技術編號：8435993
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 本發(fā)明設及，更詳細而言設及作為具有千伏單位W上的 擊穿電壓的功率電子設備用半導體器件而適合的。背景技術 作為在功率電子設備中使用的半導體器件（W下有時稱為"功率半導體器件"）、 特別是擊穿電壓化reakdownvoltage)為100伏特W上的半導體器件，可W舉出二極管、 金屬-氧化物-半導體場效應型晶體管（Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffect Transistor;簡稱MOS陽T)、絕緣柵雙極性晶體管（Insulat...
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