技術(shù)編號(hào)：8923798
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在半導(dǎo)體制造技術(shù)中，金屬硅化物由于具有較低的電阻率且與其他材料具有很好的粘合性而被廣泛應(yīng)用于源/漏接觸和柵極接觸來(lái)降低接觸電阻。高熔點(diǎn)的金屬例如T1、Co,Ni等通過(guò)一步或多步退火工藝，與硅發(fā)生反應(yīng)即可生成低電阻率的金屬硅化物。隨著半導(dǎo)體工藝水平的不斷提高，特別是在45nm及其以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)，為了獲得更低的接觸電阻，鎳及鎳的合金(例如NiPt)已成為形成金屬硅化物的主要材料。隨著超大規(guī)模集成電路特征尺寸的微縮化持續(xù)發(fā)展，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的尺寸也隨之越來(lái)越小，且操...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。