技術(shù)編號：8435981
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在過去的幾十年里，集成電路中的特征的縮放已經(jīng)是不斷成長的半導(dǎo)體工業(yè)背后的驅(qū)動力?？s放到越來越小的特征使得能夠增大半導(dǎo)體芯片的有效不動產(chǎn)上的功能單元的密度。例如，縮小晶體管尺寸允許芯片上包含的存儲器器件的數(shù)量增加，實現(xiàn)具有更大容量的產(chǎn)品的制造。然而，對于越來越大容量的驅(qū)動并不是沒有問題。對每個器件的性能進行最優(yōu)化的必要性變得越發(fā)顯著。嵌入式SRAM和DRAM具有非易失性和軟錯誤率的問題，而嵌入式閃速存儲器在制造期間需要額外的掩模層或處理步驟，需要高電壓進行編...
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