技術(shù)編號(hào):9525657
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(S0N0S)存儲(chǔ)器進(jìn)行編程的時(shí)候,電荷會(huì)從一基底轉(zhuǎn)移至氧化物-氮化物-氧化物(oxide-nitride-oxide, 0N0)結(jié)構(gòu)中的氮化石圭層。舉例來(lái)說(shuō),使用者會(huì)先施加一電壓到柵極和漏極并建立垂直電場(chǎng)(vertical electricfield))及橫向電場(chǎng)(lateral electric field),然后通過(guò)這些電場(chǎng)沿著通道來(lái)增加電子的運(yùn)行速度。當(dāng)電子沿著通道移動(dòng)時(shí),一部分的電子會(huì)獲得足夠的能量并越過(guò)底部二氧化...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。