紅外讀出電路的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提出一種紅外讀出電路，該紅外讀出電路包括：第一感應(yīng)電阻和第二感應(yīng)電阻，第一感應(yīng)電阻和第二感應(yīng)電阻的一端分別與電源相連；第一開(kāi)關(guān)管和第二開(kāi)關(guān)管，第一開(kāi)關(guān)管的柵極與紅外讀出電路的第一輸入端相連，第二開(kāi)關(guān)管的柵極與紅外讀出電路的第二輸入端相連，第一開(kāi)關(guān)管的源極與第一感應(yīng)電阻的另一端相連，第二開(kāi)關(guān)管的源極與第二感應(yīng)電阻的另一端相連；電流鏡電路，電流鏡電路的輸入端與第一開(kāi)關(guān)管的漏極相連，電流鏡電路的輸出端與第二開(kāi)關(guān)管的漏極相連；電容跨阻放大器的反相輸入端與第二開(kāi)關(guān)管的另一端相連。本實(shí)用新型的紅外讀出電路消除了由于NMOS管的襯偏效應(yīng)導(dǎo)致的閾值電壓變大的弊端，降低了設(shè)計(jì)難度和設(shè)計(jì)時(shí)間。
【專(zhuān)利說(shuō)明】紅外讀出電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及微電子及電子【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種紅外讀出電路。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，現(xiàn)有的紅外讀出電路如圖1所示，該電路的工作原理是熱敏電阻R2’吸收紅外能量，于是產(chǎn)生了熱量從而熱敏電阻R2’的溫度發(fā)生改變，溫度的改變導(dǎo)致熱敏電阻R2’的阻值改變，R2’阻值的改變導(dǎo)致流經(jīng)它的電流發(fā)生改變。這個(gè)電流的改變量通過(guò)開(kāi)關(guān)s2’流入CTIA(Capacitive Transimpedance Amplifer,電容跨阻放大器)的跨接電容cl’以進(jìn)行積分放大(此時(shí)開(kāi)關(guān)Si’為斷開(kāi)，但積分開(kāi)始之前Si’為閉合，這樣可以設(shè)置CTIA的輸入輸出節(jié)點(diǎn)電壓)。這樣，CTIA的輸出電壓vout’就反映了電流的大小，從而反映了該電路吸收的紅外能量的情況。具體地，圖1所示的紅外讀出電路是由R2’(R2’為為活動(dòng)的或敏感的測(cè)福射熱儀Active Bolometer)和Rl’(R1’為不敏感的測(cè)福射熱儀Blind Bolometer)以串聯(lián)的方式來(lái)進(jìn)行直流電流的補(bǔ)償，由于不希望進(jìn)行偏置作用的直流電流流入CTIA，于是R1’流過(guò)的直流電流要與R2’流過(guò)的直流電流一樣，這樣就可以避免R2’的直流偏置電流流入CTIA中。
[0003]但是，這種補(bǔ)償方式的缺陷是:(I)由于NM0S(Negativechannel-Metal-Oxide-Semiconductor, N型金屬氧化物半導(dǎo)體)偏置管的體電位不能和源極相連接(此處NMOS偏置管的體電位就是襯底的電位)，且由于襯偏效應(yīng)，NMOS偏置管的閾值電壓會(huì)明顯變大(閾值電壓為MOS (Metal-Oxide-Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體)管的開(kāi)啟電壓，圖1中沒(méi)有標(biāo)示出來(lái))，當(dāng)測(cè)輻射熱儀Bolometer的電阻值比較大時(shí)(如2M歐姆)，不利于NMOS偏置管導(dǎo)通；(2)由于圖1所示的紅外讀出電路中存在NMOS偏置管和PMOS偏置管(Positive channel-Metal-Oxide_Semiconductor,P型金屬氧化物半導(dǎo)體)，需要設(shè)計(jì)兩個(gè)專(zhuān)門(mén)優(yōu)化的D AC(Digital to Analog Converter，數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器)以分別對(duì)NMOS偏置管和PMOS偏置管進(jìn)行最優(yōu)化的偏置，增加了設(shè)計(jì)時(shí)間和設(shè)計(jì)難度。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型旨在至少解決上述技術(shù)問(wèn)題之一。
[0005]為此，本實(shí)用新型的一個(gè)目的在于提出一種紅外讀出電路。該紅外讀出電路消除了由于NMOS管的襯偏效應(yīng)導(dǎo)致的閥值電壓變大的弊端，同時(shí)不需再對(duì)NMOS管進(jìn)行DAC的優(yōu)化偏置，降低了設(shè)計(jì)難度和設(shè)計(jì)時(shí)間。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型實(shí)施例的紅外讀出電路，包括:第一感應(yīng)電阻和第二感應(yīng)電阻，所述第一感應(yīng)電阻和第二感應(yīng)電阻的一端分別與電源相連；第一開(kāi)關(guān)管和第二開(kāi)關(guān)管，所述第一開(kāi)關(guān)管的柵極與所述紅外讀出電路的第一輸入端相連，所述第二開(kāi)關(guān)管的柵極與所述紅外讀出電路的第二輸入端相連，所述第一開(kāi)關(guān)管的源極與所述第一感應(yīng)電阻的另一端相連，所述第二開(kāi)關(guān)管的源極與所述第二感應(yīng)電阻的另一端相連；電流鏡電路，所述電流鏡電路的輸入端與所述第一開(kāi)關(guān)管的漏極相連，所述電流鏡電路的輸出端與所述第二開(kāi)關(guān)管的漏極相連；以及電容跨阻放大器，所述電容跨阻放大器的反相輸入端與所述第二開(kāi)關(guān)管的漏極相連。
[0007]另外，根據(jù)本實(shí)用新型的紅外讀出電路還具有如下附加技術(shù)特征:
[0008]所述電流鏡電路包括:第三開(kāi)關(guān)管和第四開(kāi)關(guān)管，所述第三開(kāi)關(guān)管的漏極與所述第一開(kāi)關(guān)管的漏極相連，所述第三開(kāi)關(guān)管的源極接地，所述第四開(kāi)關(guān)管的漏極與所述第二開(kāi)關(guān)管的漏極相連，所述第四開(kāi)關(guān)管的源極接地，所述第三開(kāi)關(guān)管的柵極與所述第四開(kāi)關(guān)管的柵極相連。
[0009]所述第一輸入端和第二輸入端為數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器DAC(Digital to analog converter)0
[0010]所述紅外讀出電路還包括:第一開(kāi)關(guān)，所述第一開(kāi)關(guān)的一端與所述第二開(kāi)關(guān)管的漏極相連，所述第一開(kāi)關(guān)的另一端與所述電容跨阻放大器的反相輸入端相連。
[0011 ] 所述電容跨阻放大器的同相輸入端與參考電壓源相連。
[0012]所述第一開(kāi)關(guān)管和第二開(kāi)關(guān)管為P型MOS管。
[0013]所述第三開(kāi)關(guān)管和第四開(kāi)關(guān)管為N型MOS管。
[0014]所述電流鏡電路還包括:第五開(kāi)關(guān)管和第六開(kāi)關(guān)管，所述第五開(kāi)關(guān)管的漏極與所述第三開(kāi)關(guān)管的源極相連，所述第五開(kāi)關(guān)管的源極接地，所述第六開(kāi)關(guān)管的漏極與所述第四開(kāi)關(guān)管的源極相連，所述第六開(kāi)關(guān)管的源極接地，所述第五開(kāi)關(guān)管的柵極與所述第六開(kāi)關(guān)管的柵極相連，其中，所述第五開(kāi)關(guān)管和第六開(kāi)關(guān)管為N型MOS管。這樣可盡可能的實(shí)現(xiàn)完美鏡像，提高精確度。
[0015]所述電流鏡電路還包括:第七開(kāi)關(guān)管，所述第七開(kāi)關(guān)管的柵極與所述第七開(kāi)關(guān)管的漏極相連，所述第七開(kāi)關(guān)管的源極接地，所述第七開(kāi)關(guān)管為N型MOS管；第八開(kāi)關(guān)管，所述第八開(kāi)關(guān)管的柵極與所述第八開(kāi)關(guān)管的漏極相連，所述第八開(kāi)關(guān)管的源極接地，所述第八開(kāi)關(guān)管為N型MOS管。這樣通過(guò)添加第七開(kāi)關(guān)管和第八開(kāi)關(guān)管，可防止工藝對(duì)器件的影響。
[0016]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的紅外讀出電路，通過(guò)兩個(gè)NMOS管形成電流鏡電路，同時(shí)將Rl的NMOS管轉(zhuǎn)換成與R2 —樣的PMOS管，這樣可以利用在單獨(dú)N阱中PMOS管的體電位和源極連接的特點(diǎn)，以消除NMOS管的襯偏效應(yīng)導(dǎo)致的閾值電壓變大的弊端，并且不需要再對(duì)NMOS管進(jìn)行DAC的優(yōu)化偏置，只需對(duì)兩個(gè)PMOS管進(jìn)行偏置即可，降低了設(shè)計(jì)難度和設(shè)計(jì)時(shí)間。
[0017]本實(shí)用新型附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]本實(shí)用新型上述的和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中，
[0019]圖1是現(xiàn)有的紅外讀出電路的電路示意圖；
[0020]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的紅外讀出電路的電路示意圖；
[0021]圖3是根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的紅外讀出電路中采用共源共柵技術(shù)的電路示意圖；
[0022]圖4是根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的紅外讀出電路中添加兩個(gè)Du_y MOS管的電路不意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0023]下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。相反，本實(shí)用新型的實(shí)施例包括落入所附加權(quán)利要求書(shū)的精神和內(nèi)涵范圍內(nèi)的所有變化、修改和等同物。
[0024]在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。在本實(shí)用新型的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本實(shí)用新型中的具體含義。此外，在本實(shí)用新型的描述中，除非另有說(shuō)明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。
[0025]為了解決NMOS管的襯偏效應(yīng)對(duì)閥值電壓的影響的問(wèn)題，本實(shí)用新型提出了一種紅外讀出電路，該紅外讀出電路消除了以前NMOS的襯偏效應(yīng)導(dǎo)致的閥值電壓變大的弊端，同時(shí)不需再對(duì)NMOS管進(jìn)行DAC的優(yōu)化偏置。具體地，下面參考附圖描述根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的紅外讀出電路。
[0026]如圖2所示，該紅外讀出電路包括:第一感應(yīng)電阻R1、第二感應(yīng)電阻R2、第一開(kāi)關(guān)管p1、第二開(kāi)關(guān)管p2、電流鏡電路10和電容跨阻放大器CTIA。其中，第一感應(yīng)電阻Rl和第二感應(yīng)電阻R2的一端分別與電源相連。
[0027]如圖2所示，第一開(kāi)關(guān)管Pl的柵極與該紅外讀出電路的第一輸入端DACl相連，第二開(kāi)關(guān)管p2的柵極與該紅外讀出電路的第二輸入端DAC2相連，第一開(kāi)關(guān)管pi的源極與第一感應(yīng)電阻Rl的另一端相連，第二開(kāi)關(guān)管P2的源極與第二感應(yīng)電阻R2的另一端相連。其中，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，第一開(kāi)關(guān)管Pl和第二開(kāi)關(guān)管P2均可為P型MOS管。
[0028]此外，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，第一輸入端DACl和第二輸入端DAC2分別為針對(duì)第一開(kāi)關(guān)管pl和第二開(kāi)關(guān)管p2的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器DAC,第一輸入端DACl和第二輸入端DAC2可以分別對(duì)第一開(kāi)關(guān)管pl和第二開(kāi)關(guān)管p2進(jìn)行優(yōu)化偏置。
[0029]如圖2所示，電流鏡電路10的輸入端與第一開(kāi)關(guān)管Pl的漏極相連，電流鏡電路10的輸出端與第二開(kāi)關(guān)管P2的漏極相連。
[0030]需要說(shuō)明的是，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，電容跨阻放大器CTIA可具有反相輸入端和同相輸入端，如圖2所示，電容跨阻放大器CTIA的反相輸入端與第二開(kāi)關(guān)管p2的漏極相連，電容跨阻放大器CTIA的同相輸入端可與參考電壓源Vref相連。其中，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，電容跨阻放大器CTIA可以包括放大器al、電容Cl和第二開(kāi)關(guān)s2，電容cl和第二開(kāi)關(guān)s2分別與放大器al并聯(lián)。
[0031 ] 進(jìn)一步地，如圖2所示，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，電流鏡電路10包括第三開(kāi)關(guān)管nl和第四開(kāi)關(guān)管n2，第三開(kāi)關(guān)管nl的漏極與第一開(kāi)關(guān)管pl的漏極相連，第三開(kāi)關(guān)管nl的源極接地，第四開(kāi)關(guān)管n2的漏極與第二開(kāi)關(guān)管p2的漏極相連，第四開(kāi)關(guān)管n2的源極接地，第三開(kāi)關(guān)管nl的柵極與第四開(kāi)關(guān)管n2的柵極相連。其中，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，第三開(kāi)關(guān)管nl和第四開(kāi)關(guān)管n2均為N型MOS管。其中，如圖2所示，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，電流鏡電路10還包括第一節(jié)點(diǎn)A和與第一節(jié)點(diǎn)A相連的第二節(jié)點(diǎn)B,第一節(jié)點(diǎn)A位于第三開(kāi)關(guān)管nl的漏極，第二節(jié)點(diǎn)B位于第三開(kāi)關(guān)管nl的柵極。
[0032]進(jìn)一步地，如圖2所示，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，該紅外讀出電路還包括第一開(kāi)關(guān)si,第一開(kāi)關(guān)si的一端與第二開(kāi)關(guān)管p2的漏極相連,第一開(kāi)關(guān)si的另一端與電容跨阻放大器CTIA的反相輸入端相連。這樣可通過(guò)第一開(kāi)關(guān)Si和第二開(kāi)關(guān)s2的斷開(kāi)和閉合控制電容跨阻放大器CTIA的工作模式，以完成對(duì)紅外輻射的感測(cè)。
[0033]下面通過(guò)結(jié)合圖2來(lái)介紹本實(shí)用新型實(shí)施例的紅外讀出電路的工作原理。
[0034]如圖2所示，Rl是Blind Bolometer (即為敏感度差的測(cè)輻射熱儀)，R2是ActiveBolometeK即為敏感度比較強(qiáng)的測(cè)輻射熱儀)。Rl的偏置管pl(即第一開(kāi)關(guān)管pl)是PM0S，可以進(jìn)行體端和源極的連接，這樣Pl的閾值電壓就不會(huì)受襯偏效應(yīng)的影響。nl和n2可形成電流鏡電路10，電流鏡電路10可以把Rl這條支路的電流鏡像到R2這條支路，這樣可以抵消R2這條支路的直流偏置電流，其中，直流偏置電流的需要是因?yàn)榧t外讀出電路需要工作在一個(gè)合適的直流狀態(tài)，于是DAC2輸出的電壓vref2可以方便設(shè)置直流工作點(diǎn)。而且由于Rl這條支路工作時(shí)，Rl上也會(huì)產(chǎn)生焦耳熱(因?yàn)殡娏髁鬟^(guò)電阻就會(huì)產(chǎn)生熱量，該熱量叫焦耳熱)，這樣由于焦耳熱導(dǎo)致Rl電阻變化，從而導(dǎo)致此支路電流變化，所以這個(gè)變化的電流鏡像到R2這條支路上，可以抵消R2由于焦耳熱導(dǎo)致的電流變化。這樣，Rl這條支路的電流可以抵消補(bǔ)償R2這條支路的直流偏置電流以及由于焦耳熱產(chǎn)生的電流，最終導(dǎo)致R2因?yàn)榧t外輻射吸收的能量產(chǎn)生的電流通過(guò)第一開(kāi)關(guān)Si注入到CTIA的反相輸入端(也就是圖2中電容跨阻放大器CTIA的V-端)，CTIA對(duì)這個(gè)微弱的電流在電容Cl上進(jìn)行累加積分(這時(shí)的第二開(kāi)關(guān)s2處于斷開(kāi)狀態(tài)，但積分開(kāi)始之前是閉合狀態(tài)，這樣可以設(shè)置CTIA的輸入輸出節(jié)點(diǎn)電壓)，積分時(shí)間完成后，vout輸出電壓信號(hào)，完成對(duì)紅外輻射的感測(cè)。
[0035]其中，CTIA在第一開(kāi)關(guān)Si處于斷開(kāi)狀態(tài)、第二開(kāi)關(guān)s2處于閉合狀態(tài)時(shí)，處于復(fù)位模式，電容跨阻放大器CTIA的輸出和正輸入端都被跟隨為電壓Vref。CTIA在第一開(kāi)關(guān)si處于閉合狀態(tài)、第二開(kāi)關(guān)s2處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，處于積分模式，電容跨阻放大器CTIA的輸出電壓在Vref的基礎(chǔ)上疊加由于注入CTIA電流導(dǎo)致的積分電壓。
[0036]由于完美的鏡像是理想情況，在實(shí)際情況下如何盡量得到完美的鏡像是需要考慮的，而最大的困難來(lái)自溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)，在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，可以考慮用長(zhǎng)溝道匪OS管和共源共柵技術(shù)以盡可能的實(shí)現(xiàn)完美鏡像?？蛇x地，如圖3所示，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，電流鏡電路10還包括第五開(kāi)關(guān)管n3、第六開(kāi)關(guān)管n4，第五開(kāi)關(guān)管n3的漏極與第三開(kāi)關(guān)管nl的源極相連，第五開(kāi)關(guān)管n3的源極接地，第六開(kāi)關(guān)管n4的漏極與第四開(kāi)關(guān)管n2的源極相連，第六開(kāi)關(guān)管n4的源極接地，第五開(kāi)關(guān)管n3的柵極與第六開(kāi)關(guān)管n4的柵極相連。其中，第五開(kāi)關(guān)管n3和第六開(kāi)關(guān)管n4均為N型MOS管。此外，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，如圖3所示，電流鏡電路10還包括第三節(jié)點(diǎn)C，第三節(jié)點(diǎn)C與第一節(jié)點(diǎn)A相連，位于第五開(kāi)關(guān)管n3的柵極。這樣可盡可能的實(shí)現(xiàn)完美鏡像，提高精確度。
[0037]可選地,在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，還可通過(guò)添加Dummy MOS管n5和n6,防止工藝對(duì)器件的影響，Dummy MOS管n5和n6的位置,在物理上可分別位于第三開(kāi)關(guān)管nl和第四開(kāi)關(guān)管n2的兩側(cè)。具體地，如圖4所示，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，電流鏡電路10還可以包括第七開(kāi)關(guān)管n5和第八開(kāi)關(guān)管n6，第七開(kāi)關(guān)管n5的柵極與第七開(kāi)關(guān)管n5的漏極相連，第七開(kāi)關(guān)管n5的源極接地，第八開(kāi)關(guān)管n6的柵極與第八開(kāi)關(guān)管n6的漏極相連，第八開(kāi)關(guān)管n6的源極接地。其中，第七開(kāi)關(guān)管η5和第八開(kāi)關(guān)管η6均為N型MOS管。應(yīng)當(dāng)理解，在物理上第七開(kāi)關(guān)管η5可設(shè)置于第三開(kāi)關(guān)管nl的左側(cè)，第八開(kāi)關(guān)管n6可設(shè)置于第四開(kāi)關(guān)管n2的右側(cè)。
[0038]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的紅外讀出電路，通過(guò)兩個(gè)NMOS管形成電流鏡電路，同時(shí)將Rl的NMOS管轉(zhuǎn)換成與R2 —樣的PMOS管，這樣可以利用在單獨(dú)N阱中PMOS管的體電位和源極連接的特點(diǎn)，以消除NMOS管的襯偏效應(yīng)導(dǎo)致的閾值電壓變大的弊端，并且不需要再對(duì)NMOS管進(jìn)行DAC的優(yōu)化偏置，只需對(duì)兩個(gè)PMOS管進(jìn)行偏置即可，降低了設(shè)計(jì)難度和設(shè)計(jì)時(shí)間。
[0039]在本說(shuō)明書(shū)的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0040]盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解:在不脫離本實(shí)用新型的原理和宗旨的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
【權(quán)利要求】
1.一種紅外讀出電路，其特征在于，包括: 第一感應(yīng)電阻和第二感應(yīng)電阻，所述第一感應(yīng)電阻和第二感應(yīng)電阻的一端分別與電源相連； 第一開(kāi)關(guān)管和第二開(kāi)關(guān)管，所述第一開(kāi)關(guān)管的柵極與所述紅外讀出電路的第一輸入端相連，所述第二開(kāi)關(guān)管的柵極與所述紅外讀出電路的第二輸入端相連，所述第一開(kāi)關(guān)管的源極與所述第一感應(yīng)電阻的另一端相連，所述第二開(kāi)關(guān)管的源極與所述第二感應(yīng)電阻的另一端相連； 電流鏡電路，所述電流鏡電路的輸入端與所述第一開(kāi)關(guān)管的漏極相連，所述電流鏡電路的輸出端與所述第二開(kāi)關(guān)管的漏極相連；以及 電容跨阻放大器，所述電容跨阻放大器的反相輸入端與所述第二開(kāi)關(guān)管的漏極相連。
2.如權(quán)利要求1所述的紅外讀出電路，其特征在于，所述電流鏡電路包括: 第三開(kāi)關(guān)管和第四開(kāi)關(guān)管，所述第三開(kāi)關(guān)管的漏極與所述第一開(kāi)關(guān)管的漏極相連，所述第三開(kāi)關(guān)管的源極接地，所述第四開(kāi)關(guān)管的漏極與所述第二開(kāi)關(guān)管的漏極相連，所述第四開(kāi)關(guān)管的源極接地，所述第三開(kāi)關(guān)管的柵極與所述第四開(kāi)關(guān)管的柵極相連。
3.如權(quán)利要求1所述的紅外讀出電路，其特征在于，所述第一輸入端和第二輸入端為數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器DAC。
4.如權(quán)利要求1所述的紅外讀出電路，其特征在于，還包括: 第一開(kāi)關(guān)，所述第一開(kāi)關(guān)的一端與所述第二開(kāi)關(guān)管的漏極相連，所述第一開(kāi)關(guān)的另一端與所述電容跨阻放大器的反相輸入端相連。
5.如權(quán)利要求1所述的紅外讀出電路，其特征在于，所述電容跨阻放大器的同相輸入端與參考電壓源相連。
6.如權(quán)利要求1所述的紅外讀出電路，其特征在于，所述第一開(kāi)關(guān)管和第二開(kāi)關(guān)管為P型MOS管。
7.如權(quán)利要求2所述的紅外讀出電路，其特征在于，所述第三開(kāi)關(guān)管和第四開(kāi)關(guān)管為N型MOS管。
8.如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的紅外讀出電路，其特征在于，所述電流鏡電路還包括: 第五開(kāi)關(guān)管和第六開(kāi)關(guān)管，所述第五開(kāi)關(guān)管的漏極與所述第三開(kāi)關(guān)管的源極相連，所述第五開(kāi)關(guān)管的源極接地，所述第六開(kāi)關(guān)管的漏極與所述第四開(kāi)關(guān)管的源極相連，所述第六開(kāi)關(guān)管的源極接地，所述第五開(kāi)關(guān)管的柵極與所述第六開(kāi)關(guān)管的柵極相連，其中，所述第五開(kāi)關(guān)管和第六開(kāi)關(guān)管為N型MOS管。
9.如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的紅外讀出電路，其特征在于，所述電流鏡電路還包括: 第七開(kāi)關(guān)管，所述第七開(kāi)關(guān)管的柵極與所述第七開(kāi)關(guān)管的漏極相連，所述第七開(kāi)關(guān)管的源極接地，所述第七開(kāi)關(guān)管為N型MOS管； 第八開(kāi)關(guān)管，所述第八開(kāi)關(guān)管的柵極與所述第八開(kāi)關(guān)管的漏極相連，所述第八開(kāi)關(guān)管的源極接地，所述第八開(kāi)關(guān)管為N型MOS管。
【文檔編號(hào)】G01J5/24GK203772424SQ201420049336
【公開(kāi)日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年1月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月24日
【發(fā)明者】劉輝, 郭先清, 傅璟軍 申請(qǐng)人:比亞迪股份有限公司