技術編號：9523288
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。一般來說，通孔(Contact/Via)的0PC模型只與特征尺寸(⑶)的精度有關，但是當半導體制造工藝的技術節(jié)點達到一定的納米量級之后，圖形偏移信息同樣是非常重要的，因為通孔至多晶硅柵(poly gate)的空間是非常緊密的。這個圖形偏移使得套刻工藝窗口變窄，這樣的圖形偏移是由非對稱的光學環(huán)境所引起的。圖1為現(xiàn)有技術中的一個晶圓上多個通孔的0PC模擬的圖形與預期形成的輪廓之間的對比示意圖；而圖2為現(xiàn)有技術中的一個晶圓上多個通孔的實際形成的位置與0PC模擬的...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。