技術(shù)編號：8474064
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在半導(dǎo)體器件中，結(jié)型場效應(yīng)電阻(JFET電阻)是隨兩個對應(yīng)的PN結(jié)的耗盡區(qū)變化而變化的一種電阻。對于溝槽(TRENCH)型VDM0S、平面(PLANAR)型VDM0S，由于器件結(jié)構(gòu)不同，在導(dǎo)通電阻(Rdson)方面，兩者的性能差異主要為平面型VDMOS存在JFET電阻，而溝槽型VDMOS沒有。所以在導(dǎo)通電阻方面，平面型VDMOS比溝槽型VDMOS要差，導(dǎo)致在低壓大電流應(yīng)用方面，平面型VDMOS性能較差。但是溝槽型VDMOS工藝要比平面型VDMOS復(fù)雜，如果...
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