技術(shù)編號：85846
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及納米半導(dǎo)體材料，尤其是一種SryZn(1-x-y)M2S4∶Ax量子點及其制備方法。背景技術(shù)量子點是準零維納米半導(dǎo)體材料，它由少量原子或原子團構(gòu)成，通常三維尺度在1～10nm。由于尺寸量子效應(yīng)和介電限域效應(yīng)的影響，半導(dǎo)體納米晶體顯示出獨特的熒光特性等物理和化學(xué)特性。使得量子點在光學(xué)和生物學(xué)等方面具有廣闊的應(yīng)用前景。量子點在生命科學(xué)及其他領(lǐng)域有著巨大的需求，因此人們對于量子點及其合成技術(shù)也進行了不斷地探索。目前已經(jīng)合成了多種核-殼結(jié)構(gòu)的納米顆粒，如CdS/Ag2S、CdS/Cd(OH)2、CdS/Z...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。