專利名稱：芯片與晶圓的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種抗沖擊能力強(qiáng)的芯片與晶圓。
背景技術(shù)：
目前，芯片以其集成度高、功耗低、體積小而廣泛用于液 晶顯示裝置、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理等多種現(xiàn)代電子設(shè)備中。
通常，芯片是經(jīng)以下制造工藝得到首先，形成具有多個(gè) 集成電路的晶圓；然后，對(duì)晶圓的每 一 集成電路進(jìn)行測(cè)試；最 后，將每一集成電路從晶圓上切裂而制成芯片。
請(qǐng)一并參閱圖l與圖2,圖l是一種現(xiàn)有技術(shù)晶圓的俯視圖， 圖2是

圖1所示晶圓沿A-A線的截面結(jié)構(gòu)示意圖。該晶圓100 包括一基底110與多個(gè)形成在該基底110表面的集成電路120, 每一集成電i 各120均為一正方形結(jié)構(gòu)。
該基底IIO是一圓形半導(dǎo)體薄板，其包括一晶面111和一與 該晶面相對(duì)的晶背112。該多個(gè)集成電路120形成在該基底110 的晶面111 一側(cè)，且呈矩陣分布，相鄰兩個(gè)集成電3各120之間具 有 一 切割道121。該切割道121為條帶狀，其將相鄰兩個(gè)集成電 路120隔開，以便于將該多個(gè)集成電路120分別自該晶圓100 沿該切割道121切裂，形成多個(gè)芯片。該晶背112是一平坦的 表面，其用于將自該晶圓1 00沿該切割道1 21切裂而形成的芯 片，通過玻璃覆晶(Chip On Glass， COG)方式設(shè)置在電子設(shè)備內(nèi)。
該晶圓100與芯片的成本在 一定程度上取決于該基底110 的厚度，大多數(shù)半導(dǎo)體制作廠家都減小該基底110的厚度，以 達(dá)到降低成本的目的。然而，該基底110的半導(dǎo)體材料硬度大 而韌性小，該基底11 0的抗沖擊能力4交差。在該基底110厚度較 薄的情況下，該晶圓100的抗沖擊能力進(jìn)一步變差，進(jìn)而導(dǎo)致該晶圓100切裂成單獨(dú)的芯片過程中，受到輕孩t的石並撞即可能 導(dǎo)致該集成電路120的斷裂，使該晶圓100損壞。另外，該晶 圓100的基底110厚度較薄，制成的芯片厚度也較薄，其抗沖 擊能力也較差。當(dāng)芯片應(yīng)用在電子設(shè)備后，在電子設(shè)備的摔落 測(cè)試中，4艮容易發(fā)生損害該集成電路120的斷裂。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)晶圓抗沖擊能力差的問題，有必要提供 一種抗沖擊能力強(qiáng)的晶圓。
為了解決現(xiàn)有技術(shù)芯片抗沖擊能力差的問題，還有必要提 供 一 種抗沖擊能力強(qiáng)的芯片。
一種晶圓，其包括 一 基底與 一 加強(qiáng)層。該基底包括 一 設(shè)置 集成電路的晶面與 一 相對(duì)該晶面的晶背。該加強(qiáng)層設(shè)置在該晶 背表面，其韌性高于該基底的韌性。
一種芯片，其包括 一 基座與 一 加強(qiáng)部。該芯片表面設(shè)置集 成電路，該加強(qiáng)部設(shè)置在該基座相對(duì)該集成電路的表面。該加 強(qiáng)部的韌性高于該基座的韌性。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，該晶圓包括 一 加強(qiáng)層，其設(shè)置在基底。 該加強(qiáng)層韌性高于該基底的韌性，以增強(qiáng)該晶圓的韌性。當(dāng)該 晶圓受到外力時(shí)，該韌性較高的加強(qiáng)層首先承受外力，并發(fā)生 微小變形對(duì)外力進(jìn)行緩沖，使基底所承受的外力減小，進(jìn)而使 該晶圓的抗沖擊能力增強(qiáng)。從該晶圓切裂得到的芯片，其基座 設(shè)置 一 加強(qiáng)部，且該加強(qiáng)部的韌性高于該基座的韌性，可增強(qiáng) 芯片的韌性，使芯片抗沖擊能力增強(qiáng)。
附圖
說明
圖1是 一 種現(xiàn)有技術(shù)晶圓的俯浮見圖。
圖2是圖1所示晶圓沿A-A線的截面結(jié)構(gòu)
圖3是本發(fā)明晶圓第一實(shí)施方式的俯^L圖
圖4是圖3所示晶圓的截面示意圖。圖5是圖3所示晶圓切裂后的芯片結(jié)構(gòu)示意圖。 圖6是本發(fā)明晶圓第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖7是圖6所示晶圓切裂后的芯片結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)一并參閱圖3與圖4,圖3是本發(fā)明晶圓第一實(shí)施方式的 俯視圖，圖4是圖3所示晶圓的截面示意圖。該晶圓200包括 一基底210、多個(gè)形成在該基底210表面的集成電路220和一與 該基底210層疊設(shè)置的加強(qiáng)層23 0。
該基底210是一半導(dǎo)體材料的圓形片狀結(jié)構(gòu)，其包括一晶 面211和 一 與該晶面211相對(duì)的晶背212。該晶面211 —側(cè)通過 黃光刻蝕等制造工藝形成該多個(gè)集成電路220與多條切割道 221。每一集成電路220均為 一矩形結(jié)構(gòu)，其在該晶面221—側(cè) 呈矩陣分布。該多條切割道221均為條帶狀，其位于相鄰兩個(gè) 集成電路220之間，使相鄰的集成電路220互相隔離。該切割 道221便于將每 一 集成電路220從該晶圓200上沿該切割道221 切裂而形成芯片，同時(shí)該切割道221上也可設(shè)置對(duì)集成電路220 進(jìn)行測(cè)試的焊墊。該晶背212首先通過研磨處理而較平坦，然 后經(jīng)過拋光處理，消除研磨處理該晶背212時(shí)產(chǎn)生的微小傷痕 以及內(nèi)部應(yīng)力，使該基底21 0的機(jī)械強(qiáng)度較高。
該加強(qiáng)層230設(shè)置在該基底210的晶背212 —側(cè)，其為一 圓形片狀單層結(jié)構(gòu)，且其韌性高于該基底210的韌性，可增強(qiáng) 該晶圓200的韌性。該加強(qiáng)層230包括一 第 一表面232與 一 第 二表面231。該第 一表面232與該基底210的晶背212緊密接觸。 該第二表面231與該第一表面232相對(duì)，其也經(jīng)過拋光處理而 平坦光滑。該第二表面231便于將從該晶圓200切裂制得的芯 片，通過COG的方式設(shè)置在電子設(shè)備中。該加強(qiáng)層230的材料 為韌性較好的金屬，其可采用沉積或粘貼的方式設(shè)置在該基底 210。
與現(xiàn)有#支術(shù)相比，該晶圓200包括一加強(qiáng)層23 0。該加強(qiáng)層230設(shè)置在該基底210的晶背212 —側(cè)，其韌性高于該基底210 的韌性，以增強(qiáng)該晶圓200的韌性。當(dāng)該晶圓200受到來自該 晶圓200的晶背212 —側(cè)的外力時(shí)，該韌性較好的加強(qiáng)層230 首先承受外力，并產(chǎn)生變形對(duì)外力進(jìn)行緩沖，使傳遞至該基底 210的外力減小，進(jìn)而使該晶圓200的抗沖擊能力增強(qiáng)?？箾_擊 能力強(qiáng)的晶圓200沿預(yù)定的切割道221切裂成芯片過程中，不 易發(fā)生損壞該集成電路220的斷裂。
請(qǐng)參閱圖5 ,是圖3所示晶圓切裂后的芯片結(jié)構(gòu)示意圖。該 芯片240包括一 集成電路220、 一基座250與 一加強(qiáng)部260。該 集成電路220設(shè)置在該基座250表面，該加強(qiáng)部260與該基座 250層疊設(shè)置。
該基座250是一矩形半導(dǎo)體薄板，其包括一上表面251與 一相對(duì)該上表面251的下表面252 。該集成電路220設(shè)置在該基 座250的上表面251 —側(cè)。
該加強(qiáng)部260為 一 矩形單層片狀結(jié)構(gòu)，其韌性高于該基座 250的韌性，可增強(qiáng)該基座250的韌性。該加強(qiáng)部260設(shè)置在該 基座250的下表面252 —側(cè)，且該加強(qiáng)部260的表面通過拋光 處理。該加強(qiáng)部260的材料為金屬，采用沉積或粘貼的方式設(shè) 置在該基座250的下表面252 —側(cè)。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，該芯片240的基座250設(shè)置 一加強(qiáng)部260， 且該加強(qiáng)部260的韌性高于該基座250的韌性，可增強(qiáng)該芯片 240的韌性。當(dāng)該基座250岸(受來自該下表面252 —側(cè)的外力時(shí)， 該韌性較高的加強(qiáng)部260首先接收外力，并發(fā)生形變對(duì)外力進(jìn) 行緩沖，使傳遞至該基座250的外力減小，進(jìn)而使該芯片 240 抗沖擊能力增強(qiáng)。當(dāng)該芯片240在摔落測(cè)試時(shí)，不易發(fā)生損壞 該集成電路220的斷裂。
請(qǐng)參閱圖6,是本發(fā)明晶圓第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。該 晶圓300與第 一 實(shí)施方式的晶圓200基本相同，其主要區(qū)別在 于基底310的加強(qiáng)層330是一雙層片狀結(jié)構(gòu)，其包括層疊設(shè) 置的第一層331與一第二層332。該第一層331與該基底310緊密結(jié)合，而該第二層332與該第 一 層331緊密結(jié)合。該加強(qiáng)層 330中，該第 一層331的韌性高于該基底310的韌性，而該第二 層332的韌性高于該第一層331的韌性，整個(gè)加強(qiáng)層330整體 的韌性高于該基底3 1 0的韌性，可增強(qiáng)該晶圓300的韌性。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，該晶圓300的加強(qiáng)層330與該基底310 緊密結(jié)合。該加強(qiáng)層330中第一層331的韌性高于該基底310 的韌性，而該第二層332的韌性高于該第一層331的韌性，該 加強(qiáng)層320可增強(qiáng)該晶圓300的韌性。當(dāng)該晶圓300的基底310 受到外力時(shí)，該第二層332首先接受外力，并通過其自身的韌 性，產(chǎn)生形變并對(duì)外力進(jìn)行緩沖使傳遞至該第一層331的外力 減??；而該第一層331接受減小的外力，并產(chǎn)生形變，對(duì)外力 再次緩沖，使外力進(jìn)一步減小。最終，經(jīng)該第二層332與該第 一層331緩沖的外力大幅度減小，傳遞至該基底310的外力也 大幅度減小，進(jìn)而使該晶圓300的抗沖擊力增強(qiáng)。
請(qǐng)參閱圖7 ，是圖6所示晶圓切裂后的芯片結(jié)構(gòu)示意圖。芯 片340與第 一 實(shí)施方式的芯片240基本相同，其主要區(qū)別在于 該芯片340的基座350設(shè)置的加強(qiáng)部360是一 雙層結(jié)構(gòu)，該加 強(qiáng)部360包括層疊設(shè)置的 一 第 一韌性層361與一第二韌性層 362。該第一韌性層361與該基座350緊密結(jié)合，其韌性高于該 基座350的韌性，該第二韌性層3 62與該第 一韌性層361緊密 結(jié)合，其韌性高于該第一韌性層361的韌性。該加強(qiáng)部360的 整體韌性高于該基座350的韌性，可增強(qiáng)該基座350的韌性。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，該芯片340的基座350設(shè)置一增強(qiáng)該芯 片340韌性的加強(qiáng)部360。該加強(qiáng)部360包括 一 第 一 韌性層36 1 與 一韌性高于該第 一韌性層361的第二韌性層362。該第二韌性 層362接受外力并發(fā)生形變而對(duì)該基座350 —側(cè)的外力進(jìn)行緩 沖，使傳遞至該第一韌性層361的外力減小；而該第一韌性層 361接受經(jīng)該第二韌性層3 62傳遞的外力，并發(fā)生形變且對(duì)外力 進(jìn)行第二次緩沖，使傳遞至該基座350的外力大幅度減小。這 樣，該基座350承受的外力大幅度減小，該芯片340的抗沖擊能力增強(qiáng)。
本發(fā)明不僅限于上述實(shí)施方式，如晶圓的加強(qiáng)層中，第一 韌性層的韌性也可比第二韌性層的韌性好。晶圓的加強(qiáng)層也可 為多層結(jié)構(gòu)，其中各層的韌性可隨各層與基底的距離成正比變 化或者呈反比變化。芯片的加強(qiáng)部也可為多層結(jié)構(gòu)，其中各層 的韌性可隨各層與基底的距離增大而增大或減小。
權(quán)利要求
1. 一種晶圓，其包括一基底，該基底包括一設(shè)置集成電路的晶面與一相對(duì)該晶面的晶背，其特征在于該晶圓還包括一加強(qiáng)層，該加強(qiáng)層設(shè)置在該晶背表面，且該加強(qiáng)層的韌性高于該基底的韌性。
2. 如權(quán)利要求1所述的晶圓，其特征在于該加強(qiáng)層是一單 層片狀結(jié)構(gòu)，其材料為金屬。
3. 如權(quán)利要求2所述的晶圓，其特征在于該加強(qiáng)層包括一 第一表面和一與該第一表面相對(duì)的第二表面，該第一表面與該基 底相接觸，該第二表面為一平坦光滑表面。
4. 如權(quán)利要求1所述的晶圓，其特征在于該加強(qiáng)層為一雙 層結(jié)構(gòu)，其包括一第一層和一與該第一層層疊設(shè)置的第二層，且 該第 一 層與該基底緊密結(jié)合。
5. 如權(quán)利要求4所述的晶圓，其特征在于該第一層的韌性 高于該基底的韌性，而該第二層的韌性高于該第 一 層的韌性。
6. 如權(quán)利要求l所述的晶圓，其特征在于該加強(qiáng)層為一多 層結(jié)構(gòu)，其中各層的韌性隨該層與基底的距離增大而增大或減小。
7. —種芯片，其包括一基座，該基座表面設(shè)置集成電路，其 特征在于該芯片還包括一加強(qiáng)部，其設(shè)置在該基座相對(duì)該集成 電路的表面，其韌性高于該基座的韌性。
8. 如權(quán)利要求7所述的芯片，其特征在于該加強(qiáng)部是一單 層片狀結(jié)構(gòu)，其材料為金屬，該加強(qiáng)部采用沉積或粘貼的方式設(shè) 置在該基底表面。
9. 如權(quán)利要求7所述的芯片，其特征在于該加強(qiáng)部是一雙 層片狀結(jié)構(gòu)，其包括一第一韌性層與一第二韌性層，該第一韌性 層的韌性大于該基座的韌性，而該第二韌性層的韌性大于該第一 韌性層的韌性。
10. 如權(quán)利要求7所述的芯片，其特征在于該加強(qiáng)部為一多 層結(jié)構(gòu)，其中各層的韌性隨各層與基底的距離增大或者減小。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種芯片與晶圓。該晶圓包括一基底與一加強(qiáng)層。該基底包括一設(shè)置集成電路的晶面與一相對(duì)該晶面的晶背。該加強(qiáng)層設(shè)置在該晶背表面，其韌性高于該基底的韌性。該晶圓包括一加強(qiáng)層，使該晶圓的抗沖擊能力較強(qiáng)。由該晶圓切裂形成的芯片抗沖擊能力也較強(qiáng)。
文檔編號(hào)H01L27/07GK101452935SQ200710124820
公開日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2007年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月5日
發(fā)明者張志清 申請(qǐng)人:群康科技(深圳)有限公司;群創(chuàng)光電股份有限公司