技術(shù)編號(hào)：9499802
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及一種S0G-MEMS芯片中防止ICP過(guò)度刻蝕的方法，本發(fā)明屬于微機(jī)電系 統(tǒng)（MEMS)器件加工領(lǐng)域，特別是針對(duì)以硅-玻璃結(jié)構(gòu)制作MEMS器件的干法刻蝕技術(shù)，涉及 一種S0G-MEMS芯片中防止或減小ICP刻蝕中過(guò)度刻蝕以及進(jìn)行終點(diǎn)檢測(cè)的方法。背景技術(shù) 基于硅-玻璃鍵合以及ICP深硅刻蝕的S0G-MEMS結(jié)構(gòu)在慣性器件及其他傳感器 中有廣泛的應(yīng)用。在工藝加工過(guò)程中，需要先將帶有錨點(diǎn)的硅層鍵合到玻璃層，玻璃層起到 支撐的作用，對(duì)硅面進(jìn)行減薄至所需厚...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。