技術(shù)編號(hào)：9276337
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。三電平拓?fù)溆捎谛矢?，輸出波形好等?yōu)點(diǎn)現(xiàn)在使用的場(chǎng)合越來(lái)越多，目前常見的三電平拓?fù)浒═型和I型，T型相對(duì)于I型而言發(fā)波簡(jiǎn)單，不像I型在開通和關(guān)斷時(shí)需要控制外管和內(nèi)管的順序。目前這兩種拓?fù)湓诙搪分鸩ㄏ蘖鲿r(shí)，存在主功率器件開關(guān)損耗很高而損壞失效的情形。主功率管通常采樣IGBT，MOSFET等，其總損耗Ploss=Psw+Pcond，其中Psw為開關(guān)損耗，Pcond為導(dǎo)通損耗。短路逐波限流時(shí)，Psw和Pcond都很高，導(dǎo)致Ploss很高，Ploss在主功率管的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。