1.一種包含倒四棱錐絨面結(jié)構(gòu)的單晶硅片，所述硅片表面隨機(jī)分布有倒四棱錐組，所述倒四棱錐組包括一種或多種高與底邊邊長(zhǎng)的比為0.7-6∶1的倒四棱錐。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅片，其特征在于，所述倒四棱錐組包括一種或多種高與底邊邊長(zhǎng)的比為1.2-4.4∶1的倒四棱錐。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶硅片，其特征在于，所述倒四棱錐選自下列倒四棱錐中的一種或多種：
1)一種高與底邊邊長(zhǎng)的比為1.2-1.5∶1之間的倒四棱錐；
2)和/或一種高與底邊邊長(zhǎng)的比為1.9-2.3∶1之間的倒四棱錐；
3)和/或一種高與底邊邊長(zhǎng)的比為2.5-3.1∶1之間的倒四棱錐；
4)和/或一種高與底邊邊長(zhǎng)的比為3.2-3.7∶1之間的倒四棱錐；
5)和/或一種高與底邊邊長(zhǎng)的比為4.0-4.4∶1之間的倒四棱錐。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單晶硅片，其特征在于，所述高與底邊邊長(zhǎng)的比在1.2-1.5∶1之間的倒四棱錐，其底邊邊長(zhǎng)在90nm-500nm之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單晶硅片，其特征在于，所述高與底邊邊長(zhǎng)的比在1.9-2.3∶1之間的倒四棱錐，其底邊邊長(zhǎng)在80nm-500nm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單晶硅片，其特征在于，所述高與底邊邊長(zhǎng)的比在2.5-3.1∶1之間的倒四棱錐，其底邊邊長(zhǎng)在80nm-500nm之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單晶硅片，其特征在于，所述高與底邊邊長(zhǎng)的比在3.2-3.7∶1之間的倒四棱錐，其底邊邊長(zhǎng)在60nm-500nm之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單晶硅片，其特征在于，所述高與底邊邊長(zhǎng)的比在4.0-4.4∶1之間的倒四棱錐，其底邊邊長(zhǎng)在70nm-500nm之間。
9.一種權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述包含倒四棱錐絨面結(jié)構(gòu)的單晶硅片的制備方法，其包括：
1)將單晶硅片放置于酸性制絨液中，在室溫下進(jìn)行蝕刻，清洗去除金屬離子；
2)將清洗后具有倒四棱錐絨面結(jié)構(gòu)的單晶硅片置于堿液中進(jìn)行結(jié)構(gòu)修飾，清洗即得。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的單晶硅片的制備方法，其特征在于，所述酸性制絨液中包含0.5-10mmol/L的銀離子、10-200mmol/L的銅離子、1-8mol/L的HF和0.1-8mol/L的H2O2。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的單晶硅片的制備方法，其特征在于，所述酸性制絨液中優(yōu)選包含1-10mmol/L的銀離子、20-180mmol/L的銅離子、2-6mol/L的HF和0.3-5mol/L的H2O2。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的單晶硅片的制備方法，其特征在于，銀離子和銅離子的摩爾比為1∶5-100。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的單晶硅片的制備方法，其特征在于，銀離子和銅離子的摩爾比為1∶20-60。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的單晶硅片的制備方法，其特征在于，所述堿液為含1-5％(重量)堿金屬及堿土金屬的氫氧化物的水溶液。
15.根據(jù)權(quán)利要求9-14任一項(xiàng)所述的單晶硅片的制備方法，其特征在于，其包括：
1)將單晶硅片放置于酸性制絨液中，在20℃～35℃下進(jìn)行蝕刻1～10分鐘，清洗去除硅片表面的金屬離子；
2)將清洗后具有倒四棱錐絨面結(jié)構(gòu)的單晶硅片置于堿液中，在20℃～30℃條件下進(jìn)行結(jié)構(gòu)修飾5-90s，清洗即得。
16.權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述包含倒四棱錐絨面結(jié)構(gòu)的單晶硅片在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用。