一種可實現(xiàn)減少開關(guān)管損耗的電路及驅(qū)動時序的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電路及其控制方法方法，具體為一種可實現(xiàn)減少開關(guān)管損耗的電路及驅(qū)動時序的方法，屬于電路及驅(qū)動時序領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]在光伏并網(wǎng)逆變器等電力電子設(shè)備中，設(shè)有進行能量變換的開關(guān)管，最為常兩種見的開關(guān)管為MOSFET和IGBT，在功率較大時，單個IGBT或者MOSFET管電流無法滿足需要，另外開關(guān)管的損耗也是一個不容忽視的問題，一方面影響整機的效率，更重要的是開關(guān)管自身的溫升會很高，影響自身的壽命，進而影響產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性，現(xiàn)在使用的方法有很多的缺點，例如成本高，IGBT模塊的散熱太過集中，產(chǎn)生的開關(guān)損耗過大，不利于提高開關(guān)頻率，時序復(fù)雜，成本較高等方面的缺點。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的就在于為了解決上述問題而提供一種可實現(xiàn)減少開關(guān)管損耗的電路及驅(qū)動時序的方法。
[0004]本發(fā)明通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)上述目的:一種可實現(xiàn)減少開關(guān)管損耗的電路及驅(qū)動時序的方法，其特征在于:減少開關(guān)管損耗的電路包括以下部分；
[0005]一，至少兩個并聯(lián)的開關(guān)管；其中至少有一個開關(guān)管為M0SFET，至少有一個是IGBT ；M0SFET管的D級同IGBT的C級相連，MOSFET管的S級同IGBT的E級相連；
[0006]二，用于實現(xiàn)MOSFET管和IGBT管正確時序的驅(qū)動電路；
[0007]MOSFET管和IGBT管正確驅(qū)動時序的方法包括以下部分；
[0008]一，上升沿延時環(huán)節(jié)A和下降沿延時環(huán)節(jié)B，上升沿延時環(huán)節(jié)A有電阻R，電容C和二極管D組成，其中二極管D同電阻R并聯(lián)，二極管D的陰極與輸入信號相連，二極管的陽極同輸出級相連接。電容C正極同二極管正極相連，負極為信號地；
[0009]二，下降沿延時環(huán)節(jié)B有電阻R，電容C和二極管D組成，其中二極管D同電阻R并聯(lián)，二極管D的陽極與輸入信號相連，二極管的陰極極同輸出級相連接。電容C正極同二極管正極相連，負極為信號地；
[0010]環(huán)節(jié)A與環(huán)節(jié)B的前后還各有兩級電路，它們的前級起驅(qū)動左右；后級起比較器作用，確定環(huán)節(jié)A或環(huán)節(jié)B的輸出信號達到某個電壓點時刻判為高電平。
[0011]優(yōu)選的，所述MOSFET管和IGBT管的電壓大于600V。
[0012]優(yōu)選的，所述的MOSFET管為SiC (碳化硅)管。
[0013]優(yōu)選的，所述MOSFET管和IGBT管正確時序的驅(qū)動電路的實現(xiàn)可用邏輯器件，即各種門電路，緩沖器和比較器等，還可以用DSP (數(shù)字信號處理器)來實現(xiàn)。
[0014]本發(fā)明的有益效果是:該可實現(xiàn)減少開關(guān)管損耗的電路及驅(qū)動時序的方法設(shè)計合理，整個的開關(guān)過程中，MOSFET承擔了整個開關(guān)損耗，而IGBT則是在零電壓下開通的，在導(dǎo)通期間，MOSFET管和IGBT都有電流流過，但IGBT會流過較大比例的電流，充分發(fā)揮了二者的優(yōu)勢，規(guī)避掉了它們各自的缺點，使損耗達到最優(yōu)。
【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明所述并聯(lián)示意圖；
[0016]圖2為本發(fā)明IGBT和MOSFET驅(qū)動正確時序示意圖；
[0017]圖3為本發(fā)明環(huán)節(jié)A產(chǎn)生上升沿延時電路的示意圖；
[0018]圖4為本發(fā)明環(huán)節(jié)B產(chǎn)生下降沿延時電路的示意圖。
【具體實施方式】
[0019]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0020]請參閱圖1?4，一種可實現(xiàn)減少開關(guān)管損耗的電路及驅(qū)動時序的方法，減少開關(guān)管損耗的電路包括以下部分；
[0021]一，至少兩個并聯(lián)的開關(guān)管；其中至少有一個開關(guān)管為MOSFET，至少有一個是IGBT ;MOSFET管的D級同IGBT的C級相連，MOSFET管的S級同IGBT的E級相連，所述MOSFET管和IGBT管的電壓大于600V，所述的MOSFET管為SiC(碳化硅)管；
[0022]二，用于實現(xiàn)MOSFET管和IGBT管正確時序的驅(qū)動電路；
[0023]所述MOSFET管和IGBT管正確時序的驅(qū)動電路的實現(xiàn)可用邏輯器件，即各種門電路，緩沖器和比較器等，還可以用DSP(數(shù)字信號處理器)來實現(xiàn)，MOSFET管和IGBT管正確驅(qū)動時序的方法包括以下部分；
[0024]一，上升沿延時環(huán)節(jié)A和下降沿延時環(huán)節(jié)B，上升沿延時環(huán)節(jié)A有電阻R，電容C和二極管D組成，其中二極管D同電阻R并聯(lián)，二極管D的陰極與輸入信號相連，二極管的陽極同輸出級相連接。電容C正極同二極管正極相連，負極為信號地；
[0025]二，下降沿延時環(huán)節(jié)B有電阻R，電容C和二極管D組成，其中二極管D同電阻R并聯(lián)，二極管D的陽極與輸入信號相連，二極管的陰極極同輸出級相連接。電容C正極同二極管正極相連，負極為信號地；
[0026]環(huán)節(jié)A與環(huán)節(jié)B的前后還各有兩級電路，它們的前級起驅(qū)動左右；后級起比較器作用，確定環(huán)節(jié)A或環(huán)節(jié)B的輸出信號達到某個電壓點時刻判為高電平。
[0027]工作過程:在應(yīng)用該可實現(xiàn)減少開關(guān)管損耗的電路及驅(qū)動時序的方法時，首先連接好電路，在開通過程中，首先使可實現(xiàn)減少開關(guān)管損耗的電路及驅(qū)動時序的方法MOSFET的驅(qū)動信號Driver 2先高電平驅(qū)動MOSFET先導(dǎo)通，再延時Λ tl時間，IGBT的驅(qū)動信號Driver I置高，驅(qū)動IGBT導(dǎo)通，這樣完成整個開通過程。
[0028]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點來看，均應(yīng)將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
[0029]此外，應(yīng)當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實施方式。
【主權(quán)項】
1.一種可實現(xiàn)減少開關(guān)管損耗的電路及驅(qū)動時序的方法，其特征在于:減少開關(guān)管損耗的電路包括以下部分； 一，至少兩個并聯(lián)的開關(guān)管；其中至少有一個開關(guān)管為MOSFET，至少有一個是IGBT ；MOSFET管的D級同IGBT的C級相連，MOSFET管的S級同IGBT的E級相連； 二，用于實現(xiàn)MOSFET管和IGBT管正確時序的驅(qū)動電路； MOSFET管和IGBT管正確驅(qū)動時序的方法包括以下部分； 一，上升沿延時環(huán)節(jié)A和下降沿延時環(huán)節(jié)B，上升沿延時環(huán)節(jié)A有電阻R，電容C和二極管D組成，其中二極管D同電阻R并聯(lián)，二極管D的陰極與輸入信號相連，二極管的陽極同輸出級相連接。電容C正極同二極管正極相連，負極為信號地； 二，下降沿延時環(huán)節(jié)B有電阻R，電容C和二極管D組成，其中二極管D同電阻R并聯(lián)，二極管D的陽極與輸入信號相連，二極管的陰極極同輸出級相連接。電容C正極同二極管正極相連，負極為信號地； 環(huán)節(jié)A與環(huán)節(jié)B的前后還各有兩級電路，它們的前級起驅(qū)動左右；后級起比較器作用，確定環(huán)節(jié)A或環(huán)節(jié)B的輸出信號達到某個電壓點時刻判為高電平。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可實現(xiàn)減少開關(guān)管損耗的電路及驅(qū)動時序的方法，其特征在于:所述MOSFET管和IGBT管的電壓大于600V。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種可實現(xiàn)減少開關(guān)管損耗的電路及驅(qū)動時序的方法，其特征在于:所述MOSFET管為SiC管。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可實現(xiàn)減少開關(guān)管損耗的電路及驅(qū)動時序的方法，其特征在于:所述MOSFET管和IGBT管正確時序的驅(qū)動電路的實現(xiàn)可用邏輯器件，即各種門電路，緩沖器和比較器等，還可以用DSP來實現(xiàn)。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種可實現(xiàn)減少開關(guān)管損耗的電路及驅(qū)動時序的方法，本發(fā)明的有益效果是：整個的開關(guān)過程中，MOSFET承擔了整個開關(guān)損耗，而IGBT則是在零電壓下開通的，在導(dǎo)通期間，MOSFET管和IGBT都有電流流過，但IGBT會流過較大比例的電流，充分發(fā)揮了二者的優(yōu)勢，規(guī)避掉了它們各自的缺點，使損耗達到最優(yōu)。
【IPC分類】H02M7/537
【公開號】CN104967349
【申請?zhí)枴緾N201510349014
【發(fā)明人】陳青
【申請人】四川蜀旺科技有限公司
【公開日】2015年10月7日
【申請日】2015年6月23日