技術編號：8944488
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。集成電路性能的提高主要是通過不斷縮小集成電路器件的尺寸以提高它的速度來實現(xiàn)的。目前，由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半導體工業(yè)已經(jīng)進步到納米技術工藝節(jié)點，特別是當半導體器件尺寸降到22nm或以下時，來自制造和設計方面的挑戰(zhàn)已經(jīng)導致了三維設計如鰭片場效應晶體管(FinFET)的發(fā)展。相對于現(xiàn)有的平面晶體管，所述FinFET器件在溝道控制以及降低淺溝道效應等方面具有更加優(yōu)越的性能，平面柵極結構設置于所述溝道上方，而在FinFET器件中柵極環(huán)繞所述鰭片設置...
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