技術(shù)編號(hào)：9549498
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。三維集成電路(three-dimens1nalintegrated circuit, 3D 1C)的制造方法是將多個(gè)半導(dǎo)電體芯片垂直地疊層并接合，以產(chǎn)生單一的三維集成電路。一般來說，是將相鄰芯片的邊緣以階梯狀錯(cuò)開，以一種打線接合的方式，連接芯片上的焊墊。此外，也可采用一種石圭通孔(through-silicon via, TSV)的方式,將疊層的芯片連接。相較傳統(tǒng)的打線接合技術(shù)，使用硅通孔疊層芯片可具有更寬的帶寬與較短的連接路徑，進(jìn)而提高處理速度和降低功耗...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。