技術(shù)編號：9647807
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件制造方法，具體地，涉及一種FinFET制造方法。技術(shù)背景摩爾定律指出集成電路上可容納的晶體管數(shù)目每隔18個月增加一倍，性能也同時提升一倍。目前，隨著集成電路工藝和技術(shù)的發(fā)展，先后出現(xiàn)了二極管、MOSFET、FinFET等器件，節(jié)點尺寸不斷減小。然而，2011年以來，硅晶體管已接近了原子等級，達到了物理極限，由于這種物質(zhì)的自然屬性，除了短溝道效應(yīng)以外，器件的量子效應(yīng)也對器件的性能產(chǎn)生了很大的影響，硅晶體管的運行速度和性能難有突破性發(fā)展...
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