技術編號：9218732
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。相變存儲器(PhaseChange Random Access Memory，縮寫為PCRAM)具有循環(huán)壽命長(>1013次)、元件尺寸小、存儲密度高、讀取速度快、穩(wěn)定性強、耐高低溫(_55°C?125°C)、抗振動、以及與現(xiàn)有集成電路工藝相兼容等優(yōu)點，因而受到越來越多研宄者和企業(yè)的關注(Kun Ren 等，Applied Physics Letter, 2014，104 (17) 173102)。PCRAM 利用材料在晶態(tài)和非晶態(tài)的巨大電阻差異實現(xiàn)...
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