技術(shù)編號：8414092
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和用于準(zhǔn)備半導(dǎo)體器件的相關(guān)方法。具體地而非排除地，本發(fā)明涉及包括垂直器件的半導(dǎo)體器件，所述垂直器件的頂部側(cè)接觸通過隔離溝槽與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管分離。背景技術(shù)很多產(chǎn)品要求在不同電壓下操作的多個(gè)CMOS電路和功率器件。有時(shí)這些多個(gè)電路之間的電壓差別會很大。因此，為了防止對于電子電路的損壞或者防止電子電路的不安全操作，可能要求高壓隔離。使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝制造的電路可能不提供高壓隔離，因此如果要求實(shí)質(zhì)上的隔離，則可能要求引入特殊工藝，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。