技術編號：9650717
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 晶體管是通常作為能夠選擇性地關斷電流的開關來使用的半導體器件。在金 屬-氧化物-半導體（MO巧晶體管中，在該器件的導通狀態(tài)期間想要使得電流從源極直接 經過溝道區(qū)域流動到漏極。然而，分流路徑可能使得電流流動經過繞開溝道區(qū)域的其它路 徑。運樣的分流路徑可能使得晶體管具有高泄漏，并且甚至有可能短路。附圖說明 圖Ia示出了根據(jù)本公開的一個或多個實施例的一種用于制造具有介于III-V溝 道層和IV族襯底之間的高阻層的集成電路的"沉積然后圖案化"方法。 圖化示出了根...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。