技術(shù)編號：8938169
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。目前，現(xiàn)有技術(shù)中的平面陰極都不具備在大氣側(cè)直接調(diào)整磁場均勻性的功能。膜層均勻性在大面積磁控濺射鍍膜設(shè)備中，是一項(xiàng)非常重要的指標(biāo)。影響磁控濺射鍍膜均勻性的因素有很多，比如磁場分布、布?xì)夥植?、電場分布和派射擋板開口等因素。目前，提高膜層均勻性的主要方法是，保證設(shè)備的磁場均勻性、布?xì)獾木鶆蛐院驼{(diào)節(jié)濺射擋板的開口尺寸等方法，及綜合使用這幾種方法。但是，在一些對膜層均勻性要求非常苛刻的工藝中，這些方式就無法實(shí)現(xiàn)要求的工藝，或?qū)崿F(xiàn)后，均勻性會隨著靶材逐漸刻蝕而逐漸變差...
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