技術(shù)編號(hào)：9752852
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器件領(lǐng)域，尤其涉及一種交叉矩陣列式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器制造工 〇背景技術(shù) 近年來人們利用磁性隧道結(jié)（MTJ，Magnetic Tunnel Junction)的特性做成磁性 隨機(jī)存儲(chǔ)器，即為MRAM(Magnetic Random Access Memory)。MRAM是一種新型固態(tài)非易失 性記憶體，它有著高速讀寫的特性。鐵磁性MTJ通常為三明治結(jié)構(gòu)，其中有磁性記憶層，它 可以改變磁化方向以記錄不同的數(shù)據(jù)；位于中間的絕緣的隧道勢(shì)皇層；磁性參考層，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。