技術(shù)編號(hào)：9640637
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種一維砸化錫單晶納米線的制備方法，屬于半導(dǎo)體相變存儲(chǔ)材料。背景技術(shù)砸化錫(SnSe)是一種重要的IV-VI族半導(dǎo)體，屬于典型的層狀金屬硫?qū)倩衔?LMCs)，其體相材料的間接帶隙為0.90eV，直接帶隙為1.30eV，可以吸收太陽光譜的絕大部分，具有優(yōu)越的電學(xué)、光學(xué)性質(zhì)，同時(shí)還具有熱學(xué)性能優(yōu)良、地球資源豐富的、環(huán)境友好、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定且成本低等特點(diǎn)，在紅外光電儀器、記憶切換開關(guān)、熱電冷卻材料、濾光片、光學(xué)刻錄材料、太陽能電池材料、超離子材料、傳感...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。