技術(shù)編號：9422061
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。專利說明相關(guān)串請的交叉引用本申請主張遞交于2012年12月21日序列號為61/745，523的美國臨時專利申請的優(yōu)先權(quán)，據(jù)此，其內(nèi)容通過引用的方式并入。本發(fā)明主要涉及薄膜的沉積方法，尤其涉及借助原子層沉積(ALD)，納米層淀積方法(NLD)和化學氣相沉積(CVD)方法的碳化物，氮化物和諸如碳氮化物的混合相所構(gòu)成的陶瓷薄膜的低溫沉積方法。背景技術(shù)由碳化物、氮化物以及由硅、鍺、硼和其混合相組成的碳氮化物構(gòu)成的薄膜被廣泛應用于高溫、高功率電子器件，惡劣環(huán)境下工作...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。