技術(shù)編號：9514714
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在集成型的薄膜太陽電池的制造步驟中，例如，如專利文獻(xiàn)1所記載般，具有在基板上積層半導(dǎo)體薄膜并反復(fù)進(jìn)行多次圖案化的步驟。在該制造步驟中，在脆性材料基板上形成金屬制的下部電極層，且作為圖案化P1而利用激光束將電極層分割并劃分成短條狀。在其上形成P型光吸收層及緩沖層而制成積層型的半導(dǎo)體薄膜。其后，作為圖案化P2，通過沿著自圖案化P1的槽稍微偏移的線將緩沖層與P型光吸收層的一部分機(jī)械刻劃而分割并劃分成短條狀。接下來，在緩沖層上形成包含金屬氧化物的透明導(dǎo)電膜。接著，...
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