技術(shù)編號(hào)：8545273
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 在一些集成電路（1C)設(shè)計(jì)中，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮小，期望用金屬柵電極代替通常 的多晶硅柵電極以在減小的部件尺寸情況下改進(jìn)器件的性能。一種形成金屬柵極結(jié)構(gòu)的工 藝稱為"后柵極"工藝，其中"最后"制造最終的柵極結(jié)構(gòu)，這實(shí)現(xiàn)了后續(xù)工藝數(shù)量降低，后 續(xù)工藝包括必須在形成柵極之后實(shí)施的高溫處理。另外，隨著晶體管尺寸的降低，必須降低 柵極氧化物的厚度以在柵極長(zhǎng)度減小的情況下保持性能。為了降低柵極泄漏，也使用高介 電常數(shù)（高k)的柵極介電層，這允許了更大的物理厚度，同時(shí)...
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