技術(shù)編號：9250736
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在光伏并網(wǎng)逆變器等電力電子設(shè)備中，設(shè)有進(jìn)行能量變換的開關(guān)管，最為常兩種見的開關(guān)管為MOSFET和IGBT，在功率較大時，單個IGBT或者M(jìn)OSFET管電流無法滿足需要，另外開關(guān)管的損耗也是一個不容忽視的問題，一方面影響整機的效率，更重要的是開關(guān)管自身的溫升會很高，影響自身的壽命，進(jìn)而影響產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性，現(xiàn)在使用的方法有很多的缺點，例如成本高，IGBT模塊的散熱太過集中，產(chǎn)生的開關(guān)損耗過大，不利于提高開關(guān)頻率，時序復(fù)雜，成本較高等方面的缺點。發(fā)明內(nèi)容本...
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