復(fù)原多個(gè)存儲(chǔ)單元的陣列的方法、電子裝置及控制器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種方法、電子裝置及控制器，且特別是有關(guān)于一種復(fù)原多個(gè)存儲(chǔ)單元的陣列的方法、電子裝置及控制器。
【背景技術(shù)】
[0002]在閃存中，數(shù)據(jù)通過(guò)捕獲電荷所建立的存儲(chǔ)單元的閾值狀態(tài)來(lái)進(jìn)行儲(chǔ)存。通過(guò)感測(cè)存儲(chǔ)單元的閾值狀態(tài)，數(shù)據(jù)可以被讀取。然而，隨著存儲(chǔ)單元的尺寸縮小，電荷保持(charge retent1n)及其數(shù)據(jù)保持可能會(huì)受到影響。長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器中，在電源經(jīng)常開啟/關(guān)閉的情況下，數(shù)據(jù)保存成為相當(dāng)重要的效能因素。
[0003]目前急需提供適當(dāng)?shù)募夹g(shù)來(lái)改善非易失存儲(chǔ)器的效能，以改善集成電路存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保存能力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明是有關(guān)于一種復(fù)原多個(gè)存儲(chǔ)單元的陣列的方法、電子裝置及控制器，其利用輸入一復(fù)原控制信號(hào)(recovery control signal)來(lái)執(zhí)行一保持寫入程序(retent1nwriting procedure),使得儲(chǔ)存于存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)可以長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出一種復(fù)原多個(gè)存儲(chǔ)單元的陣列的方法(method forrecovering an array of memory cells)。復(fù)原存儲(chǔ)單元的陣列的方法包括以下步驟。判斷一復(fù)原控制信號(hào)(recovery control signal)是否已被接收。若復(fù)原控制信號(hào)已被接收，則執(zhí)行一保持檢查程序(retent1n checking procedure)以識(shí)別位于高閾值狀態(tài)的存儲(chǔ)單元的至少一位的一閾值電壓分布(threshold voltage distribut1n)是否已飄移(shift)。若位于高閾值狀態(tài)的存儲(chǔ)單元未通過(guò)保持檢查程序，則執(zhí)行一保持寫入程序(retent1n writing procedure)于此些存儲(chǔ)單兀。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一第二方面，提出一種電子裝置。電子裝置包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的陣列(array of memory cells)及一控制器?？刂破靼ㄒ槐３謾z查電路(retent1nchecking circuit)及一保持寫入電路(retent1n writing circuit)。若一復(fù)原控制信號(hào)(recovery control signal)已被接收,則保持檢查電路執(zhí)行一保持檢查程序(retent1nchecking procedure)以識(shí)別位于高閾值狀態(tài)的存儲(chǔ)單元的至少一位的一閾值電壓分布(threshold voltage distribut1n)是否已飄移(shift)。若位于高閾值狀態(tài)的存儲(chǔ)單元未通過(guò)保持檢查程序，則保持寫入電路執(zhí)行一保持寫入程序(retent1n writingprocedure)于此些存儲(chǔ)單元。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一第三方面，提供一種控制器?？刂破髟O(shè)置于一電子裝置中。電子裝置包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的陣列(array of memory cells)及一控制器?？刂破靼ㄒ槐３謾z查電路(retent1n checking circuit)及一保持寫入電路(retent1n writingcircuit) ο若一復(fù)原控制信號(hào)(recovery control signal)已被接收,則保持檢查電路執(zhí)行一保持檢查程序(retent1n checking procedure)以識(shí)別位于高閾值狀態(tài)的存儲(chǔ)單元的至少一位的一閾值電壓分布(threshold voltage distribut1n)是否已飄移(shift)。若位于高閾值狀態(tài)的存儲(chǔ)單元未通過(guò)保持檢查程序，則保持寫入電路執(zhí)行一保持寫入程序(retent1n writing procedure)于此些存儲(chǔ)單兀。
[0008]為了對(duì)本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下:
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1繪示一電子裝置的示意圖。
[0010]圖2繪示存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布圖。
[0011]圖3繪示一復(fù)原存儲(chǔ)單元的陣列的方法的流程圖。
[0012]圖4繪示存儲(chǔ)單元的數(shù)種操作模式。
[0013]【符號(hào)說(shuō)明】
[0014]1000:電子裝置
[0015]110:存儲(chǔ)單元
[0016]120:控制器
[0017]121:保持檢查電路
[0018]122:保持寫入電路
[0019]123:地址標(biāo)識(shí)電路
[0020]Cl、Cl’:高閾值分布
[0021]C2:低閾值分布
[0022]Ml:電力開啟狀態(tài)
[0023]M2:待命狀態(tài)
[0024]M3:寫入狀態(tài)
[0025]M4:讀取狀態(tài)
[0026]PV0、PV1、PV2:電壓電平
[0027]SlOl?S105:流程步驟
[0028]W:箭號(hào)
【具體實(shí)施方式】
[0029]以下是提出各種實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，其利用輸入一復(fù)原控制信號(hào)(recoverycontrol signal)來(lái)執(zhí)行一保持寫入程序(retent1n writing procedure),使得儲(chǔ)存于存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)可以長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存。然而，實(shí)施例僅用以作為范例說(shuō)明，并不會(huì)限縮本發(fā)明欲保護(hù)的范圍。此外，實(shí)施例中的圖式系省略部份元件，以清楚顯示本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)。
[0030]現(xiàn)將詳細(xì)的撰寫本發(fā)明中較佳實(shí)施例的參考，也將于伴隨圖式中說(shuō)明其例子。于圖式與實(shí)施方式中，相同或相似的參考號(hào)碼會(huì)被用來(lái)指向相同或類似的部份。應(yīng)被注意的是，圖式為一簡(jiǎn)化形式，且于所有實(shí)施例中，圖式不是自動(dòng)地被假設(shè)成依照精確的尺寸所繪制。也就是說(shuō)，它們意指本發(fā)明中不同方面的實(shí)施例的例子，且根據(jù)一些但不是全部的實(shí)施例，為按比例縮放。當(dāng)根據(jù)一些特定的實(shí)施例，這些圖式中的結(jié)構(gòu)被解釋成有縮放的話，于其他實(shí)施例中相同的架構(gòu)則不應(yīng)解釋成有縮放。于本發(fā)明中一些方面，圖式與實(shí)施方式中，相同的指定號(hào)碼的使用系企圖意指相似或類似但不一定相同的部件或元件。根據(jù)其它方面，圖式與實(shí)施方式中，相同的指定號(hào)碼的使用系企圖被解釋成指向相同、實(shí)質(zhì)相同、或功能相同的部件和元件。關(guān)于實(shí)施方式，只為了方便和清楚的目的，方向性用語(yǔ)，例如是頂、底、左、右、上、下、在上面、在上方、下、在下面、在下方、后面，以及前面，將伴隨圖式使用。這些方向性用語(yǔ)于任一方面都不應(yīng)該被解釋為限制發(fā)明范圍。
[0031]雖然于此實(shí)施方式與一些所描述的實(shí)施例有關(guān)，該明了的是這些實(shí)施例是以例子的方式呈現(xiàn)，而不是以構(gòu)成限制的方式存在。該伴隨此說(shuō)明書的目的為通過(guò)以下的實(shí)施方式的說(shuō)明來(lái)討論示范性的實(shí)施例，實(shí)施方式可解釋為包含為由專利范圍所定義的本發(fā)明的精神和范圍的范圍內(nèi)的所有的潤(rùn)飾、改變或等效實(shí)施例。該明了的是，于此描述的方法步驟和結(jié)構(gòu)不包含為了非易失性存儲(chǔ)器的操作的一完整方法流程。本發(fā)明可與不同的操作方法與其它被使用于此領(lǐng)域是已知技術(shù)一起使用，且只有共同實(shí)施的步驟會(huì)包含于此實(shí)施方式中，以理解本發(fā)明。本發(fā)明于此半導(dǎo)體裝置和一般操作領(lǐng)域有可應(yīng)用性。然而為了說(shuō)明目的，下述描述是針對(duì)一非易失性存儲(chǔ)器裝置和相關(guān)方法。
[0032]請(qǐng)參照?qǐng)D1，其繪示電子裝置1000的示意圖。電子裝置1000包括多個(gè)存儲(chǔ)單元110的陣列(array of memory cells)及一控制器120。存儲(chǔ)單元110用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)，例如是「O」、或「I」。計(jì)算機(jī)可以讀取這些數(shù)據(jù)來(lái)執(zhí)行一個(gè)程序或進(jìn)行一演算程序。舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)單元110可以是一種非易失存儲(chǔ)單元(non-volatile memory cells)。
[0033]控制器120用以執(zhí)行各種控制程序或計(jì)算程序。舉例來(lái)說(shuō)，控制器120可以是一芯片、芯片內(nèi)的一電路區(qū)塊、含有多個(gè)電子元件及導(dǎo)線的電路板或儲(chǔ)存程序代碼的計(jì)算機(jī)可讀取媒體。在本實(shí)施例中，控制器120包括一保持檢查電路(retent1n checkingcircuit) 121、一保持寫入電路(retent1n writing circuit) 122 及一地址標(biāo)識(shí)電路(address flag circuit) 123。保持檢查電路121用以執(zhí)行一保持檢查程序(retent1nchecking procedure)。保持寫入電路122用以執(zhí)行一保持寫入程序(retent1n writingprocedure)。地址標(biāo)識(shí)電路123用以記錄一地址標(biāo)識(shí)(address flag)。
[0034]在一實(shí)施例中，控制器120及存儲(chǔ)單元110的陣列可以整合于一半導(dǎo)體裝置中。在一實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元110的陣列可以是一存儲(chǔ)器芯片，而控制器120則是含有硬盤的一設(shè)備，多個(gè)程序代碼儲(chǔ)存于硬盤中。
[0035]請(qǐng)參照?qǐng)D2，其繪示存儲(chǔ)單元110的閾值電壓分布圖?？v軸表示具有特定閾值電壓(足以啟動(dòng)的字線的電壓)的存儲(chǔ)單元的數(shù)量，橫軸表示對(duì)應(yīng)的字線電壓。存儲(chǔ)單元110通過(guò)一高閾值狀態(tài)(high threshold state)及一低閾值狀態(tài)(low threshold state)來(lái)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)。以存儲(chǔ)單元110而言，高閾值分布Cl對(duì)應(yīng)于位于高閾值狀態(tài)的存儲(chǔ)單元110，低閾值分布C2對(duì)應(yīng)于位于低閾值狀態(tài)的存儲(chǔ)單元110。在一讀取模式中，控制器120施加電壓電平PVO的一讀取電壓。電壓電平PVO位于高閾值分布Cl及低閾值分布C2之間。介于低閾值分布C2的最大閾值電壓與高閾值分布Cl的最小閾值電壓之間的范圍代表能夠成功讀取存儲(chǔ)單元110的邊際。
[0036]在浮動(dòng)?xùn)艠O及電荷捕獲閃存中，隨著尺寸逐漸降低，漏電的問(wèn)題可能使數(shù)據(jù)保存遭遇困難。此