技術(shù)編號：9812539
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造工藝，尤其是涉及一種淺溝槽半超結(jié) VDMOS器件及其制造方法。背景技術(shù) VDMOS (Ve;rtical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,垂直雙擴(kuò)散金 屬氧化物半導(dǎo)體）器件，是同時(shí)具有雙極型晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點(diǎn)的功率半導(dǎo)體器 件。與雙極型晶體管相比，它的開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小，輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率小，頻率特 性好，跨導(dǎo)線性度高，沒有雙極型功率器件的二次擊穿問題，安全工...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。