技術(shù)編號(hào):9913035
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體器件包括具有垂直晶體管的半導(dǎo)體器件。垂直晶體管例如用在控制高電流的器件中。日本專利特開(kāi)公開(kāi)N0.2005-86140描述了垂直MOS晶體管的柵電極覆蓋有NSG膜和BPSG膜的堆疊膜或者PSG膜和BPSG膜的堆疊膜。日本專利特開(kāi)公開(kāi)N0.2002-280553描述了垂直MOS晶體管的柵電極覆蓋有諸如BPSG膜的絕緣膜。日本專利特開(kāi)公開(kāi)N0.2000-183182描述了CMOS器件覆蓋有氧化物膜、氮化硅膜和BPSG膜的堆疊膜,但是這是涉及平面晶體管的技術(shù)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。