技術編號：9812331
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。常規(guī)SRAM單元由六個晶體管組成。此SRAM單元也被稱為六晶體管靜態(tài)隨機存取存儲器(6T SRAM)。參考圖1，圖解說明常規(guī)6T SRAM單元的示意性電路圖。所述6T SRAM單元包括觸發(fā)器及兩個存取晶體管。觸發(fā)器包含一對交叉耦合反相器。第一反相器包含第一 NMOS晶體管100及第一 PMOS晶體管120。PMOS晶體管120的源極電極連接到電源電壓Vee。PMOS晶體管120的漏極電極連接到NMOS晶體管100的漏極且定義第一反相器的輸出端子。PMOS晶...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。