技術(shù)編號：9493823
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。伴隨內(nèi)存、CO) (Charge-coupled Device，電荷親合組件)等固態(tài)攝像組件等半導體裝置的微細化、高性能化，對作為材料的硅晶圓也要求高質(zhì)量化，并開發(fā)與此對應(yīng)的各種硅晶圓，以提升制品的制品成品率。特別是，推測對制品特性直接造成影響的晶圓表層部的結(jié)晶性尤其重要，作為其改善對策，開發(fā)出以下技術(shù)1)在包含惰性氣體或氫的氣氛中進行高溫處理；2)通過改善提拉條件來減少內(nèi)生(Grown-1n)缺陷；3)開發(fā)磊晶成長晶圓等。使用氧化膜耐壓(gate oxi...
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