技術(shù)編號：9304680
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 半導(dǎo)體器件長期工作于空間輻射環(huán)境中，輻射產(chǎn)生的過剩載流子在器件氧化層中 被俘獲，將導(dǎo)致器件的電學(xué)性能發(fā)生退化甚至整個芯片電路發(fā)生功能失效，這種累積電離 損傷稱為總劑量效應(yīng)。 對于集成電路而言，通用的輻照測試僅能獲取宏觀集總電學(xué)參數(shù)隨累積劑量增加 而發(fā)生的變化，單純依靠試驗很難給出明確、深入細(xì)節(jié)的失效機(jī)理分析。而借助仿真分析的 方法能夠?qū)暧^的失效表征進(jìn)行進(jìn)一步的甄別分析，同時給出效應(yīng)機(jī)理方面的解釋。另一 方面，仿真分析能夠在設(shè)計初期預(yù)測芯片的抗輻射性能，...
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