技術(shù)編號(hào)：8513623
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。高級(jí)半導(dǎo)體芯片使用具有不同閾值電壓、每單位寬度導(dǎo)通電流及每單位長度截止電流的多種場(chǎng)效應(yīng)晶體管。具有高閾值電壓的場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常被稱為“低功率”器件，其具有低導(dǎo)通電流及低截止電流。具有低閾值電壓的場(chǎng)效應(yīng)晶體管被稱為“高性能”器件，其具有高導(dǎo)通電流及高截止電流。通過使用低功率器件與高性能器件的混合，半導(dǎo)體芯片可以以最佳功率消耗水平來提供最佳性能?？赏ㄟ^改變摻雜半導(dǎo)體阱的摻雜物濃度來獲取具有不同閾值電壓的器件，其中在該摻雜半導(dǎo)體阱中形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主體以獲得閾...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。