技術編號：9732232
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。半導體存儲器裝置可分類成易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。與易失性存儲器裝置相比，非易失性存儲器裝置(例如，快閃存儲器裝置)即使在移除電力時也保持所存儲的數(shù)據(jù)。因此，非易失性存儲器裝置(例如，快閃存儲器裝置)廣泛用于存儲卡和電子裝置中。歸因于快速發(fā)展的數(shù)字信息技術，需要不斷增大快閃存儲器裝置的存儲器密度同時維持(如果不是減小)裝置的大小。已研究三維(3D)-NAND快閃存儲器裝置來增大存儲器密度。3D-NAND架構包含具有多個電荷存儲結構(例如，浮動柵...
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