技術(shù)編號：9868288
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著半導(dǎo)體器件的集成密度日益提高，F(xiàn)inFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)由于其良好的電學(xué)性能、可擴展性以及與常規(guī)制造工藝的兼容性而倍受關(guān)注。圖1中示出了示例FinFET的透視圖。如圖1所示，該FinFET包括襯底101 ;在襯底101上形成的鰭102 ;與鰭102相交的柵電極103，柵電極103與鰭102之間設(shè)有柵介質(zhì)層104 ;以及隔離層105。在該FinFET中，在柵電極103的控制下，可以在鰭102中具體地在鰭102的三個側(cè)壁(圖中左、右側(cè)壁以及頂壁)中產(chǎn)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。