技術(shù)編號(hào)：9688777
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種SRAM存儲(chǔ)單元及存儲(chǔ)陣列。背景技術(shù)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static Random Access Memory,以下簡稱SRAM)具有高速度、低功耗與標(biāo)準(zhǔn)工藝相兼容的優(yōu)點(diǎn)，其廣泛應(yīng)用于PC、個(gè)人通信、消費(fèi)電子產(chǎn)品(智能卡、數(shù)碼相機(jī)、多媒體播放器)等領(lǐng)域。最常見的SRAM存儲(chǔ)單元為6T單元，如圖1所示，所述SRAM存儲(chǔ)單元包括第一PM0S晶體管ML0、第二 PM0S晶體管ML1、第一 NM0S晶體管ΜΡΝ0、第二 NM0S晶體管MP...
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