技術(shù)編號(hào)：8474177
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 在集成電路的制造中使用金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS)晶體管，諸如MOS場效應(yīng)晶體 管（MOSFET)。MOS晶體管包括諸如柵電極、柵極電介質(zhì)層、間隔體等若干部件以及諸如源區(qū) 和漏區(qū)等擴(kuò)散區(qū)。層間電介質(zhì)（ILD)通常形成在MOS晶體管之上并且覆蓋擴(kuò)散區(qū)。 通過接觸插塞的方式對(duì)MOS晶體管進(jìn)行電連接，接觸插塞通常由諸如鎢等金屬形 成。首先通過對(duì)ILD層進(jìn)行構(gòu)圖以形成向下至擴(kuò)散區(qū)的過孔來制造接觸插塞。構(gòu)圖工藝通 常是光刻工藝。接下來，將金屬沉積在過孔中以形成接觸插...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。