技術(shù)編號：9236759
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。眾所周知，非易失性存儲器(non-volatile memory)能夠在電源關(guān)閉時持續(xù)保存其內(nèi)部的儲存資料。而現(xiàn)今使用最普遍的非易失性存儲器即為快閃存儲器(flashmemory)?？扉W存儲器利用浮動柵晶體管(floating gate transistor)作為儲存單元。而根據(jù)儲存于浮動柵極上的電荷量即可決定其儲存狀態(tài)。最近，一種全新架構(gòu)的非易失性存儲器已經(jīng)被提出。該非易失性存儲器稱為電阻性隨機存取存儲器(Resistive Random Access ...
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