技術(shù)編號(hào)：8524439
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。含氮化鎵的晶體材料用作制造常規(guī)光電器件如藍(lán)光發(fā)射二極管和激光器的襯底。這種光電器件通常在組成與沉積氮化物層不同的藍(lán)寶石或碳化硅襯底上形成。在常規(guī)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法中，在氣相由氨和有機(jī)金屬化合物進(jìn)行GaN的沉積。盡管成功，但是獲得的常規(guī)生長速度難以提供整體的GaN材料的塊體層。另外，位錯(cuò)密度也很高，導(dǎo)致光電器件的性能較差。已經(jīng)提出通過氨熱合成得到氮化物晶體。氨熱晶體生長方法預(yù)計(jì)具有可擴(kuò)展，如在 Dwi I inski，等人的，Ehrent...
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