技術(shù)編號：99305
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及硅的等離子體蝕刻方面的問題，特別是半導體元件生產(chǎn)中硅的等離子蝕刻問題。在使用單晶硅的半導體元件生產(chǎn)中，特別在生產(chǎn)高組裝密度的集成電路芯片時，經(jīng)常需要蝕刻硅基片的某些表面。在現(xiàn)有的工藝中，這是通過等離子體蝕刻完成的。在等離子體蝕刻過程中，首先將硅片涂一層光刻膠。在光刻膠上作出一些窗口，使光刻膠下面被選定的硅片區(qū)域暴露出來。然后把硅片放在蝕刻室中。室體是一個受控制的環(huán)繞物，包括用來把氣體導入室體的裝置以及由氣體產(chǎn)生等離子體的電極。典型的氯化氣體如Cl2、CCl4等用來形成等離子體以蝕刻硅。將這種氣體導入室體，...
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