一種水平半絕緣砷化鎵晶體生長裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種水平半絕緣砷化鎵晶體生長裝置，該裝置屬晶體生長【技術(shù)領域】。它包括一個閉合的不含觀察窗（6)的均勻加熱場系統(tǒng)(I)，在加熱場系統(tǒng)（I)內(nèi)高中溫結(jié)合部設一無加熱體的空置區(qū)（3)，在安瓿反應室（5)—端設一可控砷壓倉（4)。從而使熱場分布更加均勻，垂向和徑向溫度梯度都變得更易控制，砷壓可隨機控制，使晶體具備優(yōu)異化學計量比，成晶率重復性增加，從而使廣品質(zhì)量明顯提局。
【專利說明】一種水平半絕緣砷化鎵晶體生長裝置
【技術(shù)領域】：
[0001] 本實用新型涉及晶體生長領域，特別是一種水平半絕緣砷化鎵晶體生長裝置?！颈尘凹夹g(shù)】：
[0002] 中國專利CN101063233B公開了一種水平摻鉻半絕緣砷化鎵晶體的生長設備，它 在傳統(tǒng)的生長設備基礎上進行了更新，提高了成晶率。但是由于在筒型熱場裝置上面開 了用于觀察的視窗，造成熱量大量外泄，致使熱系統(tǒng)變得不均勻，導致垂向溫度梯度不易控 制。籽晶腔下部設一砷壓腔，使得在晶體生長過程中砷壓隨著籽晶腔所在溫區(qū)溫度不斷變 化而變化，致使砷壓不穩(wěn)，化學計量比偏離，使成晶重復性變差。
【發(fā)明內(nèi)容】
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[0003] 本實用新型需要解決的技術(shù)問題是：克服【背景技術(shù)】的不足，提供一種熱系統(tǒng)更加 穩(wěn)定，砷壓控制良好，晶體有嚴格化學計量比，成晶重復性好的新型晶體生長裝置。
[0004] 本實用新型的技術(shù)方案是以如下方式完成的：它包括一個閉合的不含觀察窗的均 勻加熱場裝置，其特征在于在閉合的加熱場裝置內(nèi)高中溫結(jié)合部設一空置區(qū)，空置區(qū)只填 充保溫材料不設置加熱體。在安瓿反應室一端設一砷壓隨機可控的砷壓倉。
[0005] 本實用新型因加熱場裝置是閉合式的，不易造成窗口熱量流失過大，設置了不含 加熱體的空置區(qū)可使生長界面附近的結(jié)晶潛熱得到適當散發(fā)，垂向和徑向溫度梯度都變得 更易控制，整個加熱場熱分布更加均勻。由于單獨設置了砷壓倉，砷壓不再隨籽晶腔溫度變 化而變化，在整個晶體生長工藝過程中都使砷壓得到了隨機調(diào)整控制，始終使砷壓保持在 各個工藝段要求的范圍內(nèi)。這使得晶體具備優(yōu)異的化學計量比，成晶率重復性大大增加，從 而使產(chǎn)品質(zhì)量得到明顯提高。
【專利附圖】
【附圖說明】：
[0006] 下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
[0007] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)加熱場裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008] 圖2是本實用新型加熱場裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009] 圖中1.加熱場系統(tǒng)，2.固液生長界面,3.空置區(qū),4.砷壓倉,5.安瓶反應室.6.觀 察窗。
【具體實施方式】：
[0010] 本實用新型是對現(xiàn)有技術(shù)的改進。從圖1和圖2可以看出，本實用新型設置了一 個閉合的不含觀察窗6的加熱場系統(tǒng)1，在整個工藝過程中晶體在一閉合的加熱場系統(tǒng)1中 生長。在高中溫結(jié)合部增加了一空置區(qū)3,空置區(qū)3內(nèi)有固液生長界面2的圖像傳感器。在 安瓿反應室5設一單獨砷壓倉4,砷壓倉4具有獨立的溫控系統(tǒng)，在晶體生長工藝過程中，無 加熱體空置區(qū)3既可調(diào)整熱場均勻性，又可在工藝不穩(wěn)定的情況下觀察固液生長界面2的 生長狀況并作及時調(diào)整。引晶放肩工藝段砷壓倉4處于中溫區(qū)無需加熱，進入等徑生長階 段啟動砷壓倉4控制系統(tǒng)并實時控制，始終使砷壓保持在工藝段要求的范圍內(nèi)。這使得晶 體具備優(yōu)異的化學計量比，加上均勻的熱場，使成晶率重復性大大增加，產(chǎn)品質(zhì)量得到明顯 提尚。
【權(quán)利要求】
1. 一種水平半絕緣砷化鎵晶體生長裝置，它包括一個閉合的不設視窗的均勻加熱場裝 置，其特征在于：在閉合的加熱場裝置內(nèi)高中溫結(jié)合部設一空置區(qū)，空置區(qū)只填沖保溫材料 不設置加熱體。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種水平半絕緣砷化鎵晶體生長裝置，其特征在于：在閉合 的加熱場裝置內(nèi)的安瓿反應室一端設一可控砷壓倉。
【文檔編號】C30B35/00GK204023003SQ201420238426
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年5月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月12日
【發(fā)明者】鄭婧鵬 申請人:鄭婧鵬