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一種制備三維環(huán)柵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:9549388

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隨著電子集成技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,電子器件的小型化、高效化的需求逐漸的加大,但隨著半導(dǎo)體器件尺寸不斷縮小,通過等比例縮小器件尺寸來提高器件性能的方法即將接近極限,短溝道效應(yīng)和亞閾性能退化亦限制了器件尺寸的進(jìn)一步縮小,因此越來越多的研究者關(guān)注利用具有復(fù)雜幾何柵結(jié)構(gòu)的晶體管來增加?xùn)艠O對晶體管溝道內(nèi)的電流控制。在目前所有提出的多柵結(jié)構(gòu)中,環(huán)形柵具有可以較好的減小芯片面積,更小的漏端寄生電容以及更快的開關(guān)速度等優(yōu)點。但目前的報道的環(huán)柵晶體管結(jié)構(gòu)所采用的還是基于平面內(nèi)一...
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