增強opc模型在圖形偏移上精度的方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及光學鄰近修正(0PC)技術領域，具體來說，本發(fā)明涉及一種增強0PC模型在圖形偏移(pattern placement)上精度的方法。
【背景技術】
[0002]一般來說，通孔(Contact/Via)的0PC模型只與特征尺寸(⑶)的精度有關，但是當半導體制造工藝的技術節(jié)點達到一定的納米量級之后，圖形偏移信息同樣是非常重要的，因為通孔至多晶硅柵(poly gate)的空間是非常緊密的。這個圖形偏移使得套刻工藝窗口變窄，這樣的圖形偏移是由非對稱的光學環(huán)境所引起的。
[0003]圖1為現(xiàn)有技術中的一個晶圓上多個通孔的0PC模擬的圖形與預期形成的輪廓之間的對比示意圖；而圖2為現(xiàn)有技術中的一個晶圓上多個通孔的實際形成的位置與0PC模擬的圖形之間的對比示意圖。如圖1和圖2所示，對晶圓的掃描電子顯微鏡數(shù)據(jù)顯示出，通孔的實際形成的位置與0PC模擬的圖形之間存在偏移，但是對通孔的0PC模擬結果卻并未捕捉到這一點。
[0004]目前的0PC模型并不包含圖形偏移信息，其只取決于光學模型的理論計算。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種增強0PC模型在圖形偏移上精度的方法，使得0PC模型能夠預估準確的圖形偏移信息。
[0006]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種增強0PC模型在圖形偏移上精度的方法，包括步驟:
[0007]設計一測試圖形，所述測試圖形上包括多個排成陣列的圖形單元，每一所述圖形單元代表實際晶圓上的一通孔，所述測試圖形的中心為基準點，多個所述圖形單元中的一個位于所述基準點上，其余所述圖形單元以所述基準點呈軸對稱和中心對稱；
[0008]按照所述測試圖形實際生產至少一個樣片，所述樣片上具有多個通孔；以位于所述基準點上的所述通孔的中心為原點，建立一包含X軸和Y軸的平面坐標系；分別測量所述樣片上其余所述通孔的中心距離所述γ軸和所述X軸的距離，獲取圖形偏移信息；
[0009]按照常規(guī)的0PC模型流程收集所述晶圓的特征數(shù)據(jù)；以及
[0010]使用所述晶圓的所述特征數(shù)據(jù)、所述圖形偏移信息和掩模版信息來校正所述0PC模型。
[0011]可選地，多個所述圖形單元排成的陣列為交錯陣列。
[0012]可選地，所述圖形單元分為彼此交錯的多個行/列，相鄰的所述行/列之間的間隔為第一距離或者第二距離；其中，所述基準點所在的行/列向外與相鄰的所述行/列之間的間隔為所述第一距離，其它的行/列向外與相鄰的所述行/列之間的間隔為所述第二距離；所述掩模版信息包括所述第二距離與所述第一距離的比例值。
[0013]可選地，所述第二距離與所述第一距離的比例值的范圍為0.8?3。
[0014]可選地，所述第一距離的數(shù)值為90?300nm。
[0015]可選地，所述圖形單元的大小都是相同的。
[0016]可選地，所述圖形單元的大小不是相同的。
[0017]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
[0018]本發(fā)明通過將圖形偏移信息加入到0PC模型中，增強了 0PC模型在通孔的圖形偏移上的精度，使得0PC模型能夠預估準確的圖形偏移信息。另外，本發(fā)明也改善了套刻工藝窗P。
【附圖說明】
[0019]本發(fā)明的上述的以及其他的特征、性質和優(yōu)勢將通過下面結合附圖和實施例的描述而變得更加明顯，其中:
[0020]圖1為現(xiàn)有技術中的一個晶圓上多個通孔的0PC模擬的圖形與預期形成的輪廓之間的對比示意圖；
[0021]圖2為現(xiàn)有技術中的一個晶圓上多個通孔的實際形成的位置與0PC模擬的圖形之間的對比示意圖；
[0022]圖3為本發(fā)明一個實施例的增強0PC模型在圖形偏移上精度的方法流程示意圖；
[0023]圖4為本發(fā)明一個實施例的增強0PC模型在圖形偏移上精度的方法中設計的一個測試圖形的示意圖；
[0024]圖5為本發(fā)明另一個實施例的增強0PC模型在圖形偏移上精度的方法中設計的一個測試圖形的示意圖；
[0025]圖6為本發(fā)明一個實施例的增強0PC模型在圖形偏移上精度的方法中按照測試圖形實際生產的一個樣片的示意圖。
【具體實施方式】
[0026]下面結合具體實施例和附圖對本發(fā)明作進一步說明，在以下的描述中闡述了更多的細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明顯然能夠以多種不同于此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內涵的情況下根據(jù)實際應用情況作類似推廣、演繹，因此不應以此具體實施例的內容限制本發(fā)明的保護范圍。
[0027]圖3為本發(fā)明一個實施例的增強0PC模型在圖形偏移上精度的方法流程示意圖。如圖3所示，該方法流程主要包括:
[0028]首先，執(zhí)行步驟S301，設計一測試圖形400，測試圖形400上包括多個排成陣列的圖形單元401。圖4為本發(fā)明一個實施例的增強0PC模型在圖形偏移上精度的方法中設計的一個測試圖形400的示意圖。需要注意的是，這個以及后續(xù)其他的附圖均僅作為示例，其并非是按照等比例的條件繪制的，并且不應該以此作為對本發(fā)明實際要求的保護范圍構成限制。如圖4所示,每一圖形單元401代表實際晶圓上的一通孔402 (圖6)。測試圖形400的中心為基準點405 (anchor),詳細稱為環(huán)境對稱基準點(environment symmetric anchor)。多個圖形單元401中的一個位于該基準點405上，其余圖形單元401以該基準點405呈軸對稱和中心對稱。
[0029]在本發(fā)明中，對應通孔402的圖形單元401大小可以都是相同的，也可以不是相同的，這主要依據(jù)通孔402本身的大小來確定。
[0030]另外，該多個圖形單元401排成的陣列可以為交錯陣列。這些圖形單元401分為彼此交錯的多個行/列，相鄰的行/列之間的間隔為第一距離pl或者第二距離P2。其中，基準點405所在的行/列向外與相鄰的行/列之間的間隔為第一距離pl，其它的行/列向外與相鄰的行/列之間的間隔為第二距離P2。在本發(fā)明中，該第一距離pl與該第二距離p2并非總是如圖4所示的那樣是相同的，即p2:pl = 1。例如，圖5為本發(fā)明另一個實施例的增強0PC模型在圖形偏移上精度的方法中設計的一個測試圖形的示意圖。如圖5所示，基準點(未標示)所在的圖形單元401外側周圍的四個圖形單元401相對于該基準點的距離比起它們相對于其它各圖形單元401的距離來說要更近一些。這就說明，第二距離p2與第一距離pl的比例值是在一個范圍內可變的，該范圍可以為0.8?3。例如，p2:pl = 0.8，0.9,1.0,1.1,1.2,..., 2.5, “.，3。而單對于第一距離pl來說，它的長度數(shù)值可以為90?300nm,例如 90,95,100，…，300nm。
[0031]其次，執(zhí)行步驟S302，按照測試圖形400實際生產至少一個樣片600 (提供環(huán)境非對稱圖形)，樣片600上具有多個通孔402。圖6為本發(fā)明一個實施例的增強0PC模型在圖形偏移上精度的方法中按照測試圖形實際生產的一個樣片的示意圖。如圖6所示，以位于基準點上的通孔402的中心為原點，建立一包含X軸和Y軸的平面坐標系。分別測量樣片600上其余通孔402的中心距離Y軸和X軸的距離{xl，x2，...，χ10}和{yl，y2，…，ylO}，獲取圖形偏移息。
[0032]然后，執(zhí)行步驟S303，按照常規(guī)的0PC模型流程收集晶圓的特征數(shù)據(jù)。
[0033]最后，執(zhí)行步驟S304，使用晶圓的特征數(shù)據(jù)、圖形偏移信息和掩模版信息來校正0PC模型。該掩模版信息包括如上所述的第二距離P2與第一距離pl的比例值(gds數(shù)據(jù))。
[0034]本發(fā)明通過將圖形偏移信息加入到0PC模型中，增強了 0PC模型在通孔的圖形偏移上的精度，使得0PC模型能夠預估準確的圖形偏移信息。另外，本發(fā)明也改善了套刻工藝窗P。
[0035]本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，都可以做出可能的變動和修改。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何修改、等同變化及修飾，均落入本發(fā)明權利要求所界定的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種增強OPC模型在圖形偏移上精度的方法，包括步驟: 設計一測試圖形(400)，所述測試圖形(400)上包括多個排成陣列的圖形單元(401)，每一所述圖形單元(401)代表實際晶圓上的一通孔(402)，所述測試圖形(400)的中心為基準點，多個所述圖形單元(401)中的一個位于所述基準點上，其余所述圖形單元(401)以所述基準點呈軸對稱和中心對稱； 按照所述測試圖形(400)實際生產至少一個樣片(600)，所述樣片(600)上具有多個通孔(402);以位于所述基準點上的所述通孔(402)的中心為原點，建立一包含X軸和Y軸的平面坐標系；分別測量所述樣片(600)上其余所述通孔(402)的中心距離所述Y軸和所述X軸的距離，獲取圖形偏移信息； 按照常規(guī)的OPC模型流程收集所述晶圓的特征數(shù)據(jù)；以及 使用所述晶圓的所述特征數(shù)據(jù)、所述圖形偏移信息和掩模版信息來校正所述OPC模型。2.根據(jù)權利要求1所述的增強OPC模型在圖形偏移上精度的方法，其特征在于，多個所述圖形單元(401)排成的陣列為交錯陣列。3.根據(jù)權利要求2所述的增強OPC模型在圖形偏移上精度的方法，其特征在于，所述圖形單元(401)分為彼此交錯的多個行/列，相鄰的所述行/列之間的間隔為第一距離(pi)或者第二距離(p2);其中，所述基準點所在的行/列向外與相鄰的所述行/列之間的間隔為所述第一距離(pi)，其它的行/列向外與相鄰的所述行/列之間的間隔為所述第二距離(P2);所述掩模版信息包括所述第二距離(p2)與所述第一距離(pi)的比例值。4.根據(jù)權利要求3所述的增強OPC模型在圖形偏移上精度的方法，其特征在于，所述第二距離(p2)與所述第一距離(pi)的比例值的范圍為0.8?3。5.根據(jù)權利要求4所述的增強OPC模型在圖形偏移上精度的方法，其特征在于，所述第一距離(pl)的數(shù)值為90?300nm。6.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的增強OPC模型在圖形偏移上精度的方法，其特征在于，所述圖形單元(301)的大小都是相同的。7.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的增強OPC模型在圖形偏移上精度的方法，其特征在于，所述圖形單元(301)的大小不是相同的。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種增強OPC模型在圖形偏移上精度的方法，包括步驟：設計一測試圖形，測試圖形上包括多個排成陣列的圖形單元，每一圖形單元代表實際晶圓上的一通孔，測試圖形的中心為基準點，一個圖形單元位于基準點上，其余圖形單元以基準點呈軸對稱和中心對稱；按照測試圖形實際生產至少一個樣片，樣片上具有多個通孔；以位于基準點上的通孔的中心為原點，建立一包含X軸和Y軸的平面坐標系；分別測量樣片上其余通孔的中心距離Y軸和X軸的距離，作為圖形偏移信息；按照常規(guī)的OPC模型流程收集晶圓的特征數(shù)據(jù)；使用晶圓的特征數(shù)據(jù)、圖形偏移信息和掩模版信息校正OPC模型。本發(fā)明增強了OPC模型在圖形偏移上的精度，使得OPC模型能夠預估準確的圖形偏移信息。
【IPC分類】G03F1/36
【公開號】CN105278234
【申請?zhí)枴緾N201410350095
【發(fā)明人】黃宜斌, 張婉娟
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2014年7月22日