣層的形狀而變化。在另一實施例中，在有源區(qū)100中，第一源/漏電極133a可以連接到第三源/漏電極133c，并且第二源/漏電極13 可以連接到第四源/漏電極133d。在這種情況下， 還可以維持偏移區(qū)、重疊區(qū)，以及第一有源區(qū)100A與第二有源區(qū)100B之間的對稱(例如， 旋轉(zhuǎn)對稱)。在又一實施例中，在有源區(qū)100內(nèi)，第一源/漏電極133a可以連接到第三源/ 漏電極133c，并且第二源/漏電極13 可以連接到第四源/漏電極133d，同時第一有源區(qū) 100A與第二有源區(qū)100B絕緣。圖2A是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的有源區(qū)200的布局圖。圖2B是沿圖2A的線I-I截取的截面圖。圖2C是沿圖2A的線II-II截取的截面圖。 根據(jù)當(dāng)前實施例的TFT的豎直堆疊結(jié)構(gòu)與以上參照圖IA至圖IC所描述的TFT的豎直堆疊結(jié)構(gòu)類似，因此這里將不再進(jìn)行描述。同樣地，在圖2A-2C以及以下附圖的情況下，為了描述的簡潔起見，其附圖標(biāo)記的不同僅僅在于首位數(shù)字并且其結(jié)構(gòu)與在之前實施例中所描述的結(jié)構(gòu)基本相同的元件可能不再重復(fù)描述。如圖2A所示，有源區(qū)200分成第一有源區(qū)200A、第二有源區(qū)200B和第三有源區(qū) 200C。第一有源區(qū)200A的布局與第三有源區(qū)200C的布局基本相同。另外，第一有源區(qū) 200A、第二有源區(qū)200B和第三有源區(qū)200C中每個的布局沿豎直對稱軸(例如，與圖2A中的線II-II垂直并且將柵電極221對分的線)對稱。這種類型的對稱也稱作“反射對稱”或 “反射式對稱”。第一有源區(qū)200A、第二有源區(qū)200B和第三有源區(qū)200C中每個的布局也沿水平對稱軸(例如，圖2A中的線II-II)對稱。進(jìn)一步，第一有源區(qū)200A、第二有源區(qū)200B 和第三有源區(qū)200C中每個的布局繞有源區(qū)200的中心旋轉(zhuǎn)對稱。柵電極221與第二有源區(qū)200B重疊的部分的寬度可以比柵電極221與第一和第三有源區(qū)200A和200C重疊的部分的寬度小(如圖2A中虛線所示)。如圖2B所示，在第一有源區(qū)200A中，第一源/漏電極233a和第二源/漏電極23 關(guān)于柵電極221對稱，同時與柵電極221部分重疊。在第一有源區(qū)200A中，有源層225包括位于第一源/漏電極233a下方的第一源/漏區(qū)22 、位于第二源/漏電極23 下方的第二源/漏區(qū)22 ，以及位于第一和第二源/漏區(qū)22 和22 之間的第一溝道區(qū)225ch_l。如圖2C所示，在第二有源區(qū)200B中，第三源/漏電極233c和第四源/漏電極 233d關(guān)于柵電極221對稱，并且各自與柵電極221分開距離d2。在第二有源區(qū)200B中，有源層225包括位于第三源/漏電極233c下方的第三源/漏區(qū)225c、位于第四源/漏電極 233d下方的第四源/漏區(qū)225d，以及位于第三和第四源/漏區(qū)225c和225d之間的第二溝道區(qū)225ch_2。第二溝道區(qū)225ch_2也包括位于第三源/漏電極233c與柵電極221之間的偏移區(qū)以及位于柵電極221與第四源/漏電極233d之間的偏移區(qū)(與圖2C中第二溝道區(qū) 225ch_2的由距離d2劃分出的各個部分對應(yīng)，也與圖2A中柵電極221與第三和第四源/漏電極233c和233d之間的由距離d2劃分出的區(qū)域?qū)?yīng))。如圖2A所示，在第三有源區(qū)200C中，第五源/漏電極23 和第六源/漏電極233f 關(guān)于柵電極221對稱，同時與柵電極221部分重疊。第五和第六源/漏電極23 和233f 在第三有源區(qū)200C中的布局與第一和第二源/漏電極233a和23 在第一有源區(qū)200A中的布局基本相同。因此，與圖2B中示出的第一有源區(qū)200A的結(jié)構(gòu)類似，在第三有源區(qū)200C 中，有源層225包括位于第五源/漏電極23 下方的第五源/漏區(qū)、位于第六源/漏電極 233f下方的第六源/漏區(qū)，以及位于第五和第六源/漏區(qū)之間的第三溝道區(qū)。第一有源區(qū)200A中的第一源/漏電極233a、第二有源區(qū)200B中的第三源/漏電極233c以及第三有源區(qū)200C中的第五源/漏電極23 彼此電連接。因此，相同的電壓從相同的源被施加至第一、第三和第五源/漏電極233a、233c和23;3θ。同樣地，第一有源區(qū) 200Α中的第二源/漏電極23 、第二有源區(qū)200B中的第四源/漏電極233d以及第三有源區(qū)200C中的第六源/漏電極233f彼此電連接。因此，相同的電壓從相同的源被施加至第二、第四和第六源/漏電極233b,233d和233f。 在第一有源區(qū)200A中，第一源/漏電極233a和第二源/漏電極23 關(guān)于柵電極221對稱。在第二有源區(qū)200B中，第三源/漏電極233c和第四源/漏電極233d關(guān)于柵電極221對稱。在第三有源區(qū)200C中，第五源/漏電極23 和第六源/漏電極233f關(guān)于柵電極221對稱。相應(yīng)地，即使施加至第一、第三和第五電極的電壓與施加至第二、第四和第六電極的電壓互換，流經(jīng)有源區(qū)200的電流的總量也可以在相反方向上被維持在恒定的水平。在這種情況下，在第一有源區(qū)200A和第三有源區(qū)200C中，第一和第二源/漏區(qū) 225a,225b以及第五和第六源/漏區(qū)與柵電極221的兩端重疊，從而增加“通”電流的量。 在第二有源區(qū)200B中，由于第三和第四源/漏電極233c和233d都與柵電極221分開距離 d2，因此在第二溝道區(qū)225ch_2中存在偏移區(qū)(與圖2A和圖2C中柵電極221與第三和第四源/漏電極233c和233d之間的由距離d2劃分出的區(qū)域?qū)?yīng))。因此，可以防止在電壓被施加至第二有源區(qū)200B時高電場被施加至第二溝道區(qū)225ch_2。相應(yīng)地，當(dāng)考慮有源區(qū) 200時，可以通過防止TFT的性能劣化來改善“斷”電流特性。第一有源區(qū)200A、第二有源區(qū)200B和第三有源區(qū)200C關(guān)于柵電極221對稱。因此，如果相同電壓的方向改變，則電流的方向改變，但流經(jīng)有源區(qū)200的電流的總量基本相同。相應(yīng)地，根據(jù)第一至第三有源區(qū)200A至200C的布局，在施加相同的電壓時，流經(jīng)根據(jù)當(dāng)前實施例的TFT中的有源區(qū)200的電流的總量可以相同，而與施加電壓的方向無關(guān)，從而改善了 “斷”電流特性和“通”電流特性。在其它實施例中，第一至第三有源區(qū)200A至200C可以彼此絕緣，使得第一至第三有源區(qū)200A至200C中的每個可以不受流經(jīng)其它有源區(qū)的電流的影響。第一至第三有源區(qū) 200A至200C可以例如通過向有源層225應(yīng)用絕緣層而彼此絕緣。第一至第三有源區(qū)200A 至200C的形狀可以根據(jù)應(yīng)用于有源層225的絕緣層的形狀而變化。在另一實施例中，在有源區(qū)200中，第一源/漏電極233a、第三源/漏電極233c和第五源/漏電極23 可以彼此連接，并且第二源/漏電極23北、第四源/漏電極233d和第六源/漏電極233f可以彼此連接。在這種情況下，也可以維持偏移區(qū)、重疊區(qū)，以及第一至第三有源區(qū)200A至200C間的對稱(例如，反射式對稱、旋轉(zhuǎn)對稱)，因而可以維持流經(jīng)有源區(qū)200的電流的總量。在又一實施例中，在有源區(qū)200內(nèi)，第一源/漏電極233a、第三源/ 漏電極233c和第五源/漏電極23 可以彼此連接，并且第二源/漏電極23 、第四源/漏電極233d和第六源/漏電極233f可以彼此連接，同時第一有源區(qū)200A、第二有源區(qū)200B 和第三有源區(qū)200C彼此絕緣。圖3A是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的有源區(qū)300的布局圖。圖3B是沿圖3A的線I-I截取的截面圖。圖3C是沿圖3A的線II-II截取的截面圖。 圖3D是沿圖3A的線III-III截取的截面圖。根據(jù)當(dāng)前實施例的TFT的豎直堆疊結(jié)構(gòu)與以上參照圖IA至圖IC所描述的TFT的豎直堆疊結(jié)構(gòu)類似，因此這里將不再進(jìn)行描述。如圖3A所示，有源區(qū)300分成第一有源區(qū)300A、第二有源區(qū)300B、第三有源區(qū) 300C和第四有源區(qū)300D。第一有源區(qū)300A和第四有源區(qū)300D在布局方面基本相同，并且沿豎直對稱軸(例如，與圖3A中的線I-I垂直并且將柵電極321對分的線)對稱，沿水平對稱軸(例如，將第二有源區(qū)300B與第三有源區(qū)300C分開的線)對稱，并且繞有源區(qū)300 的中心對稱(即旋轉(zhuǎn)對稱)。第二有源區(qū)300B的布局與第三有源區(qū)300C的布局旋轉(zhuǎn)對稱。 柵電極321的與第二和第三有源區(qū)300B和300C重疊的部分的寬度可以比柵電極321的與第一和第四有源區(qū)300A和300D重疊的部分的寬度小(如圖3A中的虛線所示)。如圖;3B所示，在第一有源區(qū)300A中，第一源/漏電極333a和第二源/漏電極33 關(guān)于柵電極321對稱，同時與柵電極321部分重疊。在第一有源區(qū)300A中，有源層325包括位于第一源/漏電極333a下方的第一源/漏區(qū)32 、位于第二源/漏電極33 下方的第二源/漏區(qū)32 ，以及位于第一和第二源/漏區(qū)32 和32 之間的第一溝道區(qū)325ch_l。如圖3C所示，在第二有源區(qū)300B中，第三源/漏電極333c與柵電極321部分重疊，并且第四源/漏電極333d與柵電極321分開距離d3。在第二有源區(qū)300B中，有源層 325包括位于第三源/漏電極333c下方的第三源/漏區(qū)325c、位于第四源/漏電極333d 下方的第四源/漏區(qū)325d，以及位于第三和第四源/漏區(qū)325c和325d之間的第二溝道區(qū) 325ch_2。第二溝道區(qū)325ch_2包括位于柵電極321與第四源/漏電極333d之間的偏移區(qū) (與圖3C中第二溝道區(qū)325ch_2的由距離d3劃分出的部分對應(yīng)，也與圖3A中柵電極321 與第四源/漏電極333d之間的由距離d3劃分出的區(qū)域?qū)?yīng))。如圖3D所示，在第三有源區(qū)300C中，第五源/漏電極33 與柵電極321分開距離d3，并且第六源/漏電極333f與柵電極321部分重疊。在第三有源區(qū)300C中，有源層 325包括位于第五源/漏電極33 下方的第五源/漏區(qū)325e、位于第六源/漏電極333f 下方的第六源/漏區(qū)325f，以及位于第五和第六源/漏區(qū)32 和325f之間的第三溝道區(qū) 325ch_3。第三溝道區(qū)325ch_3包括位于第五源/漏電極33 與柵電極321之間的偏移區(qū) (與圖3D中第三溝道區(qū)325ch_3的由距離d3劃分出的部分對應(yīng)，也與圖3A中柵電極321 與第五源/漏電極33 之間的由距離d3劃分出的區(qū)域?qū)?yīng))。第三源/漏電極333c和第四源/漏電極333d在第二有源區(qū)300B中的布局與第五源/漏電極33 和第六源/漏電極333f在第三有源區(qū)300C中的布局旋轉(zhuǎn)對稱。如圖3A所示，在第四有源區(qū)300D中，第七源/漏電極333g和第八源/漏電極33 關(guān)于柵電極321對稱，同時與柵電極321部分重疊。第七源/漏電極333g和第八源/漏電極33 在第四有源區(qū)300D中的布局與第一源/漏電極333a和第二源/漏電極33 在第一有源區(qū)300A中的布局基本相同。因此，與圖:3B中示出的第一有源區(qū)300A的結(jié)構(gòu)類似， 在第四有源區(qū)300D中，有源層325包括位于第七源/漏電極333g下方的第七源/漏區(qū)、位于第八源/漏電極33 下方的第八源/漏區(qū)，以及位于第七和第八源/漏區(qū)之間的第四溝道區(qū)。第一有源區(qū)300A中的第一源/漏電極333a、第二有源區(qū)300B中的第三源/漏電極333c、第三有源區(qū)300C中的第五源/漏電極33 以及第四有源區(qū)300D中的第七源/漏電極333g彼此電連接。因此，相同的電壓從相同的源被施加至第一、第三、第五和第七源/ 漏電極333a、333c、33;3e和333g。同樣地，第一有源區(qū)300A中的第二源/漏電極33北、第二有源區(qū)300B中的第四源/漏電極333d、第三有源區(qū)300C中的第六源/漏電極333f和第四有源區(qū)300D中的第八源/漏電極33 彼此電連接。因此，相同的電壓從相同的源被施加至第二、第四、第六和第八源/漏電極33!3b、333d、333f和33汕。在這種情況下，在第一有源區(qū)300A和第四有源區(qū)300D中，第一和第二源/漏區(qū) 325a,325b以及第七和第八源/漏區(qū)與柵電極321的兩端重疊，從而大幅改善“通”電流特性。在第二有源區(qū)300B中，第四源/漏電極333d與柵電極321分開距離d3，因此第二溝道區(qū)325ch_2具有與圖3A和圖3C中柵電極321與第四源/漏電極333d之間的由距離d3劃分出的區(qū)域?qū)?yīng)的偏移區(qū)。在第三有源區(qū)300C中，第五源/漏電極33 與柵電極321分開距離d3，因此第三溝道區(qū)325ch_3具有與圖3A和圖3D中第五源/漏電極33 與柵電極321之間的由距離d3劃分出的區(qū)域?qū)?yīng)的偏移區(qū)。由于第二有源區(qū)300B和第三有源區(qū) 300C中的每個具有偏移區(qū)，因此，可以防止高電場被施加至第二溝道區(qū)325ch_2和第三溝道區(qū)325ch_3。相應(yīng)地，當(dāng)考慮有源區(qū)300時，可以防止TFT的性能劣化，從而改善“斷”電流特性。如上所述，第一有源區(qū)300A和第四有源區(qū)300D在布局方面基本相同，并且沿豎直方向的對稱軸對稱(并且沿水平對稱軸對稱，同時旋轉(zhuǎn)對稱)，并且第二有源區(qū)300B的布局與第三有源區(qū)300C的布局旋轉(zhuǎn)對稱。因此，當(dāng)相同電壓的方向改變時，電流的方向改變，但流經(jīng)有源區(qū)300的電流的總量基本相同。根據(jù)第一至第四有源區(qū)300A至300D的布局，當(dāng)施加相同電壓時，流經(jīng)根據(jù)當(dāng)前實施例的TFT中的有源區(qū)300的電流的總量可以相同，而與施加電壓的方向無關(guān)，從而改善了 “斷”電流特性和“通”電流特性。在另一實施例中，第一至第四有源區(qū)300A至300D可以彼此絕緣，使得第一至第四有源區(qū)300A至300D中的每個可以不受流經(jīng)其它有源區(qū)的電流的影響。而且，如上所述，在另一實施例中，在有源區(qū)300內(nèi)，第一源/漏電極333a、第三源/漏電極333c、第五源/漏電極33 和第七源/漏電極333g可以彼此連接，并且第二源/漏電極33北、第四源/漏電極333d、第六源/漏電極333f和第八源/漏電極33 可以彼此連接，同時第一至第四有源區(qū)300A至300D彼此絕緣。圖4A是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的有源區(qū)400的布局圖。圖4B是沿圖4A的線I-I截取的截面圖。圖4C是沿圖4A的線II-II截取的截面圖。 根據(jù)當(dāng)前實施例的TFT的豎直堆疊結(jié)構(gòu)與以上參照圖IA至圖IC所描述的TFT的豎直堆疊結(jié)構(gòu)類似，因此這里將不再進(jìn)行描述。如圖4A所示，有源區(qū)400分成彼此旋轉(zhuǎn)對稱的第一有源區(qū)400A和第二有源區(qū) 400B。根據(jù)當(dāng)前實施例的TFT具有雙柵極結(jié)構(gòu)，在該雙柵極結(jié)構(gòu)中，兩個柵電極，即第一柵電極421a和第二柵電極421b被平行包括在一個有源區(qū)400內(nèi)。第一柵電極421a的與第二有源區(qū)400B重疊的部分的寬度可以比第一柵電極421a的與第一有源區(qū)400A重疊的部分的寬度小，并且第二柵電極421b的與第一有源區(qū)400A重疊的部分的寬度可以比第二柵電極421b的與第二有源區(qū)400b重疊的部分的寬度小(如圖4A中的虛線所示)。如圖4B所示，在第一有源區(qū)400A中，第一源/漏電極433a與第一柵電極421a部分重疊，并且第二源/漏電極43 與第二柵電極421b分開距離d4。因此，有源層425包括位于第一源/漏電極433a下方的第一源/漏區(qū)42 、位于第二源/漏電極43 下方的第二源/漏區(qū)42 ，以及位于第一和第二源/漏區(qū)42 和42 之間的第一溝道區(qū)425ch_l。 第一溝道區(qū)425ch_l包括位于第一柵電極421a與第二柵電極421b之間的偏移區(qū)(與沿圖 4A中的線I-I在第一柵電極421a與第二柵電極421b之間的區(qū)域?qū)?yīng))和位于第二柵電極421b與第二源/漏電極43 之間的偏移區(qū)(與圖4B中第一溝道區(qū)425ch_l的由距離 d4劃分出的部分對應(yīng)，也與圖4A中第二柵電極421b與第二源/漏電極433d之間的由距離 d4劃分出的區(qū)域?qū)?yīng))。如圖4C所示，在第二有源區(qū)400B中，第三源/漏電極433c與第一柵電極421a分開距離d4，并且第四源/漏電極433d與第二柵電極421b部分重疊。因此，有源層425包括位于第三源/漏電極433c下方的第三源/漏區(qū)425c、位于第四源/漏電極433d下方的第四源/漏區(qū)425d，以及位于第三和第四源/漏區(qū)425c和425d之間的第二溝道區(qū)425ch_2。 第二溝道區(qū)425ch_2包括位于第三源/漏電極433c與第一柵電極421a之間的偏移區(qū)(與圖4C中第二溝道區(qū)425ch_2的由距離d4劃分出的部分對應(yīng)，也與圖4A中第三源/漏電極 433c與第一柵電極421a之間的由距離d4劃分出的區(qū)域?qū)?yīng))，以及位于第一柵電極421a 與第二柵電極421b之間的偏移區(qū)(與沿圖4A中的線II-II在第一柵電極421a與第二柵電極421b之間的區(qū)域?qū)?yīng))。第一源/漏電極433a和第二源/漏電極43 在第一有源區(qū)400A中的布局與第三源/漏電極433c和第四源/漏電極433d在第二有源區(qū)400B中的布局旋轉(zhuǎn)對稱。當(dāng)考慮第一柵電極421a和第二柵電極421b時，也呈現(xiàn)出相同的旋轉(zhuǎn)對稱，第一柵電極421a和第二柵電極421b在第一有源區(qū)400A和第二有源區(qū)400B的偏移區(qū)和重疊區(qū)中占據(jù)類似的尺寸。在有源區(qū)400中，第一柵電極421a和第二柵電極421b彼此旋轉(zhuǎn)對稱。第一有源區(qū)400A中的第一源/漏電極433a和第二有源區(qū)400B中的第三源/漏電極433c彼此電連接。因此，相同的電壓從相同的源被施加至第一和第三源/漏電極433a 和433c。同樣地，第一有源區(qū)400A中的第二源/漏電極43 和第二有源區(qū)400B中的第四源/漏電極433d彼此電連接。因此，相同的電壓從相同的源被施加至第二和第四源/漏電極 433b 和 433d。在第一有源區(qū)400A中，如果高電壓被施加至第二源/漏電極43北，則電流從第一源/漏區(qū)42 流向第一溝道區(qū)425ch_l，然后流向第二源/漏區(qū)42恥。在這種情況下，第一和第二柵電極421a和421b減少“斷”電流的量，并且第一溝道區(qū)425ch_l中的偏移區(qū)防止高電場被施加至第一溝道區(qū)425ch_l。因此，可以防止TFT的性能劣化，從而改善“斷”電流特性。另外，第一源/漏區(qū)42 與第一柵電極421a重疊，從而改善“通”電流特性。如果施加高電壓的方向改變(例如，高電壓被施加至第一有源區(qū)400A中的第一源 /漏電極433a)，則電流從第二源/漏區(qū)42 流向第一溝道區(qū)425ch_l，然后流向第一源/ 漏區(qū)425a。在這種情況下，偏移區(qū)相對于施加了高電壓的第一源/漏區(qū)42 的相對位置與高電壓被施加至第二源/漏電極43 時的不同。因此，形成在第一溝道區(qū)425ch_l中的電場的強(qiáng)度以及“通”電流和“斷”電流的量也與高電壓被施加至第二源/漏電極43 時的不同。也就是說，如果只考慮第一有源區(qū)400A，則當(dāng)施加至第一源/漏電極433a的電壓和施加至第二源/漏電極43 的電壓互換時，第一溝道區(qū)425ch_l中偏移區(qū)相對于施加了高電壓的源/漏電極的相對位置不同。結(jié)果，施加至第一溝道區(qū)425ch_l的電場的強(qiáng)度在高電壓被施加至第一源/漏電極433a時與在相同電壓被施加至第二源/漏電極43 時不同。因此，當(dāng)相同電壓被分別施加至第一和第二源/漏電極433a和43 時，流經(jīng)第一溝道區(qū)425ch_l的電流的量不同。也就是說，電流的量根據(jù)施加相同電壓的方向而變化。另外， 由于第一和第二有源區(qū)400A和400B的布局旋轉(zhuǎn)對稱，因此在只考慮第二有源區(qū)400B時， 也會發(fā)生相同現(xiàn)象。另一方面，當(dāng)考慮包括第一有源區(qū)400A和第二有源區(qū)400B的有源區(qū)400時，第二有源區(qū)400B的布局與第一有源區(qū)400A的布局旋轉(zhuǎn)對稱。因此，如果高電壓被施加至第一有源區(qū)400A中的第二源/漏電極43北，則流經(jīng)第一有源區(qū)400A的電流的量等于(或基本等于)相同高電壓被施加至第二有源區(qū)400B中的第三源/漏電極433c時流經(jīng)第二有源區(qū) 400B的電流的量。同樣地，如果高電壓被施加至第一有源區(qū)400A中的第一源/漏電極433a 時，則流經(jīng)第一有源區(qū)400A的電流的量等于(或基本等于)相同高電壓被施加至第二有源區(qū)400B中的第四源/漏電極433d時流經(jīng)第二有源區(qū)400B的電流的量。因此，當(dāng)高電壓被施加至第一有源區(qū)400A中的第二源/漏電極43 和第二有源區(qū)400B中的第四源/漏電極433d時，流經(jīng)第一和第二有源區(qū)400A和400B的電流的總量與相同高電壓被施加至第一有源區(qū)400A中的第一源/漏電極433a和第二有源區(qū)400B中的第三源/漏電極433c時的基本相同。因此，如果相同電壓的方向改變，則電流的方向改變，但流經(jīng)有源區(qū)400的電流的總量保持基本相同。在其它實施例中，第一和第二有源區(qū)400A和400B可以彼此絕緣，使得第一和第二有源區(qū)400A和400B中的每個可以不受流經(jīng)其它有源區(qū)的電流的影響。在另一實施例中， 在有源區(qū)400內(nèi)，第一源/漏電極433a可以連接到第三源/漏電極433c，并且第二源/漏電極43 可以連接到第四源/漏電極433d，同時第一和第二有源區(qū)400A和400B彼此絕緣。圖5A是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的有源區(qū)500的布局圖。圖5B是沿圖5A的線I-I截取的截面圖。圖5C是沿圖5A的線II-II截取的截面圖。 根據(jù)當(dāng)前實施例的TFT的豎直堆疊結(jié)構(gòu)與以上參照圖IA至圖IC所描述的TFT的豎直堆疊結(jié)構(gòu)類似，因此這里將不再進(jìn)行描述。除了在兩個柵電極，即第一柵電極521a與第二柵電極521b之間形成有偏移電極外，根據(jù)當(dāng)前實施例的TFT與圖4A至圖4C的TFT類似。在一些實施例中，與圖5A中示出的偏移電極相同，偏移電極包括兩個偏移電極。如圖5A所示，有源區(qū)500分成彼此旋轉(zhuǎn)對稱的第一有源區(qū)500A和第二有源區(qū) 500B。根據(jù)當(dāng)前實施例的TFT具有雙柵極結(jié)構(gòu)，在該雙柵極結(jié)構(gòu)中，第一柵電極521a和第二柵電極521b被平行包括在一個有源區(qū)500內(nèi)。第一柵電極521a的與第二有源區(qū)500B 重疊的部分的寬度可以比第一柵電極521a的與第一有源區(qū)500A重疊的部分的寬度小，并且第二柵電極521b的與第一有源區(qū)500A重疊的部分的寬度可以比第二柵電極521b的與第二有源區(qū)500B重疊的部分的寬度小(如圖5A中的虛線所示)。如圖5B所示，在第一有源區(qū)500A中，第一源/漏電極533a與第一柵電極521a部分重疊，并且第二源/漏電極53 與第二柵電極521b分開距離d5。因此，有源層525包括位于第一源/漏電極533a下方的第一源/漏區(qū)52 、位于第二源/漏電極53 下方的第二源/漏區(qū)52 ，以及位于第一和第二源/漏區(qū)52 和52 之間的第一溝道區(qū)525ch_l。 第一溝道區(qū)525ch_l包括位于第一柵電極521a與第二柵電極521b之間的偏移區(qū)(與沿圖 5A中的線I-I在第一柵電極521a與第二柵電極521b之間的區(qū)域?qū)?yīng)，包括與第一偏移電極533o_l對應(yīng)的區(qū)域)，以及位于第二柵電極521b與第二源/漏電極53 之間的偏移區(qū) (與圖5B中第一溝道區(qū)525ch_l的由距離d5劃分出的部分對應(yīng)，也與圖5A中第二柵電極 521b與第二源/漏電極533d之間的由距離d5劃分出的區(qū)域?qū)?yīng))。第一偏移電極533o_l位于第一柵電極521a與第二柵電極521b之間以與有源層 525絕緣。第一偏移電極533o_l可以被電連接至第一和第二柵電極521a和521b。第一偏移絕緣層531o_l被形成在第一溝道區(qū)525ch_l與第一偏移電極533o_l之間以將第一偏移電極533o_l與有源層525絕緣。
如圖5C所示，在第二有源區(qū)500B中，第三源/漏電極533c與第一柵電極521a分開距離d5，并且第四源/漏電極533d與第二柵電極521b部分重疊。在第二有源區(qū)500B中， 有源層525包括位于第三源/漏電極533c下方的第三源/漏區(qū)525c、位于第四源/漏電極 533d下方的第四源/漏區(qū)525d，以及位于第三和第四源/漏區(qū)525c和525d之間的第二溝道區(qū)525ch_2。第二溝道區(qū)525ch_2包括位于第三源/漏電極533c與第一柵電極521a之間的偏移區(qū)(與圖5C中第二溝道區(qū)525ch_2的由距離d5劃分出的部分對應(yīng)，也與圖5A中第三源/漏電極533c與第一柵電極521a之間的由距離d5劃分出的區(qū)域?qū)?yīng))，以及位于第一柵電極521a與第二柵電極521b之間的偏移區(qū)(與沿圖5A中的線II-II在第一柵電極521a與第二柵電極521b之間的區(qū)域?qū)?yīng)，包括與第二偏移電極533o_2對應(yīng)的區(qū)域)。第二偏移電極533o_2位于第一柵電極521a與第二柵電極521b之間以與有源層 525絕緣。第二偏移電極533o_2可以被電連接至第一和第二柵電極521a和521b。第二偏移絕緣層531o_2被形成在第二溝道區(qū)525ch_2與第二偏移電極533o_2之間以將第二偏移電極533o_2與有源層525絕緣。第一源/漏電極533a和第二源/漏電極53 在第一有源區(qū)500A中的布局與第三源/漏電極533c和第四源/漏電極533d在第二有源區(qū)500B中的布局旋轉(zhuǎn)對稱。當(dāng)考慮第一柵電極521a和第二柵電極521b時，也呈現(xiàn)出相同的旋轉(zhuǎn)對稱，第一柵電極521a和第二柵電極521b在第一有源區(qū)500A和第二有源區(qū)500B的偏移區(qū)和重疊區(qū)中占據(jù)類似的尺寸。在有源區(qū)500中，第一柵電極521a和第二柵電極521b彼此旋轉(zhuǎn)對稱。第一有源區(qū)500A中的第一源/漏電極533a和第二有源區(qū)500B中的第三源/漏電極533c彼此電連接。因此，相同電壓從相同源被施加至第一和第三源/漏電極533a和 533c。同樣地，第一有源區(qū)500A中的第二源/漏電極53 和第二有源區(qū)500B中的第四源 /漏電極533d彼此電連接。因此，相同電壓從相同源被施加至第二和第四源/漏電極53 和 533d。在第一有源區(qū)500A中，如果高電壓被施加至第二源/漏電極53北，則電流從第一源/漏區(qū)52 流向第一溝道區(qū)525ch_l，然后流向第二源/漏區(qū)525b。在這種情況下，第一和第二柵電極521a和521b減少“斷”電流的量，并且第一溝道區(qū)525ch_l中的偏移區(qū)防止高電場被施加至第一溝道區(qū)525ch_l。另外，第一偏移電極533o_l可以以使得電流可以平滑地流經(jīng)偏移區(qū)的方式控制第一柵電極521a與第二柵電極521b之間的偏移區(qū)的電阻值。 因此，可以防止TFT的性能劣化，從而改善“斷”電流特性。進(jìn)一步，第一源/漏電極52 與第一柵電極521a重疊，從而改善“通”電流特性。如果施加高電壓的方向改變(例如，高電壓被施加至第一有源區(qū)500A中的第一源 /漏電極533a)，則電流從第二源/漏區(qū)52 流向第一溝道區(qū)525ch_l，然后流向第一源/ 漏區(qū)525a。在這種情況下，偏移區(qū)相對于施加了高電壓的第一源/漏區(qū)52 的相對位置與高電壓被施加至第二源/漏電極53 時的不同。因此，形成在第一溝道區(qū)525ch_l中的電場的強(qiáng)度以及“通”電流和“斷”電流的量也與高電壓被施加至第二源/漏電極53 時的不同。也就是說，如果只考慮第一有源區(qū)500A，則當(dāng)施加至第一源/漏電極533a的電壓與施加至第二源/漏電極53 的電壓互換時，第一溝道區(qū)525ch_l的偏移區(qū)相對于施加了高電壓的源/漏電極的相對位置不同。結(jié)果，當(dāng)高電壓被施加至第一源/漏電極533a時，施加至第一溝道區(qū)525ch_l的電場的強(qiáng)度與相同電壓被施加至第二源/漏電極53 時的不同。因此，當(dāng)相同電壓分別被施加至第一和第二源/漏電極533a和53 時，流經(jīng)第一溝道區(qū)525ch_l的電流的量不同。也就是說，電流的量根據(jù)施加相同電壓的方向而變化。另外，由于第一和第二有源區(qū)500A和500B中的布局旋轉(zhuǎn)對稱，因此當(dāng)只考慮第二有源區(qū)500B 時，也會發(fā)生相同現(xiàn)象。另一方面，當(dāng)考慮包括第一有源區(qū)500A和第二有源區(qū)500B的有源區(qū)500時，第二有源區(qū)500B的布局與第一有源區(qū)500A的布局旋轉(zhuǎn)對稱。因此，如果高電壓被施加至第一有源區(qū)500A中的第二源/漏電極53北，則流經(jīng)第一有源區(qū)500A的電流的量等于(或基本上等于)相同高電壓被施加至第二有源區(qū)500B中的第三源/漏電極533c時流經(jīng)第二有源區(qū)500B的電流的量。同樣地，如果高電壓被施加至第一有源區(qū)500A中的第一源/漏電極 533a時，則流經(jīng)第一有源區(qū)500A的電流的量等于(或基本上等于)相同高電壓被施加至第二有源區(qū)500B中的第四源/漏電極533d時流經(jīng)第二有源區(qū)500B的電流的量。因此，當(dāng)高電壓被施加至第一有源區(qū)500A中的第二源/漏電極53 和第二有源區(qū)500B中的第四源/漏電極533d時，流經(jīng)第一和第二有源區(qū)500A和500B的電流的總量與相同高電壓被施加至第一有源區(qū)500A中的第一源/漏電極533a和第二有源區(qū)500B中的第三源/漏電極533c時的基本相同。也就是說，如果相同電壓的方向改變，則電流的方向改變，但流經(jīng)有源區(qū)500的電流的總量保持基本相同。在其它實施例中，第一和第二有源區(qū)500A和500B彼此可以絕緣，使得第一和第二有源區(qū)500A和500B中的每個可以不受流經(jīng)另一有源區(qū)的電流的影響。在另一實施例中， 在有源區(qū)500內(nèi)，第一源/漏電極533a可以連接到第三源/漏電極533c，第二源/漏電極 53 可以連接到第四源/漏電極533d，并且第一偏移電極533o_l可以連接到第二偏移電極533o_2，同時第一和第二有源區(qū)500A和500B彼此絕緣。圖6A是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的有源區(qū)600的布局圖。圖6B是沿圖6A的線I-I截取的截面圖。根據(jù)當(dāng)前實施例的TFT的豎直堆疊結(jié)構(gòu)與以上參照圖IA至圖IC所描述的TFT的豎直堆疊結(jié)構(gòu)類似，因此這里將不再進(jìn)行描述。根據(jù)當(dāng)前實施例的TFT具有雙柵極結(jié)構(gòu)，在該雙柵極結(jié)構(gòu)中，兩個柵電極，即第一柵電極621a和第二柵電極621b被平行包括在一個有源區(qū)600內(nèi)。如圖6B所示，在有源區(qū)600中，第一源/漏電極633a與第一柵電極621a部分重疊，并且第二源/漏電極63 與第二柵電極621b部分重疊。第一源/漏電極633a與第二柵電極621b分開距離d6，因此，可以認(rèn)為第一源/漏電極633a偏移于第二柵電極621b。同樣地，第二源/漏電極63 與第一柵電極621a分開距離d6，因此，可以認(rèn)為第二源/漏電極63 偏移于第一柵電極621a。有源層625包括位于第一源/漏電極633a下方的第一源/漏區(qū)62 、位于第二源 /漏電極63 下方的第二源/漏區(qū)62 ，以及位于第一和第二源/漏區(qū)62 和62 之間的溝道區(qū)625ch。溝道區(qū)625ch包括位于第一柵電極621a與第二柵電極621b之間的偏移區(qū)(與沿圖6A中的線I-I在第一柵電極621a與第二柵電極621b之間的區(qū)域?qū)?yīng)，包括與由距離d6劃分出的兩個區(qū)域的交集對應(yīng)的區(qū)域)。在有源區(qū)600中，第一源/漏電極633a的布局與第二源/漏電極63 的布局沿豎直對稱軸(例如，與圖6A中的線I-I垂直并且位于第一柵電極621a與第二柵電極621b之間的中間的線)對稱。另外，第一柵電極621a的布局與第二柵電極621b的布局也沿相同的豎直對稱軸對稱。源/漏電極和柵電極也呈現(xiàn)出沿水平對稱軸(例如，圖6A中的線1-1) 的相同對稱。進(jìn)一步，這些組的電極也旋轉(zhuǎn)對稱。在有源區(qū)600中，如果高電壓被施加至第二源/漏電極63北，則電流從第一源/漏區(qū)62 流向溝道區(qū)625ch，然后流向第二源/漏區(qū)62恥。在這種情況下，第一和第二柵電極621a和621b減少“斷”電流的量，并且溝道區(qū)625ch的偏移區(qū)防止高電場被施加至溝道區(qū)625ch。因此，可以防止TFT的性能劣化，從而改善“斷”電流特性。另外，第一源/漏電極62 與第一柵電極621a重疊，從而改善“通”電流特性。類似地，第二源/漏區(qū)62 與第二柵電極621b重疊，因此改善“通”電流特性。如果施加高電壓的方向改變(例如，高電壓被施加至第一有源區(qū)600中的第一源/ 漏電極633a)，則電流從第二源/漏區(qū)62 流向溝道區(qū)625ch，然后流向第一源/漏區(qū)62fe。 在這種情況下，偏移區(qū)相對于施加了高電壓的源/漏區(qū)62 的相對位置與高電壓被施加至第二源/漏電極63 時的相同。因此，與高電壓被施加至第二源/漏電極63 時相比，流經(jīng)有源區(qū)600的電流在方向方面不同，但在量方面基本上相同。也就是說，當(dāng)電壓的幅度對于每個方向相同時，電流的量基本上相同，而與施加電壓的方向無關(guān)。圖7A是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的有源區(qū)700的布局圖。圖7B是沿圖7A的線I-I截取的截面圖。根據(jù)當(dāng)前實施例的TFT的豎直堆疊結(jié)構(gòu)與以上參照圖IA至圖IC所描述的TFT的豎直堆疊結(jié)構(gòu)類似，因此這里將不再進(jìn)行描述。根據(jù)當(dāng)前實施例的TFT具有雙柵極結(jié)構(gòu)，在該雙柵極結(jié)構(gòu)中，兩個柵電極，即第一柵電極721a和第二柵電極721b被平行包括在一個有源區(qū)700內(nèi)。如圖7B所示，在有源區(qū)700中，第一源/漏電極733a與第一柵電極721a部分重疊，并且第二源/漏電極73 與第二柵電極721b部分重疊。第一源/漏電極733a與第二柵電極721b分開距離d7，因此，可以認(rèn)為第一源/漏電極733a偏移于第二柵電極721b。同樣地，第二源/漏電極73 與第一柵電極721a分開距離d7，因此，可以認(rèn)為第二源/漏電極73 偏移于第一柵電極721a。 有源層725包括位于第一源/漏電極733a下方的第一源/漏區(qū)72 、位于第二源 /漏電極73 下方的第二源/漏區(qū)72 ，以及位于第一和第二源/漏區(qū)72 和72 之間的溝道區(qū)725ch。溝道區(qū)725ch包括位于第一柵電極721a與第二柵電極721b之間的偏移區(qū)(與沿圖7A中的線I-I在第一柵電極721a與第二柵電極721b之間的區(qū)域?qū)?yīng)，包括與偏移電極733ο對應(yīng)的區(qū)域)。偏移電極733ο位于第一柵電極721a與第二柵電極721b之間以與有源層725絕緣。偏移電極733ο可以被電連接至第一和第二柵電極721a和721b。偏移絕緣層731ο被形成在溝道區(qū)725ch與偏移電極733ο之間以將偏移電極733ο與有源層725絕緣。在有源區(qū)700中，第一源/漏電極733a的布局與第二源/漏電極73 的布局沿豎直對稱軸(例如，與圖7A中的線I-I垂直并且將偏移電極733ο對分的線)對稱。另外， 第一柵電極721a的布局與第二柵電極721b的布局也沿相同的豎直對稱軸對稱。這些組的電極之間也呈現(xiàn)出沿水平對稱軸(例如，圖7A的線1-1)的相同對稱，并且在這些組的電極之間也存在旋轉(zhuǎn)對稱。在有源區(qū)700中，如果高電壓被施加至第二源/漏電極73北，則電流從第一源/漏區(qū)72 流向溝道區(qū)725ch，然后流向第二源/漏區(qū)72恥。在這種情況下，第一和第二柵電極721a和721b減少“斷”電流的量，并且溝道區(qū)725ch中的偏移區(qū)防止高電場被施加至溝道區(qū)725ch。相應(yīng)地，可以防止TFT的性能劣化，從而改善“斷”電流特性。另外，偏移電極733ο可以以使得電流可以平滑地流經(jīng)偏移區(qū)的方式控制第一柵電極721a與第二柵電極 721b之間的偏移區(qū)的電阻值。進(jìn)一步，第一源/漏區(qū)72 與第一柵電極721a重疊，并且第二源/漏區(qū)72 與第二柵電極721b重疊，從而改善“通”電流特性。如果施加高電壓的方向改變(例如，高電壓被施加至有源區(qū)700中的第一源/漏電極733a)，則電流從第二源/漏區(qū)72 流向溝道區(qū)725ch，然后流向第一源/漏區(qū)725a。 在這種情況下，偏移區(qū)相對于施加了高電壓的源/漏區(qū)72 的相對位置與高電壓被施加至第二源/漏電極73 時的相同。因此，與高電壓被施加至第二源/漏電極73 時相比，流經(jīng)有源區(qū)700的電流在其方向方面不同，但在其量方面基本上相同。也就是說，當(dāng)電壓的幅度對于每個方向相同時，電流的量基本上相同，而與施加電壓的方向無關(guān)。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的有源區(qū)800的布局圖。有源區(qū)800被分成彼此旋轉(zhuǎn)對稱的第一有源區(qū)800A和第二有源區(qū)800B。參見圖8，除了第一源/漏電極833a是圖IA中示出的有源區(qū)100的第一源/漏電極133a和第三源/漏電極133c的組合，并且第二源/漏電極83 是有源區(qū)100的第二源 /漏電極13 和第四源/漏電極133d的組合之外，有源區(qū)800具有與圖IA的有源區(qū)100 相同的結(jié)構(gòu)。因此，圖8的TFT沿圖8的線I-I截取的截面圖與圖IB的截面圖相同，并且圖8的TFT沿圖8的線II-II截取的截面圖與圖IC的截面圖相同。在第一有源區(qū)800A中，第一源/漏電極833a與柵電極821部分重疊，并且第二源 /漏電極83 與柵電極821分開距離d8。在第二有源區(qū)800B中，第一源/漏電極833a與柵電極821分開距離d8，并且第二源/漏電極83 與柵電極821部分重疊。如以上對圖IA至圖IC的有源區(qū)100所描述的那樣，在圖8的TFT中，由于柵電極 821與源/漏電極之一之間的偏移區(qū)，其中源/漏電極的每個與柵電極821分開距離d8，因此可以防止高電場被施加至溝道區(qū)。因此，可以防止TFT的性能劣化，從而改善了 “斷”電流特性。另外，第一源/漏電極833a和第二源/漏電極83 都與柵電極821部分重疊，從而改善了 “通”電流特性。由于第一源/漏電極833a、第二源/漏電極83 和柵電極821 繞有源區(qū)800的中心旋轉(zhuǎn)對稱，因此當(dāng)電壓的幅度對于每個方向相同時，流經(jīng)溝道區(qū)的電流的量基本上相同，而與電壓被施加至第一源/漏電極833a和第二源/漏電極83 的方向無關(guān)。盡管第一源/漏電極833a和第二源/漏電極83 在第一有源區(qū)800A和第二有源區(qū)800B中彼此連接，但可以通過將有源層825絕緣來限制電流的通路。圖9是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的有源區(qū)900的布局圖。有源區(qū)900分成沿水平對稱軸(例如，將第一有源區(qū)900A與第二有源區(qū)900B分開的線)彼此對稱的第一有源區(qū)900A和第二有源區(qū)900B。有源區(qū)900是兩個圖8的有源區(qū)800的組合，其中一個有源區(qū)800的布局是另一有源區(qū)800的布局的鏡像(反射)。具體地說，有源區(qū)900具有這樣的結(jié)構(gòu)兩個圖8的有源區(qū)800以一距離(例如，預(yù)定的距離)彼此分開并且沿水平對稱軸(例如，將第一有源區(qū) 900A和第二有源區(qū)900B分開的線)彼此對稱。另外，有源區(qū)800的第一和第二源/漏電極833a和83 的底表面和頂表面被延伸并接合在一起以形成第一源/漏電極933a和第二源 /漏電極93北。因此，圖9的TFT的沿圖9的線I-I截取的截面圖與圖IB的截面圖相同， 并且圖9的TFT的沿圖9的線II-II截取的截面圖與圖IC的截面圖相同。在第一有源區(qū)900A中，第一源/漏電極933a與柵電極921部分重疊，并且第一源 /漏電極933a的一部分偏移于柵電極921。另外，第二源/漏電極93 與柵電極921部分重疊，并且第二源/漏電極93 的一部分偏移于柵電極921。如以上對圖IA至圖IC的有源區(qū)100所描述的那樣，在圖9的TFT中，可以通過使用與柵電極921分開距離(19的偏移區(qū)來防止高電場被施加至溝道區(qū)。因此，可以防止TFT的性能劣化，從而改善了“斷”電流特性。另外，第一源/漏電極933a和第二源/漏電極93 都與柵電極921部分重疊，從而改善了 “通”電流特性。由于第一有源區(qū)900A和第二有源區(qū)900B沿水平對稱軸彼此對稱，因此當(dāng)電壓的幅度對于每個方向相同時，流經(jīng)溝道區(qū)的電流的量基本上相同，而與電壓是被施加至第一源/漏電極933a還是第二源/漏電極93 無關(guān)。盡管第一源/漏電極933a和第二源/漏電極93 在第一有源區(qū)900A和第二有源區(qū)900B中被連接，但可以通過將有源層925絕緣來限制電流的通路。以上已描述了根據(jù)本發(fā)明的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT的各種實施例，但本發(fā)明不限于以上實施例。示例性實施例的特征可以包括存在于單元的有源區(qū)之中的偏移區(qū)和重疊區(qū)， 以及相對彼此呈現(xiàn)出某些形式的對稱的電極，從而改善“斷”電流特性和“通”電流特性。圖10是示出將根據(jù)本發(fā)明實施例的TFT中的溝道電流Ids(豎直軸)對柵極電壓 Vg(水平軸)的特性與比較例的溝道電流對柵極電壓的特性進(jìn)行比較的仿真結(jié)果的曲線圖。 在圖10的曲線圖中，“傳統(tǒng)TFT ”表示不具有偏移結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)TFT，“偏移TFT〇”表示具有偏移結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)TFT，并且“混合TFT Δ”表示根據(jù)本發(fā)明的例如如圖IA至圖IC所示的具有偏移結(jié)構(gòu)的TFT。這里，使用ATLAS設(shè)備仿真。參見圖10，這三種類型的TFT的比較表明“偏移TFT〇”示出最小量的“斷”電流 (例如，與負(fù)柵極電壓Vg對應(yīng))和最小量的“通”電流(例如，與正柵極電壓Vg對應(yīng))。在具有偏移結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)TFT “偏移TFT〇”中，由于偏移區(qū)而導(dǎo)致“斷”電流的量較小，但也由于偏移區(qū)的高電阻值而導(dǎo)致“通”電流的量較小。由于漏電流而導(dǎo)致“傳統(tǒng)TFT ”示出最大量的“通”電流但也示出最大量的“斷”電流?！盎旌蟃FT Δ”示出“通”電流的量與利用“傳統(tǒng)TFT ”繪出的量一樣大，但“斷”電流的量與利用“偏移TFT〇”繪出的量一樣小。在具有根據(jù)本發(fā)明的偏移結(jié)構(gòu)的TFT混合TFT Δ中，可以得出結(jié)論源/漏電極和柵電極的重疊部分使“通”電流的量較大，而源/漏電極與柵電極之間的偏移區(qū)使“斷”電流的量較小。也就是說，從圖10的曲線圖中可以注意到，當(dāng)使用根據(jù)本發(fā)明實施例的具有偏移區(qū)和非偏移區(qū)的TFT時，可以減小“斷”電流的量，同時增加“通”電流的量。而且，如上所述，如果源/漏電極和柵電極(或多個柵電極)被布置為對稱(例如，反射式對稱、旋轉(zhuǎn)對稱)，則當(dāng)電壓的幅度對于每個方向相同時，流經(jīng)溝道區(qū)的電流的量基本相同，而與向柵極施加電壓的方向無關(guān)。盡管已參照示例性實施例具體示出并描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不背離如以下權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍及其等同物的情況下，可以在這里對形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種改變。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，包括被分成第一有源區(qū)和第二有源區(qū)的有源區(qū)，所述有源區(qū)包括柵電極；有源層，包括與所述第一有源區(qū)對應(yīng)的第一有源層和與所述第二有源區(qū)對應(yīng)的第二有源層，所述第一有源層和所述第二有源層與所述柵電極重疊；柵絕緣層，位于所述柵電極與所述有源層之間；以及源/漏電極層，包括電連接到所述第一有源層的第一源/漏電極和第二源/漏電極以及電連接到所述第二有源層的第三源/漏電極和第四源/漏電極，其中從所述第一至第四源/漏電極中選出的兩個源/漏電極與所述柵電極部分重疊，所述第一至第四源/漏電極中的其它兩個源/漏電極偏移于所述柵電極，并且所述第一至第四源/漏電極和所述柵電極被對稱布置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一和第三源/漏電極彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第一和第三源/ 漏電極，并且所述第二和第四源/漏電極彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第二和第四源/ 漏電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述第一源/漏電極和所述第三源/漏電極彼此連接；并且所述第二源/漏電極和所述第四源/漏電極彼此連接。
4.一種薄膜晶體管，包括兩個如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其中該兩個薄膜晶體管的相應(yīng)源/漏電極和柵電極以對稱布置的方式連接以用作單個薄膜晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述有源層包括由非晶硅、多晶硅、微晶硅、氧化物半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體及其組合構(gòu)成的組中選出的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述有源區(qū)進(jìn)一步包括位于所述有源層與所述源/漏電極層之間的歐姆接觸層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一有源層包括與所述第一源/漏電極對應(yīng)的第一源/漏區(qū)、與所述第二源/漏電極對應(yīng)的第二源/漏區(qū)，以及位于所述第一源/漏區(qū)與所述第二源/漏區(qū)之間的第一溝道區(qū)，并且所述第二有源層包括與所述第三源/漏電極對應(yīng)的第三源/漏區(qū)、與所述第四源/漏電極對應(yīng)的第四源/漏區(qū)，以及位于所述第三源/漏區(qū)與所述第四源/漏區(qū)之間的第二溝道區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其中所述第一溝道區(qū)包括不與所述柵電極、所述第一源/漏電極和所述第二源/漏電極中的任一個重疊的第一偏移區(qū)，并且所述第二溝道區(qū)包括不與所述柵電極、所述第三源/漏電極和所述第四源/漏電極中的任一個重疊的第二偏移區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第二有源區(qū)中的源/漏電極層與所述第一有源區(qū)中的源/漏電極層旋轉(zhuǎn)對稱。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述第一源/漏電極和所述第二源/漏電極中的一個與所述柵電極重疊，并且所述第一源/漏電極和所述第二源/漏電極中的另一個偏移于所述柵電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)彼此絕緣。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述柵電極包括彼此平行的第一柵電極和第二柵電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其中所述第一和第三源/漏電極彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第一和第三源/ 漏電極，并且所述第二和第四源/漏電極彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第二和第四源/ 漏電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其中所述第二有源區(qū)中的源/漏電極層與所述第一有源區(qū)中的源/漏電極層旋轉(zhuǎn)對稱。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管，其中所述第一至第四源/漏電極中的一個與所述第一柵電極部分重疊；并且所述第一至第四源/漏電極中的另一個與所述第二柵電極部分重疊。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其中所述第一柵電極的與所述第二有源層重疊的寬度比所述第一柵電極的與所述第一有源區(qū)重疊的寬度小。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其中所述有源區(qū)進(jìn)一步包括與所述第一柵電極和所述第二柵電極之間的區(qū)域重疊的偏移電極，所述偏移電極與所述有源層絕緣。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的薄膜晶體管，其中所述偏移電極包括與所述第一和第二源/漏電極之間的區(qū)域重疊的第一偏移電極，所述第一偏移電極與所述第一有源層絕緣，以及與所述第三和第四源/漏電極之間的區(qū)域重疊的第二偏移電極，所述第二偏移電極與所述第二有源層絕緣。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的薄膜晶體管，其中所述第一和第三源/漏電極彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第一和第三源/ 漏電極，并且所述第二和第四源/漏電極彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第二和第四源/ 漏電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的薄膜晶體管，其中所述偏移電極被電連接到所述第一柵電極和所述第二柵電極。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其中所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)彼此絕緣。
22.一種薄膜晶體管，包括被分成第一有源區(qū)、第二有源區(qū)和第三有源區(qū)的有源區(qū)，所述有源區(qū)包括柵電極；有源層，包括與所述第一有源區(qū)對應(yīng)的第一有源層、與所述第二有源區(qū)對應(yīng)的第二有源層，和與所述第三有源區(qū)對應(yīng)的第三有源層，所述第一有源層、所述第二有源層和所述第三有源層與所述柵電極重疊；柵絕緣層，位于所述柵電極與所述有源層之間；以及源/漏電極層，包括電連接到所述第一有源層的第一源/漏電極和第二源/漏電極、電連接到所述第二有源層的第三源/漏電極和第四源/漏電極，以及電連接到所述第三有源層的第五源/漏電極和第六源/漏電極，其中從所述第一至第四源/漏電極中選出的兩個源/漏電極與所述柵電極部分重疊，所述第一至第四源/漏電極中的其它兩個源/漏電極偏移于所述柵電極，并且所述第一至第六源/漏電極和所述柵電極被對稱布置。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的薄膜晶體管，其中所述第一、第三和第五源/漏電極彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第一、第三和第五源/漏電極，并且所述第二、第四和第六源/漏電極彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第二、第四和第六源/漏電極。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的薄膜晶體管，其中所述第三有源區(qū)中的源/漏電極層與所述第一有源區(qū)中的源/漏電極層對稱。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的薄膜晶體管，其中所述第一源/漏電極和所述第二源/漏電極與所述柵電極部分重疊，并且所述第三源/漏電極和所述第四源/漏電極偏移于所述柵電極。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的薄膜晶體管，其中所述第一有源層包括與所述第一源/漏電極對應(yīng)的第一源/漏區(qū)、與所述第二源/漏電極對應(yīng)的第二源/漏區(qū)，以及位于所述第一源/漏區(qū)與所述第二源/漏區(qū)之間的第一溝道區(qū)，所述第二有源層包括與所述第三源/漏電極對應(yīng)的第三源/漏區(qū)、與所述第四源/漏電極對應(yīng)的第四源/漏區(qū)，以及位于所述第三源/漏區(qū)與所述第四源/漏區(qū)之間的第二溝道區(qū)，并且所述第三有源層包括與所述第五源/漏電極對應(yīng)的第五源/漏區(qū)、與所述第六源/漏電極對應(yīng)的第六源/漏區(qū)，以及位于所述第五源/漏區(qū)與所述第六源/漏區(qū)之間的第三溝道區(qū)。
27.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的薄膜晶體管，其中所述第二溝道區(qū)包括不與所述柵電極、 所述第三源/漏電極和所述第四源/漏電極中的任一個重疊的偏移區(qū)。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的薄膜晶體管，其中所述第一有源區(qū)中的源/漏電極層、所述第二有源區(qū)中的源/漏電極層和所述第三有源區(qū)中的源/漏電極層沿對稱軸對稱。
29.根據(jù)權(quán)利要求22所述的薄膜晶體管，其中所述柵電極的與所述第二有源層重疊的寬度比所述柵電極的與所述第一和第三有源區(qū)重疊的寬度小。
30.根據(jù)權(quán)利要求22所述的薄膜晶體管，其中所述第一至第三有源區(qū)彼此絕緣。
31.一種薄膜晶體管，包括被分成第一有源區(qū)、第二有源區(qū)、第三有源區(qū)和第四有源區(qū)的有源區(qū)，所述有源區(qū)包括柵電極；有源層，包括與所述第一有源區(qū)對應(yīng)的第一有源層、與所述第二有源區(qū)對應(yīng)的第二有源層、與所述第三有源區(qū)對應(yīng)的第三有源層和與所述第四有源區(qū)對應(yīng)的第四有源層，所述第一有源層、所述第二有源層、所述第三有源層和所述第四有源層與所述柵電極重疊； 柵絕緣層，位于所述柵電極與所述有源層之間；以及源/漏電極層，包括電連接到所述第一有源層的第一源/漏電極和第二源/漏電極、電連接到所述第二有源層的第三源/漏電極和第四源/漏電極、電連接到所述第三有源層的第五源/漏電極和第六源/漏電極，以及電連接到所述第四有源層的第七源/漏電極和第八源/漏電極，其中從所述第三至第六源/漏電極中選出的兩個源/漏電極與所述柵電極部分重疊， 所述第三至第六源/漏電極中的其它兩個源/漏電極偏移于所述柵電極，并且所述第一至第八源/漏電極和所述柵電極被對稱布置。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的薄膜晶體管，其中所述第一、第三、第五和第七源/漏電極彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第一、第三、第五和第七源/漏電極，并且所述第二、第四、第六和第八源/漏電極彼此電連接，使得相同電壓被施加至所述第二、第四、第六和第八源/漏電極。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的薄膜晶體管，其中所述第一有源層包括與所述第一源/漏電極對應(yīng)的第一源/漏區(qū)、與所述第二源/漏電極對應(yīng)的第二源/漏區(qū)，以及位于所述第一源/漏區(qū)與所述第二源/漏區(qū)之間的第一溝道區(qū)，所述第二有源層包括與所述第三源/漏電極對應(yīng)的第三源/漏區(qū)、與所述第四源/漏電極對應(yīng)的第四源/漏區(qū)，以及位于所述第三源/漏區(qū)與所述第四源/漏區(qū)之間的第二溝道區(qū)，所述第三有源層包括與所述第五源/漏電極對應(yīng)的第五源/漏區(qū)、與所述第六源/漏電極對應(yīng)的第六源/漏區(qū)，以及位于所述第五源/漏區(qū)與所述第六源/漏區(qū)之間的第三溝道區(qū)，并且所述第四有源層包括與所述第七源/漏電極對應(yīng)的第七源/漏區(qū)、與所述第八源/漏電極對應(yīng)的第八源/漏區(qū)，以及位于所述第七源/漏區(qū)與所述第八源/漏區(qū)之間的第四溝道區(qū)。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的薄膜晶體管，其中所述第二溝道區(qū)包括不與所述柵電極、所述第三源/漏電極和所述第四源/漏電極中的任一個重疊的第一偏移區(qū)，并且所述第三溝道區(qū)包括不與所述柵電極、所述第五源/漏電極和所述第六源/漏電極中的任一個重疊的第二偏移區(qū)。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的薄膜晶體管，其中所述第三有源區(qū)中的源/漏電極層與所述第二有源區(qū)中的源/漏電極層旋轉(zhuǎn)對稱，并且所述第四有源區(qū)中的源/漏電極層與所述第一有源區(qū)中的源/漏電極層對稱。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的薄膜晶體管，其中所述第一源/漏電極和所述第二源/漏電極與所述柵電極部分重疊。
37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的薄膜晶體管，其中所述第三源/漏電極和所述第四源/漏電極中的一個與所述柵電極重疊，并且所述第三源/漏電極和所述第四源/漏電極中的另一個偏移于所述柵電極。
38.根據(jù)權(quán)利要求31所述的薄膜晶體管，其中所述柵電極的與所述第二和第三有源區(qū)重疊的寬度比所述柵電極的與所述第一和第四有源區(qū)重疊的寬度小。
39.根據(jù)權(quán)利要求31所述的薄膜晶體管，其中所述第一至第四有源區(qū)彼此絕緣。
40.一種薄膜晶體管，包括有源區(qū)，所述有源區(qū)包括 柵電極，包括彼此平行的第一柵電極和第二柵電極； 有源層，與所述第一柵電極和所述第二柵電極重疊； 柵絕緣層，位于所述柵電極與所述有源層之間；以及源/漏電極層，包括電連接到所述有源層的第一源/漏電極和第二源/漏電極，其中 所述第一源/漏電極與所述第一柵電極部分重疊， 所述第二源/漏電極與所述第二柵電極部分重疊，并且所述第一和第二源/漏電極以及所述柵電極被對稱布置。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的薄膜晶體管，其中所述有源區(qū)進(jìn)一步包括與所述第一柵電極和所述第二柵電極之間的區(qū)域重疊的偏移電極，所述偏移電極與所述有源層絕緣。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的薄膜晶體管，其中所述偏移電極電連接到所述第一柵電極和所述第二柵電極。
43.根據(jù)權(quán)利要求40所述的薄膜晶體管，其中所述有源層包括與所述第一源/漏電極對應(yīng)的第一源/漏區(qū)、與所述第二源/漏電極對應(yīng)的第二源/漏區(qū)，以及位于所述第一源/ 漏區(qū)和所述第二源/漏區(qū)之間的溝道區(qū)。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的薄膜晶體管，其中所述溝道區(qū)包括不與所述第一柵電極、 所述第二柵電極、所述第一源/漏電極和所述第二源/漏電極中的任一個重疊的偏移區(qū)。
全文摘要
公開了具有偏移結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管(TFT)。所述TFT維持足夠低的“斷”電流和足夠高的“通”電流。所述TFT包括有源區(qū)。所述有源區(qū)包括柵電極；與所述柵電極重疊的有源層；位于所述柵電極與所述有源層之間的柵絕緣層；以及包括電連接到所述有源區(qū)的源/漏電極的源/漏電極層。所述源/漏電極中的某些與所述柵電極部分重疊。所述源/漏電極中的其它源/漏電極偏移于所述柵電極。所述源/漏電極和所述柵電極被對稱布置。
文檔編號H01L29/417GK102280489SQ20111013400
公開日2011年12月14日 申請日期2011年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月8日
發(fā)明者張龍在, 金正晥, 金正賢, 金起弘 申請人:三星移動顯示器株式會社