技術(shù)編號：8513371
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。典型的快閃(FLASH)存儲器陣列中，記憶胞安排于由列與行所形成的長方形陣列中，并于列與行所形成的交叉點配置記憶胞晶體管。每一晶體管的漏極連接到對應(yīng)的位元線，源極經(jīng)由陣列源極線連接至陣列源極放電晶體管的漏極，而柵極則連接至字元線(wordline)ο快閃存儲器容許以區(qū)塊(bulk)、存儲區(qū)(sector)或存儲頁(page)方式來程序化(program)、讀取或擦除,一般來說，記憶胞具有金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)，當(dāng)記憶胞的浮置柵極中沒有儲存電荷時，也...
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