技術(shù)編號(hào)：9816313
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 對(duì)于以半導(dǎo)體為主的裝置以及其它電子裝置或其它復(fù)雜精細(xì)結(jié)構(gòu)的形成，通常將 材料圖案化以整合結(jié)構(gòu)。因此，所述結(jié)構(gòu)通常經(jīng)由依序沉積和蝕刻步驟的反復(fù)工藝(經(jīng)由其 形成各種材料的圖案）形成。以此方式，可將大量裝置形成于小區(qū)域中。業(yè)內(nèi)的一些發(fā)展可 涉及減少裝置的占用面積，此可是增強(qiáng)性能所需的。 可使用有機(jī)組合物作為輻射圖案化抗蝕劑，以使用輻射圖案來(lái)改變與圖案相應(yīng)的 有機(jī)組合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，圖案化半導(dǎo)體晶片的工藝可需要將所需圖像從有機(jī)輻 射敏感性材料的薄膜光刻...
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